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Chemical Vapor Deposition

Dinmica dos Fluidos no Reator

Comportamento da Velocidade dos fludos

Velocidade do fludo na superfcie


do reator zero. Aumenta a medida
que se distancia da parede. H uma
certa distncia da entrada do gs,
apresenta um perfil parablico.
Perfil de velocidade reator tubular

Chemical Vapor Deposition

Concentrao dos gases reagentes.

Concentrao dos reagentes num


reator de paredes quentes.

Concentrao dos reagentes num


reator de paredes frias. Zero na
superfcie do susceptor e aumenta
rapidamente com distncia da
superfcie.

Chemical Vapor Deposition

Perfil de temperatura

Reator de paredes quentes: na entrada


somente os gases prximos a parede
so aquecidas. Pouco adiante, gases
prximos do centro so aquecidos. Se
o reator for longo, em algum ponto o
gs e aquecido uniformente.

Reator de paredes frias : a


temperatura do gs mais alto
na superfcie do susceptor e
decresce rapidamente para um
valor constante, a uma certa
distncia da superfcie.

Chemical Vapor Deposition

11.3. Tipos de Reatores

Tipos de Reatores

Chemical Vapor Deposition

Reatores CVD de Presso Atmosfrica - APCVD


Caractersticas:
operam normalmente na condio de taxa limitado por
transporte de espcies fluxo deve ser idntico sobre todas as
lminas pode processar poucas lminas por vez;
estrutura do reator bastante simples;

alta taxa de deposio;


susceptvel reaes em fase gasosa(reao homognea)
causa particulados e filme pouco denso;
cobertura de degrau pobre;
necessita de limpeza frequente;
usado para deposio de SiO2 (dopado e no dopado) em
baixa temperatura ( 400 C)

Chemical Vapor Deposition

Reatores APCVD: (a) horizontal (tubo de parede quente), (b) sistema de


movimento contnuo com injeo de gs e (c) APCVD de movimento contnuo
tipo plenum.

Chemical Vapor Deposition

Reator Epitaxial ou reator vertical tipo Bell-Jar ou Pancake aquecido


por induo.

Chemical Vapor Deposition

Reatores CVD de Baixa Presso - LPCVD


Presso Reduzida(0.25 2.0 Torr) aumenta difusibilidade das
espcies (103 vezes).
Processo opera em taxa limitado por reao.

Caractersticas do Sistema:
menos reao na fase gasosa menor gerao de partculas;
boa uniformidade;
boa cobertura de degraus;

baixa taxa de deposio (10 50 nm/min.);


no requer uniformidade de fluxo, mas sim de temperatura pode
se utilizar um forno convencional pode processar muitas lminas
por vez (at 200);

usado para deposio de: Si-poli, Si3N4, SiO2, PSG, BPSG, W, etc.

Chemical Vapor Deposition

(a)

(b)

Reatores LPCVD de parede quente (a) e fria (b). O reator do tipo (a) pode
processar at 200 lminas por fornada. O do tipo (b) conhecido tambm
como reator vertical isotrmico.

Chemical Vapor Deposition

Reatores CVD Assistida por Plasma - PECVD


Caractersticas :
operam em regime de taxa limitado por reao;
taxa de deposio mais elevada que o LPCVD;
operam em temperatura mais baixa que nos processos APCVD e LPCVD
permite depositar filmes de SiO2 e Si3N4 sobre metais de baixo ponto
de fuso. importante quando j existe Al na lmina;
boa adeso e boa cobertura de degraus, devido maior mobilidade
superficial das espcies adsorvidas;
filmes no so estequiomtricos;
h incorporao de subprodutos de reao, especialmente hidrognio,
oxignio e nitrognio. Pode resultar em degaseificao, formao de
bolhas e quebras do filme durante etapas posteriores;
um processo mais complexo, com mais parmetros;
pode depositar SiO2, Si3N4, oxinitretos, SiC, a-Si, etc.;
PECVD a temperatura mais elevada permite crescer epi: Si, Ge e III-V.

Chemical Vapor Deposition

(a) Reator de Fluxo Radial(Placas Paralelas)

+ baixa temperatura;

capacidade limitada;

manual;

podem cair partculas sobre o filme/substrato.

(a)
(b) Reator Horizontal de Parede Quente

(b)

+ lminas em p e paralelo ao fluxo;

+ alta capacidade;

+ baixa temperatura;

manual;

Gerao de particulas durante a carga.

(c) Reator Planar de Parede Fria para Substrato


nico

Chemical Vapor Deposition

Reatores CVD com Plasma Remoto RPECVD


(remote, indirect ou downstream PECVD)

A cmara onde o plasma


gerado est separada da
cmara de reao onde se
encontram os substratos.
os substratos no ficam
expostos diretamente
radiao do plasma e portanto
no so bombardeados pelos
ons de alta energia.

Reator ECR. Neste tipo de reator o plasma gerado por um campo


eltrico com frequncia de microondas em um campo magntico que provoca
a ressonncia ciclotrnica do eltron. Plasma 100 vezes mais denso em
espcies reativas.

Chemical Vapor Deposition

Caractersticas e Aplicaes de Reatores CVD


Processos

Vantagens

Desvantagens

Aplicaes

APCVD

Simples
Alta taxa de deposio
Baixa temperatura

Cobertura de degraus
ruins
Contaminao por
partculas

xidos de baixa
temperatura, dopados ou
no

LPCVD

Excelente uniformidade e
pureza
Processamento de muitas
lminas por vez ( at 200)

Alta temperatura
Baixa taxa de deposio

xidos de alta
temperatura, dopados ou
no, nitreto de silcio,
polisilcio, W e WSi.

PECVD

Baixa temperatura
Alta taxa de deposio
Boa cobertura de degrau

Contaminao qumica,
como H2 e por
particulados

Deposio de dieltricos
sobre metais em baixa
temperatura e nitreto de
silcio

RPECVD

Mesmas que PECVD sem a


radiao do substrato pelo
plasma

Baixa taxa de deposio

Mesmas que PECVD e


dieltricos de porta em
estruturas MOS

ECR

Baixa temperatura
Alta qualidade dos filmes
depositados
Alta taxa de deposio
Boa cobertura de degrau

Alto custo do
equipamento

Mesmas que RPECVD