Universidad de Oviedo

Leccin 4

EL DIODO DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin
5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

Ideas generales sobre diodos de unin PN

Ecuacin caracterstica del diodo:
donde:

VT = kT/q

V
VT

i = IS(e -1)

IS = Aqni2(Dp/(NDLp)+Dn/(NALn))

Operacin con polarizacin directa con VO > V >> VT, siendo VO la

tensin interna de equilibrio de la unin:

DIODOS DE POTENCIA

i ISe

V
VT

(dependencia exponencial)

Operacin con polarizacin directa con V > VO >> VT:

i (V-V)/rd

donde V es la tensin de codo del diodo y rd su

resistencia dinmica

Polarizacin inversa con V << -VT

i -IS

(corriente inversa de saturacin que es muy pequea

y casi independiente de la tensin)

Ideas generales sobre diodos de unin PN

Curva caracterstica

+
V

(recta)
1

pendiente = 1/rd

i [mA]

(exponencial)

P
N

DIODOS DE POTENCIA

-1

i [A]
-1

-0,8
(constante)

V [V]

V [V]

Ideas generales sobre diodos de unin PN

Avalancha primaria

--

+ +
+

DIODOS DE POTENCIA

+- - +

+ V -

La corriente aumenta fuertemente si

se producen pares electrn-hueco
adicionales por choque con la red
cristalina de electrones y huecos
suficientemente acelerados por el
campo elctrico de la zona de
transicin

i [A]
V [Volt.]

-40

-2

Concepto de diodo ideal

En polarizacin directa, la cada

de tensin es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida

DIODOS DE POTENCIA

nodo

+
V

Ctodo

curva caracterstica

V
En polarizacin inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensin inversa aplicada

El diodo semiconductor encapsulado

nodo

DIODOS DE POTENCIA

nodo

Terminal

Encapsulado
(cristal o resina
sinttica)

Contacto metalsemiconductor

P
N

Ctodo

Marca
sealando el
ctodo

Oblea de
semiconductor
Contacto metalsemiconductor

Ctodo

Terminal

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Axiales

DO 35

DO 41

DO 15

DO 201

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Para usar radiadores

Encapsulados de diodos
Para grandes potencias

DIODOS DE POTENCIA

DO 5

B 44

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Agrupaciones de 2 diodos

2 diodos en ctodo comn

2 diodos en serie

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

Nombre del dispositivo

Encapsulados de diodos
Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados
para el mismo dispositivo

DIODOS DE POTENCIA

Nombre del
dispositivo

Encapsulados

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

Dual in line

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

Encapsulados de diodos

DIODOS DE POTENCIA

Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos

Dan origen a mdulos de potencia
- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia
- Minimizan las inductancias parsitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc

DIODOS DE POTENCIA

- Se pueden pedir a medida

Electrnica militar
Control de Motores

Circuito equivalente esttico

Curva caracterstica
real

DIODOS DE POTENCIA

Curva
caracterstica ideal

Curva caracterstica
asinttica.
Pendiente = 1/rd

V
0
V
ideal
Circuito equivalente asinttico
Modelo asinttico

rd
V

Caractersticas fundamentales de cualquier diodo

1 -Mxima tensin inversa soportada
2 -Mxima corriente directa conducida
3 -Cada de tensin en conduccin
4 -Corriente de inversa en bloqueo
5 -Velocidad de conmutacin

DIODOS DE POTENCIA

1 Mxima tensin inversa soportada

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente polarizada
Baja tensin

Ejemplo de
clasificacin

Media tensin

Alta tensin

15 V

100 V

500 V

30 V

150 V

600 V

45 V

200 V

800 V

55 V

400 V

1000 V

60 V
80 V

1200 V

1 Mxima tensin inversa soportada

El fabricante suministra (a veces) dos valores:
- Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM

DIODOS DE POTENCIA

- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM

La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente

2 Mxima corriente directa conducida

El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaz mxima IF(RMS)
- Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM

DIODOS DE POTENCIA

- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM

Depende de la cpsula

3 Cada de tensin en conduccin

La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la
corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente

ideal

rd

DIODOS DE POTENCIA

V
i
ID

5A

V
VD

3 Cada de tensin en conduccin

DIODOS DE POTENCIA

La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin

soportable por el diodo

3 Cada de tensin en conduccin

Se obtiene directamente de las curvas tensin corriente

DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

1,25V @ 25A

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V
En escala lineal no son muy tiles
Frecuentemente se representan en
escala logartmica
2,2V @ 25A

3 Cada de tensin en conduccin

Curva caracterstica en escala logartmica

DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 25A,
VRRM = 200V

0,84V @ 20A

IF(AV) = 22A,
VRRM = 600V

1,6V @ 20A

3 Cada de tensin en conduccin

DIODOS DE POTENCIA

Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conduccin
para VRRM < 200 (en silicio)

