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1. Materiais
Semicondutores
Mdulo 5 - Semicondutores
Curso Profissional de Tcnico de Eletrnica, Automao e Computadores
2 Ano
Prof. Antnio Azevedo
2014/2015
Eletricidade e Eletrnica
Materiais Semicondutores
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27 horas 36 tempos letivos

Avaliao sumativa 80%

Trabalhos de Simulao: 20%

Trabalhos Prticos: 20%

Teste: 20%

Caderno Dirio: 20%

Avaliao comportamental 20%

Participao e Interesse: 10%

Comportamento: 5%

Assiduidade e Pontualidade: 5%
Mdulo 5 Semicondutores
Materiais Semicondutores
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Materiais semicondutores: Silcio e o Germnio
Possuem 4 electres de valncia, isto , apresentam quatro electres na ltima camada.
No seu estado natural, no so condutores, no entanto podem ser condutores se juntarmos
outros materiais denominados de impurezas.
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Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a distribuio
e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por estrutura
cristalina.
O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina cbica como mostrado na
seguinte figura.
tomo de
silcio
Estrutura cristalina dos semicondutores
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Ligao covalente
Nessa estrutura cristalina, cada tomo
(representado por S
i
) une-se a outros
quatro tomos vizinhos, por meio de
ligaes covalentes, e cada um dos
quatro electres de valncia de um
tomo compartilhado com um electro
do tomo vizinho, de modo que dois
tomos adjacentes compartilham os
dois electres.
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Semicondutor intrnseco
Um semicondutor intrnseco um
semicondutor no estado puro.

temperatura de zero graus absolutos
comporta-se como um isolante, mas
temperatura ambiente (20C) j se torna um
pouco condutor porque o calor fornece a
energia trmica necessria para que alguns
dos electres de valncia deixem a ligao
covalente (deixando no seu lugar uma lacuna)
passando a existir alguns electres livres no
semicondutor.
A lacuna no uma partcula. apenas o
espao livre deixado pelo electro.

Considera-se o semicondutor intrnseco
como isolante.
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Semicondutor extrnseco
Para que material semicondutor seja, de facto, condutor necessrio que o nmero de electres livres
seja bem superior ao nmero de lacunas, ou que o nmero de lacunas seja bem superior ao nmero de
electres livres.

Isto conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele
(dopagem), por meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos,
aos quais chamamos de impurezas.

Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a denominar-se
por semicondutor extrnseco.
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As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos:
impurezas ou tomos dadores e impurezas ou tomos aceitadores.
tomos dadores tm cinco electres de valncia (so pentavalentes):
Arsnio (A
S
), Fsforo (P) ou Antimnio (S
b
).


tomos aceitadores tm trs electres de valncia (so trivalentes):
ndio (I
n
), Glio (G
a
), Boro (B) ou Alumnio (A
l
).
Processo de dopagem
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Semicondutor do tipo N
A introduo de tomos pentavalentes (como o
Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco)
faz com que apaream electres livres no seu
interior. Como esses tomos fornecem (doam)
electres ao cristal semicondutor eles recebem
o nome de impurezas dadoras ou tomos
dadores.

Todo o semicondutor dopado com
impurezas dadoras designado por
semicondutor do tipo N (N de negativo,
referindo-se carga do electro).
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A introduo de tomos trivalentes (como o ndio)
num semicondutor puro (intrnseco) faz com que
apaream lacunas livres no seu interior. Como esses
tomos recebem (ou aceitam) electres eles so
denominados impurezas aceitadoras ou tomos
aceitadores.

Todo o semicondutor dopado com impurezas
aceitadoras designado por semicondutor do
tipo P (P de positivo, referindo-se falta da carga
negativa do electro).
Semicondutor do tipo P
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Num semicondutor extrnseco do tipo N os electres esto em maioria designando-se por
portadores maioritrios da corrente elctrica. As lacunas (que so a ausncia de um electro), por
sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica.
Portadores maioritrios e minoritrios
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria designando-se por
portadores maioritrios da corrente elctrica. Os electres, por sua vez, esto em minoria e
designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica.
Portadores maioritrios: electres
Portadores minoritrios: lacunas
Tipo N
Tipo P
Portadores maioritrios: lacunas
Portadores minoritrios: electres
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Movimento dos electres e das lacunas, quando o cristal
semicondutor submetido a uma diferena de potencial
Movimento de electres
do plo negativo para o
plo positivo.
Movimento de lacunas
do plo positivo para o
plo negativo.
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Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electres ser muito mais intenso (sete larga) que o
fluxo de lacunas (sete estreita) porque o nmero de electres livres (portadores maioritrios) muito
maior que o nmero de lacunas (portadores minoritrios).
A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga
elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de
potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma
vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco
ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.
Movimento dos electres e das lacunas nos semicondutores do
tipo N
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Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas ser muito
mais intenso (sete larga) que o fluxo de electres (sete estreita)
porque o nmero de lacunas livres (portadores maioritrios)
muito maior que o nmero de electres livres (portadores
minoritrios).
A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga
elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de
potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma
vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco
ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.
Movimento dos electres e das lacunas nos semicondutores do
tipo P