SLIDOS

SLIDOS
INTRODUCCIN
Estado de la materia que se caracteriza, a
diferencia de los lquidos y gases por tener una
dureza.
Cuando un lquido se enfra, las molculas se
mueven ms lentamente hasta que alcanzan un
punto donde ya no hay movimiento y las
molculas se agrupan en disposicin definida.
En este punto el lquido pasa a slido.

PROPIEDADES GENERALES
-Volumen y forma independiente
del recipiente que lo contiene.
-Son rgidos.
-Se difunden con lentitud.
-Prcticamente incomprensibles.
-Altas densidades.
-Altos puntos de fusin y
ebullicin.
-La
mayora
cristaliza,
presentando formas
geomtricas definidas.

CLASIFICACIN
SLIDO CRISTALINO
Presenta un ordenamiento
geomtrico regular. Sus
propiedades son funcin de
la direccin.
Se llaman sustancias
anisotrpicas porque sus
propiedades varan con la
direccin.
Presentan puntos de fusin
definidos.Ejemplo:
hielo,
NaCl.

SLIDO AMORFO
No presenta un
ordenamiento
geomtrico
regular. Se le considera
como un estado intermedio
entre los lquidos y cristales.
Sus propiedades no son
funcin de la direccin.
Se llaman sustancias
istropas
porque
sus
propiedades fsicas son las
mismas
en
todas
las
direcciones.
No presentan puntos de
fusin definidos. Ejemplo:
goma, algunos plsticos y el
vidrio.

Ejemplos: Formas de la Slice

a) SiO2 cristalino
Cuarzo

b) SiO2 amorfo
Vidrio

SLIDOS CRISTALINOS
-ESTRUCTURA CRISTALINA
Localizacin completa de todas las partculas del
cristal en el espacio.
-RED CRISTALINA
Patrn tridimensional repetitivo o peridico de
partculas que forman el cristal. Se podra decir
que es un arreglo tridimensional de celdas
unitarias.

Celda
unidad

Translaci
n
eje Y

Translaci
n
eje X

Translaci
n
eje Z

-CELDA UNITARIA O ELEMENTAL

Parte ms pequea que permite reproducir toda
la red por traslacin.
El tamao y la forma de la celda unitaria estn
representados por las distancias a, b y c y por
los tres ngulos entre pares de lados que se
designan por , y .

-PARMETRO DE RED (CONSTANTE

RETICULAR)
Son las longitudes de los lados de las celdas
unitarias.

CS

CBC
(CCuC)

CFC
(CCaC)

SISTEMAS CRISTALINOS
Existen siete clases de celdas unitarias que se
denominan sistemas cristalinos.
REDES CRISTALINAS
Puede haber 14 modos de ordenar la partcula
en el espacio que se llaman las 14 redes de
Bravais.

SISTEMA
CRISTALINO

EJES

NGULOS
EJES

Cbico

a=b=c

= = = 90

Tetragonal

a=bc

= = = 90

Ortorrmbico

abca

= = = 90

Hexagonal

a=bc

= = 90; = 120

Trigonal
Rombodrica)

(o a = b = c

ENTRE

= = 90

Monoclnico

abca

= = 90; 90

Triclnico

abca

(Todos
distintos de 90)

NMERO DE TOMOS EN UNA CELDA

UNITARIA
UBICACIN DEL CONTRIBUYE A LA
TOMO
CELDA UNITARIA
Vrtice o esquina

1/8 de tomo

Arista

1/4 de tomo

Centro de la cara

1/2 de tomo

Centro de la celda

1 tomo

NMERO DE COORDINACIN
Es el nmero de partculas que estn en
contacto con una determinada partcula en el
cristal.

CS

CFC

NC = 6

CBC

NC =
12

NC = 8

HCP

NC =
12

FACTOR DE ACOMODAMIENTO (F.A.)

