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Diode Schottky
Plusieurs applications:
Interconnexions
Contact Ohmique
Diode barrire Schottky
Survol des jonctions Isolant/SC
tat de lart
Les interconnexions
Actuellement, 6 8
niveaux de mtal sur les
puces (=> 10)
Problmes :
Retards du signal
chauffement
Compatibilit/ diffusion
avec le dispositif
Utilisation croissante de
la technologie cuivre .
3
Les interconnexions
Matriau faible
constante dilectrique
low k
C S
d
R l
S
RC
4
Diode Schottky
Affinit lectronique
e SC :laffinit
Diode Schottky
Formation du contact:
e M e SC
Ici
e b e M e SC
eVbi eVd e M e SC e MS
em e s
Semi-conducteur type n
redresseur
em e s
8
em e s
Semi-conducteur type p
redresseur
em e s
9
10
11
e b e M e SC
e b E g e 0 cte
eVbi eVd e M e SC e MS
12
Contacts Ohmiques
Comment ?
13
Contacts Ohmiques
ralisation dun
contact ohmique
Il faut sur-doper le
SC linterface
Le courant passe
essentiellement par
effet tunnel .
14
Rsultats identiques
une jonction P+N:
d 2V ( x)
( x)
SC
dx 2
eN
E ( x) d ( x W )
SC
W
CA
eN d x 2
V ( x)
( Wx)
SC 2
2 SC (Vbi V )
eN d
e SC N d
dQ
A
dV
2
(
V
V
)
bi
1
2
SC A
W
15
Plusieurs mcanismes
responsables du courant:
Courant thermo-ionique
Courant tunnel (SC
fortement dop)
Diffrence fondamentale
par rapport diode PN:
kT
avec
E EF
n0 N C exp C
kT
Soit encore :
E E F Vbi V
e( b V )
nb N C exp C
N
exp
kT
kT
17
ev A
e( b V )
N C exp
4
kT
ev A
e( b )
I SM (0)
N C exp
4
kT
18
eV
I S exp
1
kT
constante de Richardson
eV
exp
1
kT
19
eV
AJ exp( )
E0
t
0
avec
E 0 f ( N d , m * ,...)
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Rsistance dynamique
dV
Rd
dI
Capacit diffrentielle
1
2
Cs
eN d SC
C d A
Rsistance srie
de
la
diode
2
(
V
V
)
bi
RS parasite
Rcontacts
Inductance
R RN
LS
C gom
SC A
L
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Comparaison PN vs Schottky
Diode
Diodep-n
p-n
Courant inverse fct des
majoritaires => forte
dpendance en temprature
Diode
Diodeschottky
schottky
Courant inverse fonction de
majoriaires qui saute la
barrire dpence en
temprature plus faible
Ncessit de polariser le
dispo pour mise en
.conduction
Tension de mise en
conduction faible
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