IMPERFEIES

CRISTALINAS
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
-Defeitos de interface (gro e maclas)
-Defeitos volumtricos (incluses, precipitados)

O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade:
na posio dos tomos
no tipo de tomos
O tipo e o nmero de defeitos dependem do
material, do meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o cristal
processado.

 Apenas uma pequena frao dos stios

atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Mesmo sendo poucos eles influenciam
muito nas propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIADEFEITOS

INTRODUO
SELETIVA

CONTROLE
DO NMERO

ARRANJO

Permite desenhar e criar novos materiais

com a combinao desejada de propriedades

Exemplos de efeitos da presena

de imperfeies
o O processo de dopagem em semicondutores visa criar
imperfeies para mudar o tipo de condutividade em
determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que geram um aumento na
resistncia mecnica (processo conhecido como
encruamento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias)
apresentam resistncia maior que 70GPa, enquanto o
ferro comum rompe-se a aproximadamente 270MPa.

IMPERFEIES ESTRUTURAIS

So classificadas de acordo com sua

geometria ou dimenses

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas
Defeitos lineares: uma dimenso
Defeitos planos ou interfaciais: (fronteiras) duas
dimenses
Defeitos volumtricos: trs dimenses

1- DEFEITOS PONTUAIS

Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Ocorrem em slidos inicos
Frenkel

VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
cristal ou como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais)

VACNCIAS OU VAZIOS
O nmero de vacncias aumenta exponencialmente
com a temperatura

Nv= N exp (-Qv/KT)

Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de vacncias
K= constante de Boltzman

INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio cristal)
Produz uma distoro no reticulado,
j que o tomo geralmente maior
que o espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na criao de
uma vacncia, por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia

INTERSTICIAIS

tomo intersticial grande

tomo intersticial pequeno

Gera maior distoro na rede

FRENKEL
Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio

SCHOTTKY
Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction

IMPUREZAS NOS SLIDOS

Um metal considerado puro sempre
tem impurezas (tomos estranhos)
presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3
A presena de impurezas promove a
formao de defeitos pontuais

LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos
de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- etc.

A ADIO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
Solues slidas
< limite de solubilidade
Segunda fase > limite de solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza

Nomenclatura
Elemento de liga ou impureza:
soluto (< quantidade)
Matriz ou hospedeiro:
solvente (>quantidade)

SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses
eletrnicas semelhantes

SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas
podem ser:
- Intersticial
- Substitucional

Ordenada
Desordenada

SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios

EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C

solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 oC (Fe CFC)

O C tem raio atmico bastante pequeno

se comparado com o Fe
rC= 0,071 nm= 0,71 A
rFe= 0,124 nm= 1,24 A

TIPOS DE SOLUES SLIDAS

SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA

SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA

FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE

SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico
deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina
mesma
Eletronegatividade
prximas
Valncia
mesma ou maior que a
do
hospedeiro

EXEMPLO DE SOLUO SLIDA

SUBSTITUCIONAL
Cu + Ni

so solveis em todas as
propores
Cu

Ni

Raio atmico

0,128nm=1,28 A

0,125 nm=1,25A

Estrutura

CFC

CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1(asvezes+2)

+2

2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Uma discordncia um defeito linear ou
unidimensional em torno do qual alguns
tomos esto desalinhados.

2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:
- Aresta
- Espiral
- Mista

2.1- DISCORDNCIA EM
ARESTA
Envolve um SEMIplano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia

DISCORDNCIAS EM
ARESTA

VETOR DE BURGER
D a magnitude e a direo de
distoro da rede
Corresponde distncia de
deslocamento dos tomos ao redor
da discordncia

DISCORDNCIAS EM
ARESTA

2.2- DISCORDNCIA EM
ESPIRAL

2.2- DISCORDNCIA EM
ESPIRAL

2.2- DISCORDNCIA MISTA

2.2- DISCORDNCIA MISTA

OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS
Diretamente: Transmission Electron
Microscope (TEM) ou HRTEM (High
Resolution)
Indiretamente: Microscopia Eletrnica
de Varredura (MEV) e microscopia
ptica (aps ataque qumico seletivo)

DISCORDNCIAS NO TEM

DISCORDNCIAS NO
HRTEM

DISCORDNCIAS NO
HRTEM

CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem
ser controlados pelo grau de deformao (conformao
mecnica) e/ou por tratamentos trmicos.
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas.
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno
das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas.

3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Envolvem fronteiras (defeitos em duas
dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas

3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento

3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal

3.2- CONTORNO DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou

mais cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica
orientao, caracterizada pela clula unitria

Monocristal e Policristal
Monocristal:Materialcomapenasumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmapenasumgro

Policristal:Materialcommaisdeumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmvriosgros

LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO

GRO
A forma do gro controlada:
controlada
- pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado
- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao

FORMAO DOS GROS

OBSERVAO DOS GROS

E CONTORNOS DE GRO
Por microscopia (PTICA OU ELETRNICA)
utiliza ataque qumico especfico para
cada material
O contorno geralmente mais reativo

GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO

TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos
materiais
Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se
cartas padres

ASTM
ou
ABNT

DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)
Tamanho: 1-10
Aumento: 100 X

Quanto maior o nmero menor o

tamanho de gro da amostra

N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada
quadrada
n= tamanho de gro

Existem vrios softwares comerciais

de simulao e determinao do
tamanho de gro

CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura

Em geral, por questes termodinmicas

(energia) os gros maiores crescem em
detrimento dos menores

3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so
imagens especulares
dos tomos do outro
lado do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina

ORIGENS DOS TWINS

MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
O seu aparecimento
est geralmente
associado com A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas

4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS

So introduzidas no
processamento do material e/ou
na fabricao do componente

4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses
- Precipitados

Impurezas estranhas

so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz

- Fases

forma-se devido presena de

impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite
de solubilidade ultrapassado)

- Porosidade
formao de gases

origina-se devido a presena ou

Incluses

INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM

COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)

Incluses

SULFETO DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.

Porosidade

As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu

processamento por metalurgia do p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha
diminudo a quantidade de poros bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma
porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE
DUPLO EFEITO, A 550 MPa

COMPACTADO DE P DE FERRO
APS SINTERIZAO
A 1150oC, POR 120min EM
ATMOSFERA DE HIDROGNIO

EXEMPLO DE PARTCULAS
DE SEGUNDA FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.

CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE DUAS
FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).

microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases

precipitadas

Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso