MOSFET (transistor de efecto de

campo metal-xido
semiconductor)
Eltransistor de efecto de campo metal-xidosemiconductoroMOSFET(en inglsMetal-oxidesemiconductor Field-effect transistor) es
untransistorutilizado para amplificar o
conmutarsealeselectrnicas. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en
circuitos analgicos o digitales. Prcticamente la
totalidad de losmicroprocesadores comerciales
estn basados en transistores MOSFET.
Otras aplicaciones del MOSFET son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia.
Mezcladores de frecuencia.

MOSFET (transistor de efecto de

campo metal-xido
semiconductor)

Existen dos tipos de MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET

de canal P o PMOS.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados Fuente

(S), Dreno (D), Compuerta (G) y Sustrato (SS). Sin embargo, el
sustrato generalmente est conectado internamente al terminal de la
fuente, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET
de tres terminales.

Estructura del MOSFET donde se muestran los terminales de compuerta (G), sustrato
(B), fuente (S) y drenaje (D). La compuerta est separada del cuerpo por medio de
una capa de aislante (blanco).

FUNCIONAMIENTO

Digitales: Al bloquear efectivamente el flujo de la corriente directa por el

canal, los transistores MOSFET reducen el consumo de energa y permiten
impedancias grandes, lo que a su vez, tiene como resultado una alta
capacidad de diseminacin. Los diseadores utilizan este aislamiento de
lacompuertay el canal para mejorar el desempeo.
Analgicos: Como los transistores MOSFET pueden operarse a voltajes de
corriente de compuerta cero as como tambin a voltajes de dreno-fuente,
son dispositivos de intercambio ideales. Adems, se pueden grabar sobre
un chip de silicona para que acten como resistores de precisin y como
capacitores, con lo que se puede hacer circuitos anlogoscompletosen un
solo chip.
Como interruptores: Los voltajes de transmisin aplicados a la terminal
decompuerta de untransistorMOSFET pueden utilizarse para encender o
apagar dichos transistores. La velocidad de funcionamiento de los
interruptores tambin puede conducirse y permitir el paso de corrientes
altas y bajas. Este control de los MOSFET los hace ms efectivos como
interruptores en comparacin con los transistores de juntura bipolar.

MOSFET INCREMENTAL:

Este tipo de MOSFET se usa

en microprocesadores y
memorias de computadores
(funciona como interruptor).

Para obtener corriente de

dreno, se tiene que aplicar
un voltaje positivo en el
graduador compuerta.

SMBOLOS DEL MOSFET

INCREMENTAL:
(a)
(b)

Canal-n
Canal-p
En la figura
superior la
terminal del
sustrato est
libre; en la figura
inferior la
terminal del
sustrato est
conectada a la
fuente.

ORMACIN DE LA CAPA DE INVERSIN:

El sustrato se extiende hasta el xido de

silicio. Ya no hay un canal tipo N entre el
surtidor y dreno; por consecuencia, entre los
dos terminales no habr flujo de corriente
hasta llegar a un voltaje determinado.

Un voltaje positivo en el graduador atrae

electrones libres dentro del sustrato tipo P.
Estos se unen con algunos huecos
adyacentes al xido de silicio. Cuando el
voltaje en el graduador es lo suficientemente
positivo, todos los huecos cercanos al xido
de silicio se llenan por lo que ahora pueden

ORMACIN DE LA CAPA DE INVERSIN:

El MOSFET incremental de
canal-n en estado
desenergizado, no cuenta
propiamente con un canaln; sin embargo cuando este
se polariza de tal manera
que
Vgs >0, los huecos
(+) del sustrato (S) sern
repelidos hacia el extremo
opuesto, formndose un
canal-n que unir las
regiones dopadas-n del
dreno (D) y la fuente (S)

CURVAS DEL MOSFET

INCREMENTAL:

La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando

VGS es menor que VGS (th) , la corriente de
drenador es extremadamente pequea. Cuando
VGS es mayor que VGS (th), fluye una corriente
considerable, cuyo valor depende de VGS.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA:

POLARIZACIN DE MOSFET DEL TIPO

INCREMENTAL:

Con un MOSFET del tipo incremental, VGS tiene

que ser mayor que VGS (th) para obtener
corriente. Esto elimina la autopolarizacin, la
polarizacin por corriente de surtidor y, la
polarizacin cero, ya que todas ellas operan en
el modo decremental.

POLARIZACIN DE MOSFET DEL TIPO

INCREMENTAL:
Los MOSFET del tipo incremental trabajan con las
siguientes polarizaciones:
1. Polarizacin con graduador.
2. Polarizacin por divisor de voltaje (tensin).
3. Retroalimentacin de dreno: compensa cambios en

las caractersticas de los FET.

. Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razn, VD
(enc) decrece.