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UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB

Introduo aos Semicondutores

Leonardo B. Zoccal
(lbzoccal@unifei.edu.br)
ELT055 Eletrnica Analgica I - 10/02/15

Bibliografia ELT055

Microeletrnica
Sedra e Smith
4 edio

Dispositivos Eletrnicos e
teoria de circuitos
Boylestad, Robert L. e
Nashelsky, Louis
8 edio
Eletrnica Volume 1
Albert Paul Malvino
4 edio

Avaliao ELT055
19/04/2013 P1 (100%)
28/06/2013 P2 (60%) e Trabalho (40%)
08/07/2013 - Exame

Introduo aos
Semicondutores
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Introduo aos Semicondutores


Tecnologia atual de fabricao de dispositivos
discretos e circuitos integrados concentra-se nos
materiais:
Condutores;
Isolantes;
Semicondutores.

Considera-se a propriedade destes materiais em


conduzir a corrente eltrica com maior (ou menor)
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facilidade.

Introduo aos Semicondutores


Material condutor qualquer material que sustenta um
grande fluxo de carga ao se aplicar uma fonte de tenso
de amplitude limitada atravs de seus terminais.
Material isolante qualquer material que oferece um nvel
muito baixo de condutividade quando submetido a uma
fonte de tenso.
Material semicondutor possui um nvel de condutividade
entre os extremos de um isolante e de um condutor.
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Introduo aos Semicondutores


+

V = RI (a condutividade est

relacionada com a resistncia de um


material)
O coeficiente trmico da resistividade
de um semicondutor negativo (T, )

L
R
A

resistividade

Material

Classificao

Resistividade ()

Cobre

Condutor

10-6 [.cm]

Mica

Isolante

1012 [.cm]

Silcio (Si)

Semicondutor

50103 [.cm]

Introduo aos Semicondutores


Atualmente, os semicondutores so
amplamente utilizados para a fabricao dos
dispositivos de estado slido (diodos,
transistores, etc);
Fabricao com alto grau de pureza;
Modificao das caractersticas eltricas em
funo da: dopagem, temperatura e da luz
(dispositivos especializados sensores p.ex.).
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Introduo aos Semicondutores


Existe uma grande variedade de materiais
semicondutores alm do Silcio (Germnio Ge,
Arseneto de Glio GaAs, etc.);
Silcio 20 a 30% da crosta terrestre;
Este curso ser focado no Silcio, porm, todos
os aspectos qualitativos mencionados podem
ser estendidos a qualquer outro material
semicondutor.
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Introduo aos Semicondutores


Quando os tomos do Si se combinam para formar um
slido, eles so arranjados segundo um padro ordenado
chamado cristal

Ncleo

O cristal de Si tem estrutura de


diamante tridimensional

Representao planar do tomo de


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Si mais simples

Introduo aos Semicondutores


tomo Isolado de Si
Modelo de Bohr
Ncleo

Estrutura
eletricamente neutra
14 e- = 14p

A ltima rbita (chamada de


rbita de valncia) a mais
importante
DETERMINA AS
PROPRIEDADES QUMICAS E
ELTRICAS DO MATERIAL

O tomo de Si tetravalente (possui 4e- na rbita


de valncia)

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Introduo aos Semicondutores

Ncleo

Os tomos da rbita de valncia


podem ser liberados atravs do
fornecimento de energia (por
exemplo calor e luz)
Quanto maior a rbita do eltron
maior ser sua energia potencial
(em relao ao ncleo)

Os tomos tendem buscar a estabilidade qumica


completando todos os seus nveis de energia.
No caso do silcio, so necessrios mais 4
eltrons.
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Introduo aos Semicondutores


Ligao
Covalente

Ncleo

rbita de
Valncia

Os quatro eltrons que faltam so conseguidos atravs do


compartilhamento dos eltrons da ltima camada. Este tipo de
ligao conhecida como LIGAO COVALENTE.
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Introduo aos Semicondutores


Ligao
Covalente

Ncleo

rbita de
Valncia

Durante o processo de fabricao, os semicondutores so cuidadosamente


refinados para se obter a reduo de impurezas a um nvel muito baixo.
Esses semicondutores puros so conhecidos como MATERIAIS
INTRINSECOS. A obteno de semicondutores intrnsecos pode apresentar
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um grau de pureza de 1:1010

Introduo aos Semicondutores


Ligao
Covalente

Ncleo

rbita de
Valncia

O cristal de Silcio eletricamente neutro (nenhuma carga foi


retirada ou introduzida)
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Introduo aos Semicondutores


A energia total de um eltron pode ser identificada pelas
dimenses de sua rbita
Cada raio possui um
equivalente ao nvel de energia

Ncleo

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Introduo aos Semicondutores


Nveis de Energia
Os eltrons apresentam nveis discretos de energia ocupando
somente rbitas bem definidas em relao ao ncleo, existindo
um gap (regio proibida) entre as rbitas
A energia E para o eltron ir
da rbita inferior para a rbita
superior deve ser maior ou
igual ao GAP
A energia E fornecida pode
ser na forma de calor ou luz
Para voltar a rbita anterior, o
eltron deve liberar a energia
E armazenada (liberao na
forma de calor ou luz)
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Introduo aos Semicondutores


