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CONTENIDO RESUMIDO:
1-Introduccin
2-Osciladores
3-Mezcladores.
4-Lazosenganchadosenfase(PLL).
5-AmplificadoresdepequeasealparaRF.
6-Filtrospasa-bandabasadosenresonadorespiezoelctricos.
7-AmplificadoresdepotenciaparaRF.
8-Demoduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
9-Demoduladoresdengulo(FM,FSKyPM).
10-Moduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
11-Moduladoresdengulo(PM,FM,FSKyPSK).
12-TiposyestructurasdereceptoresdeRF.
13-TiposyestructurasdetransmisoresdeRF.
14-Transceptorespararadiocomunicaciones
ATE-UO EC osc 00
2. Osciladores
Osciladores con elementos discretos
deBajaFrecuencia(RC)
Colpitts
deAltaFrecuenciay
Tiposde
FrecuenciaVariable(LC) Hartley
Osciladores
Otros(Clapp,...)
deAltaFrecuenciay
FrecuenciaFija(acristal)
Colpitts
Hartley
Pierce
Otros(Clapp,...)
ATE-UO EC osc 01
xe(s)
Entrada
xer(s)
G(s)
xs(s)
Planta
Salida
xr(s)
Observaciones:
H(s)
Red de
realimentacin
ATE-UO EC osc 02
xe(s)
Entrada
xer(s)
G(s)
xs(s)
Planta
Salida
xr(s)
H(s)
Red de
realimentacin
Lazo abierto
G(s) =
Lazo cerrado
xs(s)
xs(s)
xer(s)
xe(s)
G(s)
1 + G(s)H(s)
ATE-UO EC osc 03
Casos particulares
xe(s)
Entrada
G(s)
xs(s)
xs(s)
Planta
Salida
xe(s)
G(s)
1 + G(s)H(s)
H(s)
Red de
realimentacin
> 1
<1
Oscilacin 1 + G(s)H(s)
=0
Caso de oscilacin
xs(s)
xe(s)
G(s)
=
xe(s) 1 + G(s)H(s)
Entrada
G(s)
xs(s)
Planta
Salida
H(s)
Red de
realimentacin
-1
G(s)
xs(s)
Por tanto:
Planta
Salida
H(s)
Red de
realimentacin
ATE-UO EC osc 05
G(josc)
Planta
Salida
xe(j osc)
Entrada
G(josc)
Planta
Salida
H(josc)
Red de
realimentacin
G(josc)
Planta
Salida
H(josc)
Red de
realimentacin
Si |xe(j osc)G(j osc)H(j osc)| > |xe(j osc)| (es decir, |G(j osc)H(j osc)| > 1)
cuando el desfase es 180, entonces podemos hacer que la salida del
lazo de realimentacin haga las funciones de la magnitud de entrada.
G(josc)
Planta
Salida
H(josc)
Red de
realimentacin
ATE-UO EC osc 07
G(josc)
Planta
Salida
H(josc)
Red de
realimentacin
G(josc)
Planta
Salida
H(josc)
Red de
realimentacin
G(josc)
Planta
Salida
H(josc)
Red de
realimentacin
G(josc)
Planta
Salida
H(josc)
Red de
realimentacin
ATE-UO EC osc 10
-1
G(josc)
Salida
Planta
H(josc)
Red de
realimentacin
|G(j)H(j)| [dB]
80
Interpretacin con
Diagramas de Bode
40
-40
-1
H(josc)
Red de
realimentacin
G(josc)
Planta
Oscilar
Salida
102
104
106
G(j)H(j)[]
0
-60
-120
-180
-240
1
ATE-UO EC osc 12
102
osc
104
106
|G(j)H(j)| [dB]
80
80
40
40
-40
-40
No
oscilar
G(j)H(j)[]
G(j)H(j)[]
-60
-60
-120
-120
-180
osc
-240
1
102
-180
osc
-240
104
106
ATE-UO EC osc 13
102
104
106
Oscilador
A(j)
G(j)
Amplificador
Salida
Planta
H(j)
Salida
(j)
Red de
realimentacin
Red pasiva
A osc se cumple |
G(j osc)H(j osc)| > 1
A osc se cumple |
A(j osc)(j osc)| > 1
Cuando ya oscila:
Tipos de Osciladores
BJT, JFET, MOSFET, Amp. Integrados, etc
A(j)
Amplificador
Salida
(j)
Red pasiva
RC en baja frecuencia.
LC en alta frecuencia (y variable).
Dispositivo piezoelctrico en alta frecuencia (y constante).