0,5V @ 10A

3 Cada de tensin en conduccin

DIODOS DE POTENCIA

Schottky de VRRM relativamente alta

0,69V @ 10A

La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN

3 Cada de tensin en conduccin

Schottky

DIODOS DE POTENCIA

Schottky
Similares valores
de VRRM y similares
cadas de tensin
en conduccin
PN

4 Corriente de inversa en bloqueo

DIODOS DE POTENCIA

Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco) y

de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

4 Corriente de inversa en bloqueo

Dos ejemplos de diodos Schottky

Crece con IF(AV)

Crece con Tj
Decrece con VRRM

IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

5 Velocidad de conmutacin
Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2
i

V1/R

V
-V2

i
+
V
t
t

Transicin de a a b,
es decir, de conduccin
a bloqueo (apagado)

5 Velocidad de conmutacin
Comportamiento real de un diodo en conmutacin

Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo (apagado)

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2

i
+

V1/R

trr

V
-

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )

ts
-V2/R

tf = tiempo de cada (fall time )

trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time )

-V2

t
tf (i= -0,1V2/R)

5 Velocidad de conmutacin
Comportamiento real de un diodo en conmutacin

Transicin de b a a, es decir, de bloqueo conduccin (encendido)

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2

i
+

0,9V1/R

V
-

0,1V1/R

td

tr

tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )
El tiempo de recuperacin directa genera menos
problemas reales que el de recuperacin inversa

5 Velocidad de conmutacin
Informacin suministrada
por los fabricantes

DIODOS DE POTENCIA

Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

5 Velocidad de conmutacin

DIODOS DE POTENCIA

STTA506D

Ms informacin suministrada por

los fabricantes

5 Velocidad de conmutacin
La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a
clasificar los diodos

DIODOS DE POTENCIA

VRRM

IF

trr

Standard

100 V - 600 V

1 A 50 A

> 1 s

Fast

100 V - 1000 V

1 A 50 A

100 ns 500 ns

Ultra Fast

200 V - 800 V

1 A 50 A

20 ns 100 ns

Schottky

15 V - 150 V

1 A 150 A

< 2 ns

Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto,

tambin de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)
www.irf.com
Direcciones web

www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com

Prdidas en diodos
Son de dos tipos:
- Estticas en conduccin (en bloqueo son despreciables)
- Dinmicas
Prdidas estticas en un diodo

iD

DIODOS DE POTENCIA

iD

Forma de onda frecuente

ideal

rd
V

Potencia instantnea perdida en conduccin:

pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (V + rd iD(t)) iD(t)
Potencia media en un periodo:
T

PDcond

1
p Dcond (t )dt
T

PDcond = VIM + rd Ief2

IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)

Prdidas dinmicas (prdidas de conmutacin) en un diodo

Las conmutaciones no son perfectas
Hay instantes en los que conviven tensin y corriente
La mayor parte de las prdidas se producen en la salida de conduccin
10 A

iD

trr
DIODOS DE POTENCIA

t
3A
0,8 V

Potencia instantnea perdida

en la salida de conduccin:

VD
t

pDsc (t) = vD (t)iD (t) =

Potencia media en un periodo:
trr

PD
-200 V

1
p Dsc ( t )dt
T

Informacin de los fabricantes sobre prdidas

DIODOS DE POTENCIA

Estticas

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

Informacin de los fabricantes sobre prdidas

DIODOS DE POTENCIA

Dinmicas

(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)

Informacin de los fabricantes sobre prdidas

DIODOS DE POTENCIA

Dinmicas

(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)

Caractersticas Trmicas
Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado
El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150C
Magnitudes trmicas:
- Resistencias trmicas, RTH en C/W
- Increm. de temperaturas, T en C
- Potencia perdida, P en W

DIODOS DE POTENCIA

Si
P
(W)

RTHca

RTHjc

Ley de Ohm trmica: T=PRTH

Ambiente

Magnitudes elctricas:
- Resistencias elctricas, R en
- Difer. de tensiones, V en voltios

Unin
(oblea)

c
Encapsulado

- Corriente, I en A
Equivalente
elctrico

RTH R
T V
P I

Caractersticas Trmicas
Equivalente
elctrico

RTHjc TC

TJ

Si

DIODOS DE POTENCIA

P
(W)

RTHca

RTHjc

RTH R
T V
P I

RTHca

a
Ta

c
P

Ambiente

Unin

0 K

c
Encapsulado
Por tanto:

T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)

Y tambin:

Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca

Caractersticas Trmicas
La resistencia trmica unin-cpsula es baja ( 0,5-5 C/W)
La resistencia trmica cpsula-ambiente es alta ( 30-100 C/W)

DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cpsula
RTHca [C/W]

TO 3

TO 5

TO 66

TO 220

TOP 3

30

105

45

60

40

Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la

resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente.
Para ello se coloca un radiador en la cpsula.

Caractersticas Trmicas

RTHrad
RTHjc

j
TJ

c
TC

Ta

RTHca
P

RTHrad

DIODOS DE POTENCIA

P
(W)

Si R
THjc

RTHca

0 K

Ambiente

Unin

c
Encapsulado
Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]