Transistores de Efeito

de campo - FET

Apresentao
Curso: Engenharia Eltrica
Disciplina: Materiais Eltricos

Prof.: Jomar
Aluno: Jadilson dos Santos S

Conceitos Geral
O transistor um componente eletrnico que comeou a
popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal
responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de
1960. So utilizados principalmente como amplificadores e
interruptores de sinais eltricos, tambm so usados como
retificadores eltricos em um circuito podendo ter variadas
funes . O termo provm do ingls transfer resistor
(resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido
pelos seus inventores.

Conceitos Geral
FET o acrnimo em ingls de Field Effect Transistor,
Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio nome
diz, funciona atravs do efeito de um campo eltrico na
juno. Este tipo de transitor tem muitas aplicaes na rea
de amplificadores (operando na area linear), em chaves
(operando fora da area linear) ou em controle de corrente
sobre uma carga. Os FETs tm como principal caracteristica
uma elevada impedncia de entrada o que permite seu uso
como adaptador de impedncias,alm disso so usados
para amplificar frequncias altas com ganho superior ao
dos transistores bipolares.

Fabricao Transistor
Os materiais utilizados na fabricao do transistor so
principalmente o Silcio (Si), o Germnio (Ge), o Glio (Ga) e alguns
xidos. Na natureza, o silcio um material isolante eltrico, devido
conformao das ligaes eletrnicas do seu tomo, gerando
uma rede eletrnica altamente estvel. Atualmente, o transistor de
germnio menos usado, tendo sido substitudo pelo de silcio.
O silcio purificado e passa por um processo que forma uma
estrutura cristalina em seus tomos. O material cortado em finos
discos, que a seguir vo para um processo chamado de dopagem,
onde so introduzidas quantidades rigorosamente controladas de
materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que
transformam a estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as
ligaes dos tomos de silcio. O Silcio realiza ligaes covalentes
de quatro eltrons. Quando adicionamos uma impureza com 3
eltrons na ltima camada, faltar um eltron na ligao covalente,
formando os buracos e caracterizando a pastilha como pastilha P.

Composio
Os FETs podem ser compostos por
germnio(Ge) ou slicio(Si) combinados
pequenas quantidades de fsforo(F) e
boro(B), que so substncias dopantes``
(isto , que alteram as caractersticas
eltricas).Os transistores de slicio so os
mais utilizados atualmente, sendo que
transistores de germnio so usados
somente para o controle de grandes
potncias.

Historia
O transstor de silcio e germnio foi inventado nos
Laboratrios da Bell Telephone por John Bardeen e Walter
Houser Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em
23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen, Walter Houser
Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados
com o Nobel de Fsica em 1956. Ironicamente, eles
pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET)
idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas
acabaram por descobrir uma amplificao da corrente no
ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente
para converter-se no transistor de juno bipolar (BJT). O
objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e
barato para substituir as vlvulas termoinicas usadas nos
sistemas telefnicos da poca.

Historia
Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld
em 1926 e por Oskar Heil em 1934.
Em 1960 John Atalla desenvolveu o MOSFET
baseado nas teorias de William Shockley sobre o
efeito de campo, devido a sua estrutura mais
simples, o MOS passou a ser encarado como um
dispositivo vivel para circuitos digitais integrados.

Polarizao
Um FET para uso geral apresenta trs terminais: porta (gate),
fonte (source) e dreno (drain),que permitem seis formas de
polarizao,sendo trs as mais usadas: fonte comum (fonte
ligado entrada e sada simultaneamente), porta comum
(porta ligada entrada e saida simultaneamente) e dreno
comum (dreno ligado entrada e saida simultaneamente).

Tipos de FETs

Alm do citados vamos abordar os:

MODFET
PBT

 MOSFET

O transistor MOSFET (acrnimo de Metal

Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
ou transistor de efeito de campo metal xido - semicondutor - TECMOS).
A palavra "metal" no nome um anacronismo
vindo dos primeiros chips, onde as comportas
(gates) eram de metal. Os chips modernos
usam comportas de polissilcio, mas ainda so
chamados de MOSFETs. Um MOSFET
composto de um canal de material
semicondutor de tipo N ou de tipo P e
chamado respectivamente de NMOSFET ou
PMOSFET. Geralmente o semicondutor
escolhido o silcio, mas alguns fabricantes,
principalmente a IBM, comearam a usar uma
mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais
dos MOSFETs. Infelizmente muitos
semicondutores com melhores propriedades
eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto
de glio, no formam bons xidos nas
comportas e portanto no so adequados para
os MOSFETs.