Lneas de transmisin en muy alta frecuencia.
ATE-UO EC osc 15
+
gvgs
vgs
Rs
FET
A(j)
Amplificador
Salida
(j)
Red pasiva
Z2
Z1
Z3
ATE-UO EC osc 16
+
ve
gvgs
vgs
vs
Rs
-
Z2
Z1
+
-
vsr
Z3
ver
ATE-UO EC osc 17
+
ve
gvgs
vgs
Z2
Z1
+
-
vsr
Por tanto:
vs
Rs
Z3
ver
-
Rs
Z1(Z2+Z3)
Z1+Z2+Z3
vs=-gve
Z1(Z2+Z3)
Rs+
Z1+Z2+Z3
Z3
vsr=ver
Z2+Z3
ver=vs
Rs
Z1Z3
Z1+Z2+Z3
vsr=-gve
Z1(Z2+Z3)
Rs+
Z1+Z2+Z3
ATE-UO EC osc 18
+
ve
A=vsr/ve=-g
Rs(Z1+Z2+Z3)+Z1(Z2+Z3)
+
gvgs
vgs
RsZ1Z3
Z2
Z1
+
-
vsr
vs
Rs
Z3
Z1=jX1
Z2=jX2
Z3=jX3
ver
-
Por tanto:
-RsX1X3
ATE-UO EC osc 19
A=-g
jRs(X1+X2+X3)-X1(X2+X3)
ExisteosctalqueA(josc)(josc)=0(esdecir,REAL)
Aoscsecumple|A(josc)(josc)|>1
Por tanto:
Como:
-RsX1X3
A(josc)(josc)=-g
jRs(X1+X2+X3)-X1(X2+X3)
=0
RsX3(osc)
A(josc)(josc)=-g
X2(osc)+X3(osc)
Y como: X
2(osc)+X3(osc)=-X1(osc),
Queda:
ATE-UO EC osc 20
osc)(josc)=0(esdecir,POSITIVO), X3y X1
deben ser del mismo tipo (los dos elementos bobinas o los dos
condensadores).
Z2
Z1
Z3
Z2
Hartley
Z1
Z3
Z2
Z1
Z3
Colpitts
ATE-UO EC osc 21
X2=-1/C2
X3=L3
X2=L2
X3=-1/C3
RsX3(osc)
g>1
X1(osc)
X1=L1
Hartley
X1=-1/C1
Colpitts
RsL3
g>1
L1
RsC1
g>1
C3
ATE-UO EC osc 22
X1(osc)+X2(osc)+X3(osc)=0
X2=-1/C2
X3=L3
X2=L2
X3=-1/C3
X1=L1
fosc=
Hartley
X1=-1/C1
Colpitts
fosc=
1
2(L1+L3)C2
1
C1C3
2
L2
C1+C3
ATE-UO EC osc 23
Resumen
Hartley
D
+
-
gvgs
vgs
RsL3
g>1
L1
Rs
C2
fosc=
L1
1
2(L1+L3)C2
L3
Colpitts
G
+
-
gvgs Rs
vgs
S
L2
C3
C1
RsC1
g>1
C3
1
fosc=
C1C3
2
L2
C1+C3
ATE-UO EC osc 24
G
+
-
gvgs Rs
vgs
vs osc
L2
C1
+
vs osc
L2
C1
C3
C3
ATE-UO EC osc 25
+ Vcc
+ Vcc
LCH
LCH
CG
S
CS
CD
+
vs osc
L2
S
CS
C1
C3
G
+
-
vgs
gvgs
Rs
vs osc
-
+
vs osc
L2
L2
C1
C1
C3
C3
+ Vcc
+ Vcc
L2
LCH
ATE-UO EC osc 26
D
S
CD
+
D
S
C1
C3
vs osc
-
gvgs Rs
vgs
L2
L2
C1
ATE-UO EC osc 27
vs osc
-
+ Vcc
+ Vcc
D
C1
C3
vs osc
C3
L2
S
LCH
C3
C1
D
CS
+
LCH
vs osc
-
D
+
-
gvgs
vgs
Rs
vs osc
-
C2
+ Vcc
L1
L1
CD
L3
C2
+ Vcc
LCH
D
S
CS
ATE-UO EC osc 28
L3
CS
+
vs osc
D
+
-
gvgs
vgs
+ Vcc
Rs
vs osc
-
LCH
C2
L1
vs osc
D
G
L3
+ Vcc
LCH
D
S
ATE-UO EC osc 29
CD1
L3
CM
CD2
L1 C
2
D
+
-
gvgs Rs
vgs
S