Fraccin de espacio ocupado por los tomos en
la celda.
VOLUMEN .DE.LAS .ESFERAS .DENTRO.DE.LA.CELDA
F . A.
VOLUMEN .DE.LA.CELDA

% Volumen ocupado = Eficiencia de

empaquetamiento
= F.A. x 100
% Espacio libre = (1- F.A.) x 100

DENSIDAD
A partir de las caractersticas de la red, puede
obtenerse la densidad terica mediante la
siguiente expresin:

m N 0 tomos.x.masa.atmica

V
VCELDA .x.N A

ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMUNES

Son los empaquetamientos compactos.
EMPAQUETAMI
ENTO

N DE PARTCULAS
POR CELDA
UNITARIA

PARMET NMERO
F.A.
RO DE
DE
RED
COORDINA
CIN

CBICO
SIMPLE

1 x 8 =1
8

a= 2 r

0,52

CBICO DE
CARA
CENTRADA

1x8+1x6=4
8
2

a = 2 2 r

12

0,74

CBICO DE
CUERPO
CENTRADO

1x8+1=2
8

a = 43 r
3

0,68

HEXAGONAL
COMPACTO

1 x 12 + 1 x 2 + 3 = 6 a = 2 r
6
2
c2 = 8
a2 3

12

0,74

CBICA SIMPLE (CS)

Ejemplo: -Po, Hg

r
a

F.A.=

CBICA DE CARA CENTRADA (CFC)

Ejemplos: NaCl, Cu, Au, Al, Ag

Cbica centrada en las caras (F.C.C.):

N de coordinacin:12
tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 6caras*1/2=4
Relacin entre la longitud de arista y el
4r

radio del tomo: (4r)2=a2+a2

Eficacia del empaquetamiento: 74%

F.A.=

Vocupado
Vcelda

4 4 3 r 3
a

4 3 r 3

4r

21/ 2

0.74

CBICA DE CUERPO CENTRADO(CBC)

Ejemplos: Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba

Cbica centrada en el cuerpo

N de coordinacin:8

Cbica
centrada
en el=2cuerpo
tomos por celda:
8 aristas*1/8
+ 1centro
Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo:
N de coordinacin:8

3a
r tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 1centro =2
4
Relacin entre la longitud de arista y el radio del t

Eficacia del empaquetamiento: 68%

3a
r

Vocupado 42 4 3 r 3 2 4 3 r 3
3
F.A.=

0.68
3
3
4
r
Vcelda
8
a empaquetamiento:
(
)
Eficacia del
68%
a
3
Vocupado 2 4 3 r 3 2 4 3 r 3
2
2
2
3
b =a +a

0
3
3
2
2
2
2
Cbicac centrada
el cuerpo (BCC): Fe, Cr,VMo,
W, Ta, Ba. a
8
( 4r )
=a +b en
=3a
celda
3
c= 4r =(3a2)1/2
Cbica centrada en el cuerpo (BCC): Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba.

HEXAGONAL COMPACTA (HC)

Ejemplos: Be, Mg, Zn, Cd, Ti

POLIMORFISMO
Fenmeno por el cual las sustancias pueden
cristalizar en ms de una forma geomtrica,
dependiendo de la temperatura y la presin.
Ejemplo: Al2O3 como alumina- y alumina-.
Alotropa: polimorfismo en elementos puros.
Ejemplo: el diamante, el buckminsterfullereno y el
grafito son constitudos por atmos de carbono
organizados en diferentes estructuras cristalinas.

Los polimorfos se representan como , , , ... en el

orden de temperatura creciente.
Ejemplo: Para el Fierro
-Fe (600C)
cubica centrada
en el cuerpo

-Fe(1100C)
cubica centrada
en las caras

ISOMORFISMO
Fenmeno por el cual las sustancias pueden
cristalizar en la misma forma geomtrica.
El CaCO3 y MgCO3 ambos cristalizan en
empaquetamiento hexagonal.

CaCO3 (CALCITA)

MgCO3 (MAGNESITA)

DIFRACCIN DE RAYOS X POR CRISTALES

Guillermo Bragg y su hijo Laurencio (fsicos
ingleses), indicaron que se podra considerar
que los rayos x son reflejados por los distintos
planos que forman el cristal.
Para comprender cmo se genera un patrn de
difraccin, considrese la dispersin de rayos X
producida por tomos en dos planos paralelos.

La diferencia del camino de los rayos x para

los dos planos ser igual a:
xy + yz = 2xy = 2d Sen

As resulta que la ecuacin de BRAGG,

formulada en 1913, es la siguiente:
n = 2d Sen
Si

n=1
n=2
.
.
.

reflexin de primer orden

reflexin de segundo orden

DISPOSITIVO PARA OBTENER UN PATRN

DE DIFRACCIN DE RAYOS X DE UN CRISTAL

Pantalla
Cristal

Haz de
rayos X

Tubo de
rayos X

Placa fotogrfica

TIPOS DE SLIDOS CRISTALINOS

TIPO DE
CRISTAL

INICO

UNIDADES EN LOS
PUNTOS RETICULARES

Iones
positivos
negativos

FUERZA (S) QUE

MANTIENEN LAS
UNIDADES JUNTAS

Atraccin electrosttica

PROPIEDADES
GENERALES

Duros,
quebradizos,
altos puntos de fusin,
malos conductores del
calor y la electricidad.

EJEMPLO

NaCl, LiF, MgO

NaCl

TIPO DE
CRISTAL

COVALENTE
O C:
MACROMOLECULARES

UNIDADES EN LOS
PUNTOS RETICULARES

tomos

FUERZA (S) QUE

MANTIENEN LAS
UNIDADES JUNTAS

Unin covalente

PROPIEDADES
GENERALES

Duros, altos
de fusin,
conductores
calor
electricidad.

EJEMPLO

C(diamante,grafito),
SiO2(cuarzo)

Grafito

Diamante

puntos
malos
del
y
la

TIPO DE
CRISTAL

MOLECULAR

UNIDADES EN LOS
PUNTOS RETICULARES

Molculas o tomos

FUERZA (S) QUE

MANTIENEN LAS
UNIDADES JUNTAS

Fuerzas de dispersin,
fuerzas dipolo- dipolo,
enlaces de hidrgeno

PROPIEDADES
GENERALES

Suaves, bajos puntos

de
fusin,
malos
conductores del calor y
de la electricidad.

EJEMPLO

Ar, CO2, I2,

H2O,
C12 H22O11 (sacarosa)

Agua H2O

TIPO DE
CRISTAL

METLICO

UNIDADES EN LOS
PUNTOS RETICULARES

tomos

FUERZA (S) QUE

MANTIENEN LAS
UNIDADES JUNTAS

Enlace metlico

PROPIEDADES
GENERALES

Suaves o duros, de
bajos o altos puntos
de fusin, buenos
conductores
del
calor y de la
electricidad.

EJEMPLO

Todos
los
elementos
metlicos por ejem.
Hg, Fe, Cu.

-Fe

ALEACIN
Debido a la naturaleza del cristal metlico, es
posible introducir otros elementos con relativa
facilidad para producir sustancias llamadas
aleaciones.
Una aleacin se define mejor como una
sustancia que contiene una mezcla de
elementos y tiene propiedades metlicas.

Las aleaciones metlicas

estn formadas por un
agregado cristalino de dos o
ms metales o de metales
con
metaloides.
Las aleaciones se obtienen
fundiendo
los
diversos
metales en un mismo crisol
y dejando luego solidificar la
solucin lquida formando
una estructura granular
cristalina
apreciable
a
simple vista o con el
microscopio ptico.

Los siguientes son ejemplos de aleaciones

empleadas en ingeniera:
Acero: aleacin de hierro y carbono.
Acero inoxidable: aleacin de hierro,
carbono, cromo y nquel.
Latn: aleacin de cobre y zinc.
Bronce: aleacin de cobre y estao.

TIPOS COMUNES DE ALEACIONES

ALEACIN DE SUSTITUCIN
Parte de los tomos
metlicos originales son
sustituidos
por
otros
tomos de tamao similar.
Ejm. Zn-Cu y Ni-Cu
Aproximadamente la
tercera parte de los
tomos del nquel son
sustituidos por tomos de
cobre (Ni-Cu).

Para que un sistema de aleacin, tenga solubilidad

slida ilimitada, deben satisfacerse ciertas
condiciones conocidas como las Reglas de HumeRothery:
El radio atmico de cada uno de los dos elementos no debe
diferir
en ms del 15%,para minimizar la deformacin de la red.
Los elementos no deben formar compuestos entre s. Es decir, no
debe haber diferencias apreciables en la electronegatividad de
cada elemento.
Los elementos deben tener la misma valencia.
La estructura cristalina de cada elemento de la disolucin slida
debe ser la misma.

