La memoria

principal (RAM)

La memoria principal (RAM)

RAM es el acrnimo ingls de Random Access Memory
(memoria de acceso aleatorio). Se trata de una
memoria de semiconductor en la que se puede tanto
leer como escribir informacin. Es una memoria voltil,
es decir, pierde su contenido al desconectar la energa
elctrica. Se utiliza normalmente como memoria
temporal para almacenar resultados intermedios y
datos similares no permanentes.
Fsicamente, estn constituidas por un conjunto de
chips o mdulos de chips normalmente conectados a la
tarjeta madre.

Las RAM se dividen en estticas y

dinmicas.

RAM Esttica: Una memoria RAM esttica mantiene su

contenido inalterado mientras est alimentada, contiene
flips-flops internos que almacenan informacin binaria.
RAM Dinmica: Es conjunto de pequeos condensadores
que pueden estar cargados o descargados. Debe refrescarse
cada pocos milisegundos para impedir la prdida de
informacin. Tienen mayor capacidad que las estticas.
Segn los tipos de conectores que lleven los mdulos, se
clasifican en:
Mdulos SIMM (Single In-line Memory Module), con 30 o 72 contactos
Mdulos DIMM (Dual In-line Memory Module), con 168 contactos
Mdulos RIMM (RAMBUS In-line Memory Module) con 184 contactos.

Caractersticas
Localizacin: Interna (se encuentra en la placa base)
Capacidad: Hoy en da no es raro encontrar ordenadores PC
equipados con 64, 128 256 Mb de memoria RAM.
Mtodo de acceso: La RAM es una memoria de acceso
aleatorio. Esto significa que una palabra o byte se puede
encontrar de forma directa, sin tener en cuenta los bytes
almacenados antes o despus de dicha palabra (al contrario que
las memorias en cinta, que requieren de un acceso secuencial).
Adems, la RAM permite el acceso para lectura y escritura de
informacin.
Velocidad de acceso: Actualmente se pueden encontrar
sistemas de memoria RAM capaces de realizar transferencias a
frecuencias del orden de los Gbps (gigabits por segundo).

Tipos de RAM
FPM RAM (Fast Page Mode RAM): A veces llamada DRAM (o
slo "RAM"), puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa
desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Se basa en
que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a
estar en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo
en ese caso.
EDO-RAM (Extended Data Output RAM): Fue lanzada en 1995.
Sus tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponan una mejora sobre
su antecesora la FPM. Con una velocidad mxima de 66 Mhz, la
EDO tambin es capaz de enviar direcciones contiguas pero
consigue adems eliminar estados de espera, manteniendo activo
el bffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura.

 BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM):

Fue la evolucin de la EDO RAM y competidora de la
SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de
memoria acceda a ms de una posicin de memoria en
cada ciclo de reloj, de manera que lograba un
desempeo un 50% mejor que la EDO, pero nunca sali
al mercado.
RIMM: RIMM, acrnimo de Rambus Inline Memory
Module (Mdulo de Memoria en Lnea Rambus), designa
a los mdulos de memoria RAM que utilizan una
tecnologa denominada RDRAM, desarrollada por
Rambus Inc. a mediados de los aos 1990 con el fin de
introducir un mdulo de memoria con niveles de
rendimiento muy superiores a los mdulos de memoria

 DRAM: Las memorias DRAM (Dynamic RAM) fueron las

utilizadas en los primeros mdulos (tanto en los SIMM
como en los primeros DIMM). Es un tipo de memoria
ms barata que la SDRAM, pero tambin bastante ms
lenta, por lo que con el paso del tiempo ha dejado de
utilizarse. Usada hasta la poca del 386, su velocidad
tpica es de 80 o 70 nanosegundos (ns), tiempo ste
que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la
siguiente serie de datos.
SDRAM: Las memorias SDRAM (Synchronous Dynamic
RAM) son las utilizadas actualmente. Son un tipo de
memorias sncronas, es decir, que van a la misma
velocidad del sistema, con unos tiempos de acceso que
en los tipos ms recientes de DDR3 son inferiores a los

 SRAM: Memoria Esttica de Acceso Aleatorio, o Static

Random Access Memory. Es un tipo de memoria basada
en semiconductores que, a diferencia de la memoria
DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est
alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.
PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz
de funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2,
Pentium II a 350 MHz y computadores ms modernos;
tericamente se trata de unas especificaciones mnimas
que se deben cumplir para funcionar correctamente a
dicha velocidad, aunque no todas las memorias
vendidas como "de 100 MHz" las cumplen.
PC133: o SDRAM de 133 MHz. La ms moderna (y