C2
+ Vcc
L1
C2
+
vs osc
L3
CG
D
CS
L3
+
vs osc
L1
+ Vcc
G
D
S
LCH
ATE-UO EC osc 30
CM
+
vgs
gvgs
Rs
Condiciones de oscilacin:
RsC1
g>1
C3
fosc=
C2
L2
C3
2
C1
C1C2C3
L2
C1C2+C1C3+C2C3
C2 no influye en la condicin |
A(josc)(josc)|>1
C2 influye en la frecuencia de
+ Vcc
G
RG
L2
C3
C2
C1
D
CS
+
LCH
R1
vs osc
-
ATE-UO EC osc 32
ATE-UO EC osc 33
L2
C3
C2
C1
G
CS
C2
+
LCH
R1
vs osc
Condiciones de oscilacin:
1
2
C1C2C3
L2
C1C2+C1C3+C2C3
C3
C1
fosc=
L2
D
CS
+
LCH
R1
vs osc
-
RsC1
g>1 (comn)
C3
fosc=
1
C1C3
2 (+C2)L2
C1+C3
ATE-UO EC osc 34
+ Vcc
G
RG
L2
C21
C22
vCF
CS
C3
RCF
C1
LCH
R1
vs osc
-
C2
ATE-UO EC osc 35
ATE-UO EC osc 36
ATE-UO EC osc 37
Contacto
metlico
Cristal
Cpsula
Aspecto:
Terminales
ATE-UO EC osc 38
R1
R2
R3
L1
L2
L3
C1
C2
C3
CO
ATE-UO EC osc 39
R1
R2
L1
L2
R3
L3
C1
C2
C3
Z(f)
CO
Im(Z(f)) [k
50
Comportamiento
inductivo
0
Comportamiento
capacitivo
-50
f1
ATE-UO EC osc 40
f2
R = 20
L = 15 mH
C = 0,017 pF
CO = 3,5 pF
CO
C
Z(f)
1
Im(Z) [M]
0
200 Hz
-1
10,0236
10,024
f [MHz]
10,0244
ATE-UO EC osc 41
En otra escala
R = 20
L = 15 mH
C = 0,017 pF
CO = 3,5 pF
Im(Z) [k]
600
Margen de
comportamiento inductivo
R
L
25 kHz
CO
C
-600
10
10,01
f [MHz]
10,02
10,03
ATE-UO EC osc 42
L
C
CO
1
1
(Ls+)
COs
Cs
1 (LCs2+1)
Z(s)==
CPs (LCSs2+1)
1
1
+Ls+
COs
Cs
siendo:
CS=
CCO
C+CO
CP=C+CO
Anlisis senoidal: s= j
-j (1-LC2) -j(1/2)2 (1(/1)2)
Z(j)=
=
CP (1-LCS2)
CO
(1(/2)2)
1
1
1=
2=
siendo:
LC
LCS
ATE-UO EC osc 43
CO
-j(1/2)2 (1(/1)2)
1=
Z(j)=
CO
(1(/2)2)
1
LC
2=
1
LCS
Resumen:
1=
1
LC
CO
Z(j)=jX()
X()
CS=
CCO
C+CO
2=
1
LCS
-(1/2)2 (1(/1)2)
X()=
CO
(1(/2)2)
Comp.
inductivo
Comportamiento
capacitivo
ATE-UO EC osc 45
ATE-UO EC osc 46
Osciladores a cristal
Se basan en el uso de una red de realimentacin que incluye un
dispositivo piezoelctrico (tpicamente un cristal de cuarzo). Tipos:
Basados en la sustitucin de una bobina por un cristal de cuarzo
en un oscilador clsico (Colpitts, Clapp, Hartley, etc.) El cristal
de cuarzo trabaja el su zona inductiva.
Basados en el uso del cristal de cuarzo en resonancia serie.