Sustitucional pequeo

Sustitucional grande

ALEACIN INTERSTICIAL
Se forma cuando algunos
intersticios (huecos) entre
los tomos metlicos con
empaquetamientos
cercanos son ocupados
por tomos mucho ms
pequeos.
Ejm. El acero
Contiene tomos de
carbono en los huecos
de un cristal de hierro.

La presencia de tomos
intersticiales cambia las
propiedades
del
metal
original.
Muchos tipos de acero
contienen otros elementos
adems de hierro y carbono;
se llaman ALEACIONES DE
ACERO y se consideran
como aleaciones mixtas de
tipo intersticial (carbono) y
de
sustitucin
(otros
metales).

Fe

Estructura
granular del
acero

DEFECTOS CRISTALINOS
La cristalizacin nunca es perfecta. Como en
cualquier proceso natural se producen
imperfecciones en el crecimiento. Estas
imperfecciones reciben el nombre de defectos
cristalinos. Son las responsables de
variaciones en el color o la forma de los
cristales.

DEFECTOS DE PUNTO
Se presentan en un cristal formado por un solo tipo de
tomos o molculas.
-Vacancias: Se producen por la ausencia en la
red
de un elemento. Las vacancias, al igual que otros
defectos, pueden desplazarse libremente a lo largo de
la red.

-tomos intersticiales: Inclusin en la red de un

tomo fuera de las posiciones reticulares. Con
frecuencia este defecto se presenta unido a una
vacancia, pues la formacin de una vacante
favorece la aparicin de un tomo intersticial.

-Sustituciones: Entrada en la red de un tomo

diferente, pero de similar radio inico que el que

la compone.

-Dislocaciones: Aparicin de nuevas filas de

elementos cuando en el plano anterior no

existan.

En los slidos inicos se dan ciertos casos

especiales de estos defectos de punto.
-Defecto FRENKEL
Es una imperfeccin combinada Vacancia
Defecto intersticial. Ocurre cuando un in salta de
un punto normal dentro de la red a un sitio
intersticial dejando entonces una vacancia.

catin intersticial

vacante catinica

Se da en:

- AgCl (Ag+ intersticial)

- CaF2 (F- intersticial)

-Defecto SCHOTTKY
Es un par de vacancias en un material con
enlaces inicos. Para mantener la neutralidad,
deben perderse de la red tanto un catin como
un anin.

-Centros F de color
Un centro F es un electrn (e-) atrapado en una
vacante aninica.

e-

DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES)

-Dislocacin de arista. Hay un plano parcial
adicional de tomos.

-Dislocacin de tornillo. Parte de un conjunto

de planos de la red se ha desplazado una o
ms unidades de red en relacin con los planos
vecinas.

DEFECTOS DE PLANO
Los slidos suelen
tener
estructura
microcristalina,
la
interfaz entre dos
microcristales con
orientaciones
diferentes es un
ejemplo de defecto
de superficie o de
plano.

SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es una sustancia que se comporta
como conductor o como aislante, dependiendo de la
temperatura del ambiente en que se encuentre.
Los semiconductores son usualmente materiales
cuyos intervalos de banda de energa son menores de
2 eV.
Tienen resistividad variable, pueden variar entre 10-5 y
107 m.
Pueden ser cristalinos o amorfos.
Su composicin:
-Elementales, intrnsecos o puros (silicio, germanio).
-Compuestos, extrnsecos, o impuros.

