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BAINHA DE PLASMA

Juliana Alves
INTRODUO

O termo bainha de plasma foi introduzidos nos anos
20 por Irving Langmuir.

Segundo Langmuir, a bainha de plasma a regio
no-neutra formada entre a superfcie das paredes e o
plasma.

A formulao explcita e a interpretao clara da
formao da bainha foi desenvolvida por Bohm (1949)

BAINHA DE PLASMA

Imerso da amostra no plasma que fica carregada
negativamente.

Regio prxima ao corpo formada uma regio no
neutra conhecida como bainha de plasma.

As densidades numricas dos eltrons e dos ons so
diferentes.

No interior da bainha de plasma, o potencial varia
monotonicamente desde o potencial na parede a um
valor correspondente ao plasma no perturbado.
FORMAO DA BAINHA DE PLASMA NA
VIZINHANA DA PAREDE DO MATERIAL
A IMERSO DE QUALQUER OBJETO EM
PLASMA FAZ QUE ESTE FIQUE CARREGADO
NEGATIVAMENTE APARECENDO UM POTENCIAL NA
REGIO DA BAINHA.
A DENSIDADE DE ELTRONS DECRESCE
EXPONENCIALMENTE DE ACORDO COM A DENSIDADE
DE ELTRONS DECRESCE EXPONENCIALMENTE DE
ACORDO COM A EQUAO DE
BOLTZMANN, ENQUANTO A DENSIDADE NUMRICA DE
ONS FICA APROXIMADAMENTE CONSTANTE NA REGIO
DA BAINHA.
FORMAO DA BAINHA DO PLASMA
As partculas carregadas no plasma que incidem na
parede do material devido a seu movimento aleatrio
trmico.

Os ons recombinam-se na parede e retornam ao
plasma como partculas neutras,


Os eltrons podem tambm ser recombinados na
parede ou entrar na banda de conduo se a superfcie
for um metal.
FORMAO DA BAINHA DO PLASMA
O bombardeiam a superfcie do material por unidade de
rea e unidade do tempo dado por:




Onde:

representa o tipo de partcula;
T, n e M so temperatura, densidade da partcula e massa;
Fluxo de eltrons
Fluxo de ons


FORMAO DA BAINHA DO PLASMA
A parede em contato com o plasma rapidamente
acumula uma carga negativa.

A bainha atua como barreira eltrica para os eltrons
e s muita energia chegam a atingir a parede.

Esse o regime de saturao dos ons, na qual o
fluxo dado por:

FORMAO DA BAINHA DO PLASMA
A densidade numrica de eltrons em x = s
decresce em resposta equao de Boltzmann dada pela
formula:



A parede permitida a flutuar no potencial Vp.
Com essa condio, determinado o fluxo de eltrons na
parede:


FORMAO DA BAINHA DE PLASMA
Na condio de equilbrio, quando fluxos iguais de
eltrons e ons colidem com a parede do material, o
plasma e a parede atingem um equilbrio dinmico tal
que a corrente total na parede seja zero:



Onde:
A a superfcie da parede.
O potencial da parede Vp
FORMAO DA BAINHA DE PLASMA
O chamado de potencial flutuante e dado pela
seguinte expresso:

MODELO DA BAINHA DE BOHM
O modelo de Bohm considera a existncia de regio
adicional chamada de pr-bainha.

Este modelo baseado no modelo potencial de
plasma e na variao da densidade numricas das
partculas (potencial do plasma = 0).

Na regio da pr-bainha uma queda no potencial
desde zero at Vs formada, enquanto, outra queda
de potencial iniciada na regio da bainha desde Vs
at o valor Vp na parede do material.


MODELO DA BAINHA DE BOHM
A queda de potencial e


requerida para que os ons em repouso no plasma
possam atingir a regio da bainha. Assim, o critrio
de Bohm obtido quando e


A partir deste potencial obtemos a velocidade com
qual os ons atingem a regio da bainha.

MODELO DA BAINHA DE BOHM
Modelo da bainha de Bohm. (a)
delimitao das regies para o modelo de
Bohm. (b e c) queda do potencial e da
densidade de partculas nas trs regies
consideradas. Os ons deixam a pr-
bainha com a velocidade de Bohm ub .
APLICAO
Uma nova tcnica de implantao permite a
implantao de forma tridimensional, chamada de
implantao inica por imerso em plasma (3IP) . No
processo de 3IP o substrato imerso num plasma e
polarizado negativamente com um pulso de alta
tenso. criada uma bainha de plasma em torno da
amostra, de onde so expulsos os eltrons de sua
proximidade. Os ons so acelerados em uma
direo normal superfcie do substrato com
energias que dependem da tenso de polarizao
aplicada, sendo ento implantados.
REPRESENTAO ESQUEMTICA DA
IMPLANTAO INICA POR FEIXE.
DESVANTAGEM
A sua maior desvantagem a necessidade do alvo
ser manipulado em vcuo para que o tratamento
ocorra em superfcies tridimensionais.


A emisso de eltrons secundrios pode
significativamente diminuir a eficincia eltrica do
processo 3IP e tambm, aumentar a corrente total
que provocar um aumento significativo da
temperatura da amostra.


VANTAGEM




O tratamento superficial usando plasma tem a
vantagem de ser rpido e limpo, pois, no produz
resduos txicos.