Mara Guadalupe Lugo Martnez

Matrcula: 1385045
Marzo 2013
1. Introduccin.

2. Estructura General de la Gua de Onda de
Sustrato Integrado de 60GHz.

3. Diplexor Planar de la Gua de Onda de
Sustrato Integrado de 60GHz.
3.1 Filtro del Canal de Modelado.
3.2 Integracin del Diplexor.




1
4. Resultados

5. Conclusin

6. Bibliografa
2
La integracin de tecnologas de ondas
milimtricas es crtica para la evolucin de
sistemas inalmbricos.

Se han propuesto varias aplicaciones en el
rango de frecuencia entre 60GHz y 94GHz.

3
La tecnologa de Guas de Onda de Sustrato
Integrado (SIW) es un candidato prometedor
sobre las guas de onda convencionales.

La mayora de los componentes pasivos
clsicos se han implementado en este tipo de
tecnologa.
4
5
Figura 1: Estructura General del SIW
La anchura
SIW
se calcula basndose en la
anchura de la gua de onda :





donde
SIW
es la constante del sustrato
dielctrico.

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(1)
La anchura efectiva
eff
est dada por:





donde d
v
y P
v
deben configurarse
correctamente para evitar fugas de radiacin
entre las vas.


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(2)
Reglas para evitar fuga de radiacin entre las
vas por difraccin:


8
(3)


9
Tabla 1: Resumen de los Parmetros de diseo de la SIW en
banda de frecuencia de 60 GHz
Parmetro Smbolo Valor Unidad
Sustrato Dielctrico
Superficie
Dimetro
Anchura SIW
Anchura Efectiva SIW
3.1 Filtro del Canal de Modelado


El diplexor consiste en 2 filtros de canal
pasabanda con frecuencias centrales de
59.8GHz (cadena de Rx) y 62.2GHz
(cadena de Tx).
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Figura 2: Modelo de Filtro de Canal pasabanda de quinto orden de SIW
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Dado que la longitud de onda en la gua de
onda rectangular es:





donde
0
es la longitud de onda de espacio
libre y es el ancho de onda rectangular.

(4)
La longitud de onda guiada en la estructura
SIW est dada por:





donde
eff
es el ancho efectivo y
diel
se da
por:
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(5)
(6)
3.2 Integracin del Diplexor.

14
Figura 3: Modelo del diseo del Diplexor Planar SIW
Puerto 1
Puerto 2
Puerto 3
Canal de
Tx
Canal de
Rx
SIW a
microcinta
Modo de propagacin TE
10

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Figura 4: Distribucin del campo elctrico dentro de SIW con unin en T
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Figura 5: Modelo de Transicin SIW a microcinta
a
1
y w
1
=
dimensiones
de lneas de
transmisin.
a
2
y w
2
=
dimensiones
de lnea
cnica.
El Ancho de la microcinta, w
i
(i = 1, 2), se
calcula basndose en la siguiente ecuacin:




donde
Z
k
=impedancia de espacio libre (Z
k
= 376.8Ohm).
= espesor del sustrato dielctrico (Tabla 1).
e
ff
=permitividad efectiva.

17
(7)
(8)
18
La longitud total de transicin de microcinta
(a
1
+ a
2
) es igual a una longitud de onda de
microcinta
g
donde:



La optimizacin dada por a
1
y a
2
se da por:

(9)
(10)
19
Figura 6: Diplexor planar SIW de 60GHz
Figura 7: Desempeo del diplexor en trminos de prdida de
retorno puerto comn y el aislamiento de canal a canal
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Los resultados de medicin reportan un
rendimiento muy bueno en trminos de
prdida de insercin en el filtro del canal, y
prdida de retorno en bandas de paso en
todos los puertos diplexor.


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A 60GHz Planar Diplexer Based on Substrate
Integrated Waveguide Technology
- Nikolaos Athanasopoulos.
- DimitriosMakris.
- Konstantinos Voudouris.

*Accepted 8 January 2013.

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