Ejemplos:
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio
(Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y
InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y
CdTe

Tabla peridica donde se indica los elementos semiconductores y los

elementos que forman compuestos semiconductores (columnas III/V
y II/VI)

Segn las caractersticas principales de los materiales, un

clasificacin puede ser:
Conductores

Aislantes

Semiconductores

(.cm)

10-5

1010

101

n (cm-3)

1020

102

1010

Para romper uno de los enlaces covalentes hay que aplicar una
energa de 0,7 eV (Si) 1,1 eV (Ge) > Energa de ionizacin.
COBRE:

= 10-6-cm

MICA:

= 1012-cm

SILICIO:
GERMANIO:
Enlaces covalentes

= 50x103-cm
= 50 -cm

Para que la conduccin de la electricidad sea posible, es

necesario que haya electrones que no estn ligados a un
enlace determinado (banda de valencia), sino que sean
capaces de desplazarse por el cristal ( banda de conduccin).
La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin
se llama banda prohibida, porque en ella no puede haber
portadores de corriente (la diferencia de energa entre ambas
bandas es el gap de energa semiconductor, Eg).
El nmero de electrones libres de un semiconductor depende
de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y
magnticos.

El ms importante de los materiales electrnicos es el

silicio puro, al que se puede modificar para cambiar sus
caractersticas elctricas. Con estos materiales se han
podido crear, fabricar los circuitos integrados que han
revolucionado la industria electrnica y de ordenadores.
De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear
tambin el azufre. La caracterstica comn de todos
ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una
configuracin externa de 3s2 3p2.

SILICIO

Despus del oxgeno,

el silicio es el elemento
ms abundante en la
corteza terrestre en:
arena, cuarzo, granito,
arcilla, etc.

-Fabricacin de componentes
electrnicos.
- Construccin de ladrillos, vidrios
y otros materiales.
-Silicona para implantes mdicos.

El Silicio:

Ms utilizado.
Material gris quebradizo, con
estructura cbica de diamante.
Banda de energa es de 1.1 eV.
Ventaja: opera a mayores
temperaturas.
Estructura atmica: red cristalina.
Enlaces
entre
tomos:
covalentes.
Electrones de valencia: 4

El Germanio:

No muy usado.
Material gris quebradizo, con
estructura cbica de diamante.
Banda de energa es de 0.67 eV.
Opera
a
temperaturas
no
mayores de 80C.
Estructura atmica: red cristalina
Enlaces
entre
tomos:
covalentes
Electrones de valencia: 4

ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR
Los semiconductores son
elementos que tienen en
su ltimo orbital entre 2 y
6 electrones de valencia.
Los semiconductores
estn
formados
por
arreglos
ordenados
cristalinos de tomos en
los cuales los vecinos ms
cercanos estn unidos por
enlaces covalentes.

NIVELES ENERGTICOS
Mientras ms distante se encuentre el electrn del
ncleo, mayor es el estado de energa, y cualquier
electrn que haya dejado a su tomo, tiene un estado
de energa mayor que cualquier electrn en la
estructura atmica.
Energa
Banda de conduccin

Banda prohibida

Banda de valencia

1 eV = 1,6 x 10-19 J
Eg = 1,1 eV (Si)
Eg = 0,67 eV (Ge)
Eg = 1,41 eV (GaAs)

Energ
a
Banda de
conduccin

Electrones
libres para
establecer
la
conducci
n

Eg > 5 eV
Banda prohibida
Banda de
valencia

Aislante

Electrones
de valencia
unidos a la
estructura
atmica

Energ
a
Banda de
conduccin
Eg 0,5-5 eV
Banda prohibida

Energ
a

Banda de
conduccin
Banda de
valencia

Banda de
valencia

Semiconductor

Conductor

Las
bandas se
traslapan

BANDAS DE ENERGA

Son los niveles de un tomo los cuales pueden estar

influenciados por energa externa o energa interna, en
el tomo con estructura cristalina ordenada estn: la
banda de conduccin, la banda de valencia.

BANDAS
DE
SEMICONDUTOR

ENERGA

DE

UN

A simple vista sera imposible que un semiconductor

permitiera el movimiento de electrones a travs de sus
bandas de energa.
Sin embargo esta situacin solo se presentara cerca
de los 0 K (cero absoluto).

Electrones exitados
trmicamente

A temperaturas ms
altas algunos de los
electrones de la banda
de valencia rompen sus
enlaces
y saltan
espontneamente hacia
la banda de conduccin

Huecos formados
por los electrones

TIPOS DE SEMICONDUCTORES

Intrnsecos
Con propiedades semiconductoras, por su composicin natural
Extrnsecos
Son semiconductores intrnsecos, a los que se aaden impurezas (en
un proceso llamado dopado), para mejorar sus propiedades.
Tipo N
El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material (los electrones son portadores de
carga negativa).
Tipo P
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos
(los huecos son portadores de carga positiva).

