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1.

CARACTERSTICAS BSICAS DO
SCR

1. CARACTERSTICAS BSICAS
DO SCR

1. CARACTERSTICAS BSICAS
DO SCR

2. SCR IDEAL:

3. POLARIZAO DIRETA:

4. POLARIZAO REVERSA:

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


5.1. Corrente de Gatilho IGK:

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


5.1. Corrente de Gatilho IGK:
Como entre o gatilho e o ctodo h
uma juno PN, temos uma tenso de
aproximadamente 0,7V. Desta forma,
analisando o circuito da figura 5.2.
podemos determinar os requisitos para
o circuito de disparo do SCR.

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


5.1. Corrente de Gatilho IGK:
Um SCR pode disparar por rudo de corrente
no gatilho. Para evitar estes disparos
indesejveis devemos utilizar um resistor
RGK entre o gatilho e o ctodo que desviar
parte do rudo, como indica a figura 5.3. Em
alguns tipos de SCR, a resistncia RGK j
vem internamente no componente para
diminuir sua sensibilidade.
Figura 5.3 Resistncia para evitar disparos
por rudos no gatilho

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


5.1.1. Corrente de Reteno e Corrente de Manuteno
Corrente de manuteno ( IH): Uma vez
disparado, o SCR necessita de uma corrente
mnima para manter seu
estado de
conduo,aps a retirada do pulso de disparo.
Essa corrente chamada de "corrente de
manuteno".
Corrente mnima de disparo (IL) ou Corrente
de Reteno: a corrente mnima necessria,
entre o gate e ctodo, para levar o SCR ao
estado de conduo

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


5.2. Sobretemperatura:
O aumento brusco da temperatura aumenta o nmero de pares eltronslacunas no semicondutor provocando maior corrente de fuga, o que pode
levar o SCR ao estado de conduo. O disparo por aumento de
temperatura deve ser evitado.

5.3. Sobretenso:
Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for maior que o valor da tenso de
ruptura direta mxima VDRM (VBO), fluir uma corrente de fuga
suficiente para levar o SCR ao estado de conduo.
O disparo por sobretenso direta diminui a vida til do componente e,
portanto, deve ser evitado.
A aplicao de uma sobretenso reversa, ou seja, uma tenso nodoctodo maior que ovalor da tenso de ruptura reversa mxima (VRRM ou
VBR) danificar o componente.

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


5.4. Degrau de Tenso dv/dt (V/t):
Se a taxa de crescimento da tenso nodo-ctodo VAK no tempo for alta
(subida muito rpida da tenso VAK) pode levar o SCR ao estado de
conduo. Em polarizao direta a Juno J2 est reversamente polarizada
e se comporta como um capacitor carregado, como podemos observar na
figura 5.1.
Num capacitor a corrente de carga relaciona-se
com a tenso pela expresso:

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


5.5. Luz ou Radiao:
Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz) ou radiante
(ftons, raios gama, nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas
junes do semicondutor, haver maior combinao de pares
eltrons-lacunas, provocando maior corrente de fuga, o que pode
levar o SCR ao estado de conduo. o caso do SCR ativado por luz,
chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated Silicon Controlled
Rectifier).

6. ANALOGIA COM 2 TRANSISTORES:

7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR


O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao.
Devemos portanto lembrar:
Diodos e SCRs somente bloqueiam quando praticamente extinta a
corrente entre nodo-ctodo e no por aplicao de tenso reversa.
Para um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o
estado de no conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de
nodo IA deve ser reduzida a um valor abaixo do valor da corrente de
manuteno IH, durante um certo tempo (tempo de desligamento tq).
O tempo de desligamento da ordem de 50 a 100s para os SCR normais
e de 5 a 10s para os SCR rpidos.

7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR


7.1. Comutao Natural:

7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR


7.2. Comutao Forada:

7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO
SCR
Comutao Forada atravs de um capacitor.

A chave pode ser um outro semicondutor (um outro SCR ou um transistor, por
exemplo).

8. CARACTERSTICAS ESTTICAS
DO SCR:
Existem limites de tenso e corrente que um SCR pode suportar. Tais limites
constituem as caractersticas estticas reais como mostra a Figura 8.1.