Nveis de Energia
Conforme os tomos so reunidos para formar a
rede cristalina, os eltrons de uma rbita particular
podem apresentar nveis de energia ligeiramente
distintos dos eltrons na mesma rbita de um
tomo adjacente

Com isso ocorre a


expanso dos nveis
discretos dos estados de
energia possveis para os
eltrons de valncia para
aquelas bandas
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Introduo aos Semicondutores


Nveis de Energia

Condutor

Isolante
Semicondutor

A energia associada a cada eltron medida em eltron-volts (eV)


1 eV = 1,610-19 J (W = QV)

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Introduo aos Semicondutores


Nveis de Energia
O calor (energia trmica GAP
25oC = temperatura ambiente)
rompe algumas ligaes
covalentes gerando portadores
livres. Os eltrons passam da
banda de valncia para a banda
de conduo (para o silcio
intrnseco 1,51010
portadores/cm3);
No espao deixado pelo eltron
surge uma lacuna;
Quanto menor Eg maior o
nmero de portadores livres
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Introduo aos Semicondutores


Nveis de Energia
O par eltron-lacuna gerado
pela energia trmica recebe o
nome de gerao trmica de
pares eltron-lacuna;
O reestabelecimento da ligao
covalente (eltron encontra a
lacuna) recebe o nome de
recombinao e o eltron deve
perder energia (calor ou luz);
Para uma temperatura
ambiente constate a gerao
trmica de pares eltronslacunas e recombinao tem-se
uma situao de equilbrio.

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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
As caractersticas dos materiais semicondutores podem ser
consideravelmente alteradas pela adio de determinados tomos de
impurezas no material semicondutor relativamente puro;
Dopagem a insero de impurezas no material de forma controlada;
Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem chamado
de MATERIAL EXTRNSECO;
H dois materiais extrnsecos imprescindveis para a fabricao de um
dispositivo semicondutor:
material do tipo N;
material do tipo P.

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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
MATERIAL TIPO N

O material do tipo n criado com a


introduo dos elementos de
impureza que tem cinco eltrons
de valncia (pentavalente) como
antimnio, arsnio e fsforo;
As impurezas difundidas com
cinco eltrons de valncia so
chamados de tomos doadores;
As ligaes covalentes ainda esto
presentes e o quinto eltron est
relativamente livre para se mover.
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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
MATERIAL TIPO N

Banda de Conduo
0,05 [eV]
1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Doadores

Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna


Banda de Valncia

O aumento da concentrao de eltrons


na banda de conduo aumenta a
condutividade do material

A dopagem acrescenta um nvel


discreto de energia (chamado nvel
doador) na banda proibida com um
Eg bem menor do que o material
intrnseco.
Eltrons livres devido impureza
adicionada se estabelecem nesse
nvel de energia e tm menos
dificuldade para absorver uma
quantidade suficiente de energia
trmica para mover-se em direo a
banda de conduo temperatura
ambiente.
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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
MATERIAL TIPO N
A maioria dos eltrons na banda de
conduo surgiu como consequncia da
dopagem. As lacunas na banda de
valncia foram produzidas pelo
processo de gerao trmica.
Banda de Conduo
0,05 [eV]
1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Doadores

Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna


Banda de Valncia

Os eltrons esto em maioria e so


ditos portadores majoritrios.
As lacunas esto em minoria e so
chamadas de portadores
minoritrios.

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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
MATERIAL TIPO P

O material do tipo p criado com a


introduo dos elementos de
impureza que tem trs eltrons de
valncia como boro, glio e ndio;
As impurezas difundidas com
trs eltrons de valncia so
chamados de tomos
aceitadores;
H um nmero insuficiente de
eltrons para completar as ligaes
covalentes. A lacuna resultante
aceitar rapidamente um eltron
livre.
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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
MATERIAL TIPO P
Banda de Conduo
Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna

1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Aceitadores


0,05 [eV]

A dopagem acrescenta um nvel


discreto de energia (chamado nvel
aceitador) na banda proibida com
um Eg bem menor do que o material
intrnseco.

Banda de Valncia

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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
MATERIAL TIPO P
A maioria das lacunas na banda de
valncia surgiu como consequncia da
dopagem. Os eltrons na banda de
conduo foram produzidas pelo
processo de gerao trmica.
Banda de Conduo

Os eltrons esto em minoria e so


ditos portadores minoritrios.

Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna

1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Aceitadores


0,05 [eV]
Banda de Valncia

As lacunas esto em maioria e so


chamadas de portadores
majoritrios.
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Introduo aos Semicondutores


Um semicondutor dopado possui 10 bilhes de tomos de silcio
e 15 milhes de tomos pentavalentes. Se a temperatura
ambiente for de 25oC, quantos eltrons livres e lacunas existem
dentro do semicondutor?
Cada tomo pentavalente contribui com um eltron livre.
Portanto, o semicondutor tem 15 milhes de eltrons livres
produzidos pela dopagem.
No devem existir muitas lacunas em relao aos
eltrons livres (h somente aquelas produzidas pela energia
trmica).