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Tienen estructura cristalina. Existen el mismo nmero de
portadores positivos (huecos que quedan en la banda de valencia)
que negativos (electrones que estn en la banda de conduccin).
Es un semiconductor puro (sin impurezas, sin dopado). Su
conductividad es debida a los electrones y a los huecos.

n : concentracin electrones
p : concentracin de huecos

n = p = ni
(concentracin intrnseca)

Electrones libres y zona de

conduccin (conductor)

En equilibrio (aislante)

Ge:
ni = 21013 portadores/cm3
Si:
ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Se introducen en el material mediante un proceso de
dopado impurezas donadoras (tipo n, tomos del
grupo V) o aceptoras (tipo p, tomos del grupo III).

Aparecen las corrientes de difusin. Las partculas

tienden a dispersarse desde regiones de alta
concentracin a regiones de baja.

Ocurre cuando no es homognea la distribucin de

portadores en la pastilla semiconductora.

Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio:

TIPO P:
Portadores mayoritarios
huecos (+)

TIPO N:
Portadores mayoritarios
electrones (-)

MATERIALES MODERNOS
POLMEROS
Son materiales orgnicos, livianos, dbiles y
con un bajo punto de fusin.
Termoplsticos
- Polietileno, PVC, Nylon
- Poliestireno expandido
Termoestables
- Bakelita, epxicos, polyester,
silicona
Elastomricos
- Goma, neopreno, silicona

MATERIALES CERMICOS
Vidrio: producto
inorgnico que se ha
enfriado a una
condicin cristalina
(SiO2).
Cermicas: slidos
inorgnicos
policristalinos. (Al2O3,
SiO2, Si3N4, SiC)

CRISTALES LQUIDOS
Un cristal es precisamente lo
opuesto a un lquido. Y sin
embargo existen sustancias
reales, los cristales lquidos,
que exhiben la dualidad
slido-lquido, es decir, que,
simultneamente,
poseen
propiedades de los lquidos,
fluidez
y
viscosidad,
y
propiedades pticas que se
parecen de modo asombroso
a las de los cristales como,
por ejemplo, poder reflejar
colores
diferentes
dependiendo del ngulo bajo
el cual se les observe.

SUPERCONDUCTIVIDAD
Por superconductividad
entendemos
una
propiedad
de
determinados materiales
que por debajo de una
temperatura crtica no
ofrecen resistencia a la
corriente elctrica. En
estas condiciones son
capaces de transportar la
energa
elctrica
sin
perdidas...
o
generar
campos
magnticos
inmensos.

MATERIALES COMPUESTOS

KEVLAR

FIBRA DE
VIDRIO
FIBRA DE
CARBONO

SELECCIN DE MATERIALES
-Bsqueda de informacin: Propiedades
(dureza, ductilidad, flexibilidad, limites de
resistencia, peso, costo).
-Matriz de comparacin y seleccin: Se
asignan ponderaciones a cada propiedad segn
la aplicacin.
-Seleccin: Se selecciona el material disponible
que cumpla con el mayor nmero de
requerimientos

PROBLEMA 1: El hierro a temperatura ambiente presenta una

estructura cbica centrada en el cuerpo con un parmetro de red de
2,87 . Sabiendo que su masa atmica es 55,85 g/mol, determinar:
a) La densidad del hierro en kg/m3.
b) El radio atmico del hierro.
c) El nmero de celdas unitarias existentes en 1 g de hierro.
SOL.
a) Fe: CCuC
1 celda: 2 tomos
a = 2,8710-8 cm
n tFe.PAFe
2 55,85
g
=
=
= 7,845
NA.Vc
6,023 1023 .(2,87 10-8)3
cm3
g
= 7,845
3