Observao: A maioria dos SCR apresentam IGT entre 0,1 a 50mA. IGT e
VGT variam inversamente com a temperatura. O caso mais crtico, portanto,
ocorre em altas temperaturas.
Como exemplo, temos os dados de catlogo fornecidos pelo fabricante para o
tiristor:
SCR Aegis A1N:16.06J [ref.3]
SCR encapsulamento tipo rosca
Tenso de ruptura reversa mxima (VRRM) 600V
Corrente de nodo mdia admissvel (IAKmed) 16A
Corrente de nodo eficaz admissvel (IAkef) 35A
Tenso direta em conduo (E0) 1,0V
Resistncia em conduo (r0) 18m
Corrente de disparo mnima (IGT) 150mA
Tenso Mnima de Gatilho (VGT) 2,0V
Degrau de Tenso Admissvel (dV/dt) 200V/s
Degrau de Corrente Admissvel (dI/dt) 150A/s
Corrente de Manuteno (IH) 100mA
Corrente de Reteno (IL) 200mA
Corrente de Fuga (IF) 10mA

10. TESTANDO UM SCR COM


MULTMETRO:

12. PROTEES DO SCR:


12.1. Proteo contra Degrau de Corrente di/dt (I/t):
se ocorrer um Degrau de Corrente, rpido crescimento da corrente de
nodo IA, podero formar-se pontos quentes (hot spots) no semicondutor e
queimar o componente por sobre-temperatura. Este Degrau de Corrente
dado pela taxa com que a corrente varia no tempo, ou di/dt (I/t) e
expresso em Ampres por microssegundos (A/s).
Limita-se o di/dt com uma pequena indutncia em srie com o SCR, pois
esta se ope s variaes bruscas de corrente, amortecendo a subida da
corrente no nodo. A Indutncia requerida pode ser determinada pela
equao:
Onde:
L indutncia (H0
(di/dt)max degrau de corrente mximo
admissvel (A/s)
VP tenso de pico (V)

12. PROTEES DO SCR:


12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt (V/t):
O Degrau de Tenso, rpido crescimento da tenso VAK, pode disparar
indesejavelmente o SCR. Para proteger contra o disparo intempestivo utilizase uma rede RC (resistor em srie com capacitor) conectada aos terminais
de nodo e ctodo do SCR. Este circuito de proteo, apresentado na Figura
12.1, chamado de Snubber.

12. PROTEES DO SCR:


12.3. Proteo contra Sobretenso
Algumas maneiras de proteger um SCR contra sobretenso:
Diodo em srie com o SCR: para que ambos os componentes compartilhem
a tenso inversa. Devido queda de tenso no diodo, este mtodo pode
introduzir perdas de potncia significativas em certos circuitos.
SCR com alto valor de tenso nominal: como margem de segurana, porm,
isto pode implicar maiores custos.
Circuito Snubber RC: em paralelo com a fonte geradora de sobretenso.
Varistor (resistor no linear): em paralelo com o SCR, fornece um caminho
de baixa resistncia para o transitrio de tenso.

12. PROTEES DO SCR:


12.4. Proteo contra Sobrecorrente
A sobrecorrente ocorre, em geral, por sobrecarga ou curto-circuito e o
dispositivo de proteo dever abrir o circuito antes do superaquecimento
do SCR.
As protees contra sobrecorrente mais usuais so:
Fusveis de Ao Rpida: escolhidos atravs do parmetro I2t, relativo ao
tempo do ao, fornecido em catlogos de SCR e de fusveis.
Disjuntores de Alta Velocidade.
Rels de Sobrecorrente.

12. PROTEES DO SCR:


12.5. Proteo do Circuito de Disparo do Gatilho
O circuito de disparo do gatilho deve ser protegido contra transitrios de
tenso e, preferencialmente, ser eletricamente isolado do circuito de alta
potncia que o SCR controla. Isso pode ser feito com Transformadores de
Pulso e de Acopladores pticos (Opto-acopladores).

15. CIRCUITOS DE DISPARO COM


SINAIS CC

16. CIRCUITOS DE DISPARO COM


SINAIS CA CONTROLE DE FASE:
16.1. Circuito de Disparo CA com Rede Resistiva

16. CIRCUITOS DE DISPARO COM


SINAIS CA CONTROLE DE FASE:
16.2. Circuito de Disparo CA com Rede Defasadora RC:

17. CIRCUITOS DE DISPARO COM


SINAISPULSADOS:

17. CIRCUITOS DE DISPARO COM


SINAIS PULSADOS:

17. CIRCUITOS DE DISPARO COM


SINAIS PULSADOS:
18.2. Acoplamento ptico

17. CIRCUITOS DE DISPARO COM


SINAIS PULSADOS:
18.3. Proteo do Gatilho