 MOSFET
O terminal de comporta uma camada de
polissilcio (slicio policristalino) colocada sobre
o canal, mas separada do canal por uma fina
camada de dixido de silcio isolante. Quando
uma tenso aplicada entre os terminais
comporta (gate) e fonte (source), o campo
eltrico gerado penetra atravs do xido e cria
uma espcie de "canal invertido" no canal
original abaixo dele. O canal invertido do
mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou
do dreno, assim, ele cria um condutor atravs
do qual a corrente eltrica possa passar.
Variando-se a tenso entre a comporta e a
fonte se modula a condutividade dessa
camada e torna possvel se controlar o fluxo de
corrente entre o dreno e a fonte.

 MOSFET
os MOSFETS se dividem em duas categorias:
MOSFET tipo Enriquecimento;
MOSFET tipo Depleo.

 MOSFET
MOSFET tipo Enriquecimento o transistor de efeito de campo mais usado.

 MOSFET tipo Enriquecimento

MOSFET

 MOSFET
Caractersticas MOSFET tipo Enriquecimento

A regiao de saturao a regio mais

usada para funcionamento de FET
como amplificador. Para funcionar
como interruptor, usa-se a regies de
corte e triodo

 MOSFET

Caractersticas:
4 terminais;
Alta impedncia de entrada;
Canal previamente formado.

 MOSFET

 MOSFET
As caractersticas de corrente-tenso do MOSFET tipo Depleo.
Quando a tenso da porta
suficientemente negativa, a corrente
de dreno cortada. Portanto, o
funcionamento de um MOSFET
similar ao JFET quando Vgs
negativa. Como a porta do MOSFET
est eletricamente isolada do canal ,
podemos aplicar uma tenso positiva
na porta, essa tenso positiva
aumenta o nmero de eltrons livres
que fluem atravs do canal. Quanto
maior a tenso positiva, maior a
conduo da fonte para o dreno.
A operao no modo depleo se d
quando Vgs est entre Vgs(off) e zero,
quando Vgs maior que zero temos a
operao no modo intensificao.

 JFET

 JFET

 JFET

Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N mais utilizado.

O fluxo de carga entre fonte e dreno

relativamente irrestrito e limitado somente pela
resistncia do canal N.
A regio de depleo mais larga prximo do
dreno, pois a polarizao reversa dreno/porta
maior que a polarizao reversa porta/fonte.

 JFET

 JFET

 MESFET
O MESFET sigla significa "Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor". amplamente
utilizado na tecnologia de arsenieto de glio (GaAs), uma vez que no requer o
desenvolvimento de um xido de qualidade nem a costura de padres de difuso de
complexos que so tcnicas de fabricao que so muito mais difceis de conseguir em
GaAs do que no silcio. MESFETs pode ser operado em frequncias muito altas (> 100
GHz), porque eles so baseados em materiais semicondutores de alta mobilidade e na
rpida recuperao de diodos Schottky.

 MESFET
O MESFET basicamente um JFET em que a largura da regio de depleo que
comprime o canal devida presena de um dodo de Schottky, em vez de juno
P/N. Um MESFET tpico realiza-se em um semicondutor com uma fina espessura e
uma concentrao de dopagem N d. Esta camada est sentado em cima de um
substrato semicondutor de alta resistividade levemente dopado. A resistividade do
substrato to alto que muitas vezes referida como um material "semi isolante".
O substrato no desempenha nenhum papel ativo no dispositivo e atua
simplesmente como um substrato mecnica.
Se a tenso de dreno pequena a
largura da zona de depleo pode ser
obtido a partir da teoria dodo
Schottky.