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Introduo aos Semicondutores


Em um semicondutor intrnseco, a densidade de eltrons, n,
igual densidade de lacunas, p.
Em um material dopado
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n p ni

n e p representam, respectivamente, as densidades de


eltrons e de lacunas no semicondutor extrnseco.
A quantidade ni, representa as densidades no semicondutor
intrnseco e, portanto, independe do grau de dopagem.
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Introduo aos Semicondutores


Uma amostra de silcio cristalino dopada, de modo uniforme,
com tomos de fsforo (pentavalente). A densidade de dopagem
1016 tomos/cm3. Determine as densidades de eltrons e de
lacunas nesse material temperatura ambiente. Considere ni =
1,081010 eltrons/cm3.
n = 1016 eltrons/cm3

p = 1,17104 lacunas/cm3
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Introduo aos Semicondutores


Materiais Extrnsecos do tipo N e P
Fluxo de eltrons e lacunas
O movimento da lacuna
no sentido contrrio ao do
eltron. Sendo assim, ela
pode ser modelada como
um portador de carga
positiva.

Movimento da Lacuna
Movimento do Eltron

A mobilidade dos eltrons livres na banda de


conduo de 2 a 3 vezes maior

A banda de valncia est


mais saturada (cheia)
que a banda de conduo.
Desse modo a mobilidade
das lacunas inferior
mobilidade dos eltrons.
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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Deriva
Na presena de uma diferena de potencial (campo eltrico) existe a acelerao
dos portadores de carga no material forando alguns a flurem de um lado ao
outro. O movimento de portadores de carga devido a um campo eltrico
chamado deriva (drift).
A acelerao devida ao campo e a
coliso com o cristal tm aes
opostas, o que resulta em uma
velocidade constante para os
portadores

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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Deriva

a mobilidade - cm2/(Vs)
Para o Silcio:
n = 1350 cm2/(Vs) (mobilidade dos eltrons)
p = 480 cm2/(Vs) (mobilidade das lacunas)

v E

Eltrons se movem em direo


oposta ao campo eltrico

v E
E
v
e

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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Deriva

Tenso V1 aplicada a uma barra de


semicondutor uniforme , cuja densidade
de eltrons livres n [tomos/m3]
A carga total transportada na seo W/h
ser:
-Whnq (onde q = 1,610-19 C) [C/m]

A distncia x ser percorrida com uma


velocidade v em t (t1 t) segundos

x v t
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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Deriva

A variao total de carga atravs da


distncia x ser:
Q = -Whnqvt [C]

Q W h n q v t
i

t
t

i W h n q v

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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Deriva

i W h n q v
v n E

Jn denota a densidade de corrente, ou seja, a corrente


que flui por uma seo reta de rea unitria.

J n n E n q [ A / cm 2 ]

A corrente (densidade de corrente)


igual velocidade da carga multiplicada
pela densidade da carga

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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Deriva

J tot n E n q p E p q

J tot q n n p p E

Esta equao fornece a corrente de deriva em resposta a um campo


eltrico E em um semicondutor com densidades uniformes de eltrons
e de lacunas

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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Difuso

Quando portadores de carga so injetados em um


semicondutor (criar uma densidade no uniforme)
ocorre um fluxo de cargas da regio de maior
concentrao para a regio de menor concentrao
Mesmo na ausncia de um campo eltrico, os
portadores se movem em direo s regies de baixa
concentrao (transportam uma corrente eltrica
enquanto a no uniformidade mantida).

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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Difuso

Quanto mais no uniforme for a concentrao de


portadores, maior ser a corrente

dn
i
dx

n denota a concentrao de portadores em um dado


ponto ao longo do eixo x.
dn/dx o gradiente da concentrao em relao a x.
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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Difuso

Para cada portador de carga q em um


semicondutor com seo reta de rea A

dn
i A q
dx
dn
i A q Dn
dx

Dn um fator de proporcionalidade chamado


constante de difuso e expresso em cm2/s
Para o silcio intrnseco
Dn = 34 cm2/s (eltrons)
Dp = 12 cm2/s (lacunas)

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Introduo aos Semicondutores


Transporte de Portadores
Difuso

i A q Dn

dn
dx

dn
J n q Dn dx
dp
J p q D p dx

J tot q

Dn

dn
dp
Dp
dx
dx
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Transporte de Portadores
Relao de
Einstein
A mobilidade de um portador, n (ou p), se relaciona com a constante de
difuso, Dn (ou Dp), da seguinte forma:

D k T

q
kT/q 26 mV em T = 300 K
k Constante de Boltzmann
q Carga do eltron

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Introduo aos Semicondutores


Exemplo de Processo de fabricao de um
a lmina de Silcio
Gerao de pares Eltrons-Lacunas e mob
ilidade

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