L2
C3
C2
C1
+ Vcc
CS
RG
+
LCH
R1
vs osc
-
Xtal
C3
C1
D
CS
+
LCH
R1
vs osc
-
ATE-UO EC osc 47
Xtal
C3
RsC1
g>1
C3
CS
+
LCH
C1
R1
vs osc
-
XC1(osc)+XC3(osc)+XXtal(osc)=0
Cristal de 10 MHz
R = 20
C = 0,017 pF
CO = 3,5 pF
ATE-UO EC osc 48
Grficamente:
-(XC1()+XC3()), XXtal() []
L = 15 mH
1000
XXtal()
C1 = C3 = 50pF
500
C1 = C3 = 100pF
C1 = C3 = 500pF
0
f [MHz]
10
10,002
10,004
C
osc=11+
C1C3
+CO
C1+C3
Ntese que 1 < osc < 2 ya que:
C
CO
2=11+
ATE-UO EC osc 49
+ Vcc
C1C3
+CO+Cext
C1+C3
RG
Cext Xtal
10 MHz
1500
1000
500
C1 = C3 = 50pF
0pF
xXtal
0
9,999
10
C1
CS
+
LCH
R1
vs osc
-
10pF
5pF
-(XC1 + XC3)
C3
fosc(Cext=0pF)=10.002,9622kHz
fosc(Cext=5pF)=10.002,5201kHz
fosc(Cext=10pF)=10.002,1929kHz
fosc(Cext=15pF)=10.001,9408kHz
f [MHz]
ATE-UO EC osc 50
ve
+ +
- -
vgs
gvgs
Rs
-
vs
ve
+ +
- -
vgs
Rs
gvgs
vs
CO
vsr
R1
Xtal
En este caso:
ver
-
vsr
-
R1 ZXtal=jXxtal
ver
-
RsR1
A(j)(j)=-g
jXXtal+R1+RS
ATE-UO EC osc 51
ve
+ +
- -
vgs
S
vsr
R1
Rs
gvgs
jXxtal
Xtal
vs
En oscilacin:
ver
-
Amplificador
con g > 0
+
-
ve
R1
ATE-UO EC osc 52
Rs
gve
Xtal
+
-
vs
+ Vcc
D
L2
C3
C1
CS
+
RL
CL
vs osc
LCH
R1
Carga
+ Vcc
D
L2
C3
C1
R2
CS
CE
LCH
R1
R3
RL
CL
vs osc
-
Carga
ib
C
ib
Re
E
Z2
Z1
Z3
Z1=jX1
Z2=jX2
Z3=jX3
-X3X1
A(josc)(josc)=-
jRe(X1+X2+X3)-X3(X1+X2)
=0
X1(osc)
A(josc)(josc)=
X3(osc)
ATE-UO EC osc 55
En este caso:
queda:
Estudio y resultados
prcticamente idnticos
al caso de transistores
de efecto de campo.
>1
X3(osc)
+ Vcc
R1
R3
CB
L2
C1
Colpitts en colector
comn con transistor
bipolar + seguidor de
tensin.
CE1
C3
CE2
LCH
R2
R4
vs osc
+
ATE-UO EC osc 56
+ Vcc
G
RG
D1 C2
L2
Resistencia de
arranque
C3
C1
D
CS
+
LCH
vs osc
-
ATE-UO EC osc 57
C2
L2
C3
Circuito equivalente
C1
RS
ids
LCH
RG
D1
C2
L2
C3
C1
Thvenin
S
RS
LCH
+
idsRS
ATE-UO EC osc 58
C2
L2
C3
C1
LCH
+
vSO
ATE-UO EC osc 59
RG
D1
0
0
C3
C2
vG
G
+
L2
vC1
vC3
vG
nivel de cc
vC3
C1 +
vC1
RS
LCH
vSO
i = 0 (resonancia)
vC1 vSO (ZLCH >> RS)
vC3 = vC1C1/C3 + nivel de cc
nivel de cc
vG = vC1+ vC3
ATE-UO EC osc 60
RG
D1
C3
+
C2
vG
vC3
nivel
de cc
vG
nivel
de cc
G
+
L2
vC3
C1 +
vC1
i=0
RS
LCH
vSO
Cermicos NP0
Mica
Styroflex.
ATE-UO EC osc 62
ATE-UO EC osc 63
Hartley
Alimentacin estabilizada
Transformador para
adaptacin de impedancias
ATE-UO EC osc 64
Colpitts
ATE-UO EC osc 65
ATE-UO EC osc 66
Potencias(absolutadesalidasobre50)yrendimientos
(Potenciadeseal/potenciadealimentacin).
Niveldearmnicosyespuriaspotenciasrelativasdeunoo
variosarmnicosconrelacinalfundamental.
Pullingoestabilidadfrentealacargausodeseparadores.
Pushingoestabilidadfrentealaalimentacinusode
estabilizadoresdetensin(zeners,78LXX,etc.).
DerivaconlatemperaturaCondensadoresNP0,demica,etc.
EspectroderuidoSedebefundamentalmentearuidodefase.
ATE-UO EC osc 67