SEMICONDUCTORES

Son una clase especial de elementos cuya conductividad electrica se encuentra entre la
de un buen conductor y la de un aislante.
Clases:
a) Un solo cristal: Con estructura cristalina repetitiva.
Germanio (Ge)
Silicio (Si)
b) Compuesto:
Arseniuro de Galio (GaAs)
Sulfuro de Cadmio (CdS)
Nitruro de Galio (GaN)
Fosfuro de Galio y Arsenico (GaAsP)
Son materiales semiconductors de diferentes estructura atomica.
Los tres semiconductors de diferentes estructura atomica.
-) Ge: Poco confiable, por su sensibilidad a los cambios de temperatura.
-) Si: Mejor sensibilidad a la temperatura.
- GaS: Dificil de fabricar a altos niveles de pureza, mas caro. Actualmente se utiliza de
manera consistente como material base para nuevos diseos de C.I. a gran

escala (VLSI) alta velocidad.

- El germanio (Ge) tiene 32 electrons (e-) en sus orbitas, el silicio (Si) tiene 14
arsenico (As) con 33 e- y el galio (Ga) con 31 e- .
-

e-, el

El Ge y el Si tiene 4 e- en la capa externa, los cuales se conocen como electrones

de Valencia. El Ga tiene 3 e- de valencia y el As tiene 5 e- de valencia.

Atomos de 3
Atomos de 4
Atomos de 5

e- de Valencia trivalentes
e- de Valencia tetravalentes
e- de Valencia pentavalentes

Trmino Valencia: Potencial de ionizacin requerido para remover cualquiera de

estos electrones de la estructura atomica es significativamente mas bajo que el
requerido para cualquier otro electrn en la estructura.
A la temperatura ambiente (25 oC) hay alrededor de 1.5 x 1010 portadores libres en 1
cm3 de material de silicio intrnseco (sin impurezas).

Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura

negativo.
- Presentan un nivel de incremento de velocidad con la aplicacin de calor. Conforme
se eleva la temperatura un mayor nmero de electrones de Valencia absorben
suficiente energa trmica para romper el enlace covalente y asi contribuir al nmero
de portadores libres.

Fig.: Diagramas de tomos de silicio y germanio.

(a) El tomo de silicio central comparte un electrn

con cada uno de los cuatro tomos de silicio
circundantes, con lo que se crea un enlace covalente
con cada uno. Los tomos circundantes estn a su
vez enlazados con los otros tomos, y as
sucesivamente.

(b) Diagrama de enlaces. Los signos negativos

(en gris) representan los electrones de valencia
compartidos.

Fig. Ilustracin de enlaces covalentes de silicio.

Niveles de Energa

Fig. Diagramas de energa para los tres tipos de materiales.

Las diferencias en los requerimientos de las brechas de energa revela la sensibilidad de

cada tipo de semiconductor (Eg) a los cambios de temperatura.
Ejemplo. Al elevarse la temperatura de una muestra de Ge el nmero de electrones que
pueden absorver energa trmica y entrar a la banda de conduccin se incrementa con
rapidez porque la brecha de energa es minima.
El diseo de fotodetectores sensibles a la luz y los sistemas de seguridad sensibles al calor
Parecen ser un excelente area de aplicacion de los dispositivos de Ge.
No obstante en el caso de redes de Transistores, en lo que la estabilidad a la temperatura
o a la luz puede ser un factor prejudicial.
Electrones de conduccin y huecos
Un cristal de silicio intrnseco (puro) a temperatura ambiente tiene energa calorfica
(trmica) suficiente para que algunos electrones de valencia salten la banda prohibida
desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin, convirtindose as en electrones
libres, que tambin se conocen como electrones de conduccin.
Cuando un electrn salta a la banda de conduccin, deja un espacio vaco en la banda de
valencia dentro del cristal. Este espacio vaco se llama hueco. Por cada electrn elevado a
la banda de conduccin por medio de energa externa queda un hueco en la banda de
valencia y se crea lo que se conoce como par electrn-hueco; ocurre una
recombinacin cuando un electrn de banda de conduccin pierde energa y regresa a
un hueco en la banda de valencia.

Fig.: Creacin de pares electrn hueco en un cristal de silicio. Los electrones en la

banda de conduccin son electrones libres

Corriente de electrn y hueco

Cuando se aplica voltaje a travs de un trozo de silicio intrnseco, como muestra la
figura, los electrones libres generados trmicamente presentes en la banda de
conduccin (que se mueven libremente y al azar en la estructura cristalina) son
entonces fcilmente atrados hacia el extremo positivo. Este movimiento de electrones
es un tipo de corriente en un material semiconductor y se llama corriente de
electrn.

Fig. La corriente de electrones en silicio intrnseco se produce por el

movimiento de electrones libres generados trmicamente.

Fig. Corriente de huecos en silicio intrnseco.

SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P

Dopado:
La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drsticamente mediante la
adicin controlada de impurezas al material semiconductor intrnseco (puro).
Este proceso, llamado dopado, incrementa el nmero de portadores de corriente
(electrones o huecos).
Los dos portadores de impurezas son el tipo n y el tipo p.
Las caracteristicas de un material semiconductor se pueden modificar de manera
significativa con la adicion de atomos de impurezas.
Un material que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material
extrinseco.
Material tipo N:
Se crea introduciendo elementos de impurezas que contienen 5 e- Valencia
(pentavalentes) como el antimonio (Sb), el arsenico (As) y el fosforo (P).
Las impurezas difundidas con 5 e- Valencia se llaman atomos donadores.

Fig. tomo de impureza pentavalente en una estructura de cristal de silicio. Se

muestra un tomo de impureza de antimonio (Sb) en el centro. El electrn extra
proveniente del tomo de Sb se convierte en electrn libre.

Portadores mayoritarios y minoritarios Como la mayora de los portadores de

corriente son electrones, el silicio (o el germanio) dopado con tomos pentavalentes es
un semiconductor tipo n (n expresa la carga negativa de un electrn). Los electrones se
conocen como portadores mayoritarios en material tipo n. Aunque la mayora de los
portadores de corriente en un material tipo n son electrones, tambin existen algunos
huecos que se crean cuando trmicamente se generan pares electrn-hueco (estos
huecos no se producen por la adicin de tomos de impureza pentavalentes).
Los huecos en un material tipo n reciben el nombre de portadores minoritarios.
Material tipo P
El material tipo p se forma dopando un cristal de Ge o Si puro con atomos de impurezas
que tienen 3 e- Valencia. Elementos mas usados para el proceso de dopaje son: Boro
(B), Galio (Ga), Indio (I), en una base de silicio.
Las impurezas difundidas con 3 e- Valencia se llaman atomos aceptores.

Fig. tomo de impureza trivalente en una estructura de cristal de silicio.

Un tomo de impureza de boro (B) se muestra en el centro.

El DIODO
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de l con una impureza trivalente y la otra con
una impureza pentavalente, se forma un lmite llamado unin pn entre las partes tipo p y tipo n
resultantes y se crea un diodo bsico. Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en slo una
direccin. La unin pn es la caracterstica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros
dispositivos.

(a) La estructura de diodo bsica en el instante de la

formacin de la unin que muestra slo los portadores
mayoritarios y minoritarios. Algunos electrones libres en
la regin n cerca de la unin pn comienzan a difundirse a
travs de la unin y caen en huecos cerca de la unin en la
regin p.

(b) Por cada electrn que se difunde a travs de la

unin y se combina con un hueco, queda una carga
positiva en la regin n, se crea una negativa en la
regin p, y se forma un potencial de barrera. Esta
accin contina hasta que el voltaje de la barrera se
opone a ms difusin. Las flechas entre las cargas
positivas y negativas en la regin de empobrecimiento
representan el campo elctrico.

POLARIZACIN DE UN DIODO
En general el trmino polarizacin se refiere al uso de un voltaje de cc para establecer
ciertas condiciones de operacin para un dispositivo electrnico. En relacin con un
diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa. Cualquiera de estas condiciones
de polarizacin se establece conectando un voltaje de cc suficiente y con la polaridad
apropiada a travs de la unin pn.
Polarizacin en directa
Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a travs de l. Polarizacin en
directa es la condicin que permite la circulacin de corriente a travs de la unin
pn.

Fig. Un diodo conectado para polarizacin en directa.

Fig. Un diodo polarizado en directa que muestra el flujo de

portadores mayoritarios y el voltaje debido al potencial de barrera
a travs de la regin de empobrecimiento.

(a) En equilibrio (sin polarizacin)

(b) La polarizacin en directa estrecha la regin de

empobrecimiento y produce un cada de voltaje a travs
de la unin pn igual al potencial de barrera.

Polarizacin en inversa
La polarizacin en inversa es la condicin que en esencia evita la circulacin de
corriente a travs del diodo. La figura muestra una fuente de voltaje de cc
conectada a travs de un diodo en la direccin que produce polarizacin en inversa.

Fig. Un diodo conectado para polarizacin en inversa. Se muestra un

resistor limitador aunque no es importante en la polarizacin en
inversa porque en esencia no hay corriente.

Corriente en inversa La corriente extremadamente pequea que existe en la

condicin de polarizacin en inversa despus de que la corriente de transicin se disipa
es provocada por los portadores minoritarios en las regiones n y p producidos por pares
de electrn-hueco generados trmicamente.

Ruptura en inversa Normalmente, la corriente en inversa es tan pequea que se

puede despreciar. No obstante, si el voltaje de polarizacin en inversa externo se
incrementa a un valor llamado voltaje de ruptura, la corriente en inversa se
incrementar drsticamente.

Fig. La extremadamente pequea corriente en inversa en un diodo

polarizado en inversa se debe a los portadores minoritarios
provenientes de pares de electrn-hueco trmicamente generados.

FIN