1kg

106 cm3

= 7,845

a=2,8710-8 cm
4
a=
3 r
3

b) Fe: CCuC

3
y

r=

a
4

3
rFe =

2,8710-8 cm = 1,2427 10-8 cm

4

c)
1 celda
6,023 1023
5,3921 1021 celdas/g
2 at

at

mol

1 mol

55,85 g

PROBLEMA 2: La amalgama dental es una aleacin comercial,

formada por una solucin slida sustitucional, Ag-Sn-Cu con una
riqueza en plata de 70% en masa y 18 % en masa de estao, y
presenta una estructura cbica de cara centrada. Calcular:
a) La densidad de la aleacin.
Radios atmicos (nm):
b) El factor de acomodamiento.
Ag(0,144)
Cu(0,128)
SOL.
Sn(0,162)
a)Base: 100 g de solucin
%m
n
at
%at
Base: 100
tomos
Ag 70 70/107,87 = 0,6489 0,6489 NA 65,5852 65,5852
Sn 18 18/118,69 = 0,1517 0,1517 NA 15,3325

15,3325

Cu 12 12/63,55 = 0,1888 0,1888 NA 19,0823

19,0823

0,9894 NA 100,0000
(n t PA)i
=

Aleacin: CCaC : 4 at
a = 22 r
n celdas = 100/4 = 25
n tAg PAAg + n tSn PASn

+ n tCu

PACu
=
NA nceldas Vc
65,5852 07,87 + 15,3325118,69 + 19,0823
63,55
=
6,023 1023 . 25 . (22 0.144 10)

7 3

b)
(n t Vat)i
F.A. =
nceldas Vc [1 + ( %exp/100 )]
n tAg Vt.Ag + n tSn Vt.Sn

+ n tCu Vt.Cu

F.A. =
nceldas Vc
4/3 [65,5852(0.144 10-7)3 +15,3325(0.144 10-7)3 +19,0823
(0.144 10-7)3]
F.A.=
25 (22 0.144 10-7)3

PROBLEMA 3: Una aleacin AB que contiene 25,72 % atmico de A

y 74,28 % atmico de B se form al disolverse intersticialmente B en
A. Calcular la densidad de la aleacin si el metal base A de radio
atmico 1,2 presenta un empaquetamiento hexagonal compacto y
una expansin volumtrica de 1,8 %.
Masas molares: A(20) ,
SOL.
B(12,55)
Base: 100 tomos
celda HCP : 6 tomos , c2/a2=8/3
%at
tomos
V HCP = 242 r3= 3 2 a3 =3/2 3
a2c
A 25,72
25,72
1celda
6 part
B 74,28

74,28
x= 4,2867
n tA PAA + n tB PAB

25,72 part

=
NA nceldas Vc [1 + ( %exp/100 )]
25,72 20 + 74,28 12,55
=

PROBLEMA 4: El bromuro sdico (NaBr), cristaliza en la misma

empaquetadura que el cloruro de sodio (cbico de cara centrada para
el in Na+ y para el in Cl-). El compuesto bromuro sdico se calienta
en vapor de sodio y solamente los lugares vacantes de Na + se llenan
con tomos de sodio. Considerando que la constante reticular de la
celda unitaria es 5,94 , calcular:
a) La frmula del nuevo cristal, si inicialmente hay 2% de lugares
vacantes totales.
b) La densidad del cristal no estequiomtrico.
SOL.
4 aniones: 4 Na+
a) Estructura CCaC NaCl 4 cationes: 4 Br Iones iniciales %vacante iones vacantes llenado Na iones final
Na+
4
2
0,08
0,08
4,00
Br 4
2
0,08
------------3,92
Frmula del nuevo cristal: Na4Br3,92 o NaBr0,98
4 22,99+3,92 79,9

b)
=

= 3,2097 g/cc
23

-8 3

PROBLEMA 5: El espaciamiento entre planos sucesivos de tomos

de platino paralelos a la cara de la celda unitaria es de 2,256 .
Cuando la radiacin X que emite el cobre se hace incidir sobre un
cristal de platino metlico, el ngulo mnimo de difraccin de rayos X
es de 19,98 cul es la longitud de onda (en nm) de la radiacin del
cobre?
SOL.
Aplicando la ecuacin de Bragg:
n = 2dsen
2 2,256 sen 19,98

2dsen
=

=
n

10-8 cm
= 1,5417

1nm

= 0,1542 nm
10-7 cm