 MESFET
Vantagens e Desvantagens
A vantagem do MESFET a maior mobilidade dos portadores no canal, em comparao
com o MOSFET. A mobilidade mais elevada conduz a uma corrente, e transcondutncia
trnsito de frequncia mais alta do dispositivo.
A desvantagem da estrutura o MESFET presena gate de metal Schottky. Ele limita a
tenso de polarizao direta sobre o gate para a tenso de turn-on do diodo Schottky.
Esta tenso turn-on tipicamente de 0,7 V para diodos Schottky GaAs. A tenso de
limiar, por conseguinte, deve ser menor do que esta voltagem teso. Como um resultado
disso, mais difcil de fabricar circuitos que contm um grande nmero de modo de
melhoramento MESFET.
O uso de GaAs vez de silcio proporciona duas vantagens mais importantes: em primeiro
lugar, da mobilidade temperatura ambiente mais do que cinco vezes maior, enquanto
que a velocidade de saturao cerca de duas vezes maior que no silcio. Em segundo
lugar, possvel fabricar semi-isolantes substratos (SI) de GaAs, o que elimina o problema
da absoro de energia de microondas no substrato devido absoro de portadores
livres.

 MODFET
O efeito de campo transistor modulada-doping ou de efeito de campo transistor dopado
com modulao (MODFET) um tipo de um transistor de efeito de campo , tambm
conhecido como o Alto Electron Mobility Transistor ( HEMT ). Como outros FETs, MODFETs
so usados em circuitos integrados como interruptores digitais on-off. FETs podem
tambm ser usados como amplificadores de grandes quantidades de corrente, utilizando
uma pequena tenso como um sinal de controle.

 MODFET
FABRICAO
MODFETs pode ser fabricado por crescimento epitaxial de uma tensa camada de SiGe. Na
camada tensa, os contedo de germnio (Ge) aumenta linearmente para cerca de 4050%. Esta concentrao de germnio, permite a formao de um poo quntico estrutura
com uma elevada banda de conduo offset e uma alta densidade de muito
mveis portadores de carga. O resultado final um FET com velocidades ultra-altas de
comutao e baixo rudo. InGaAs / AlGaAs , AlGaN / InGaN , e outros compostos tambm
so utilizados no lugar de SiGe. InP e GaN esto comeando a substituir SiGe como o
material de base em MODFETs devido s suas melhores relaes de rudo e de energia.

 MODFET
Vantagens
Em primeiro lugar, eles tm um alto ganho. Isto torna-os teis como
amplificadores. Em segundo lugar, eles tm altas velocidades de comutao, que so
alcanados porque os principais portadores de carga em MODFETs so portadores
majoritrios, e portadores minoritrios no esto envolvidos de forma significativa. Em
terceiro lugar, MODFETs tm valores extremamente baixos de rudo porque a variao
de corrente nestes dispositivos baixo em comparao com outros FETs.

Aplicao
so amplamente utilizados em receptores de satlite, em amplificadores de baixa
potncia e na indstria de defesa.

 PBT - Transistor de Base Permevel

Entre os dispositivos eletrnicos de alta velocidade que tm sido desenvolvidos nas
ltimas duas dcadas, o transistor de base permevel (PBT) um dos mais atraentes
devido sua simplicidade conceitual. Uma das suas principais vantagens, no entanto,
que pode ser fabricado com silcio como o material de base empurrando, assim, ainda
mais os limites de tecnologia Si, em termos de velocidade. A implementao deste
transistor repousa sobre os recentes avanos em Si hetero epitaxy, permitindo o
crescimento epitaxial de alta qualidade de silicietos metlicas, das quais CoSi 2 a mais
promissora at o momento. Heteroestruturas do tipo Si / Cosi 2 / Si so cultivadas por
epitaxia de feixe molecular e, posteriormente, coberto de Si adicional por baixo da fase
epitaxia presso de vapor aps a estruturao do metal gate. Camadas tensas epitaxia de
Cosi 2 mostra-se de extrema importncia para o seguinte supercrescimento Si. A
incompatibilidade de rede de 1,2% limita o crescimento de Cosi 2 com uma baixa
densidade de discordncias sobre Si a alguns nanmetros. As pequenas espessuras de
porta pode ser mostrada para afetar os charactertistics transistor de forma significativa

 PBT - Transistor de Base Permevel

Obrigado!