Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
EL TRANSISTOR nMOS
El transistor nMOS
Elctricamente,
un transistor nMOS es
un dispositivo de 4 terminales que
permite controlar por voltaje la corriente
que circula por el canal.
Los portadores de carga de la corriente
son los electrones.
Transistor nMOS
G
S
B
El transistor nMOS
Conceptualmente
su
comportamiento
es:
Si existe una diferencia de potencial
positivo suficiente entre Puerta y
Sustrato se induce un canal conductor
de tipo n entre Drenador y Fuente.
VGB > 0 Se induce canal.
El transistor nMOS
Si
EL TRANSISTOR pMOS
El transistor pMOS
Elctricamente,
un transistor pMOS es
un dispositivo de 4 terminales que
tambin permite controlar por voltaje la
corriente que circula por el canal.
Los portadores de carga son los
huecos.
Partes de pMOS
FUENTE
Transistor pMOS
G
Transistor pMOS
Conceptualmente
su
comportamiento
es:
Si existe una diferencia de potencial
negativo suficiente entre Puerta y
Sustrato, se induce un canal conductor
de tipo p entre Drenador y Fuente.
VGB < 0 Se induce canal.
Transistor pMOS
Si
PUERTAS DE PASO
PUERTAS DE PASO
Comportamiento
de Transistores nMOS:
Se considera al transistor MOS como
INTERRUPTORES.
CONSIDERACIONES:
1
CONSIDERACIONES
La
definicin de la seal (0 1) en un
punto se define como la capacidad de
este punto de conducir corriente:
mayor definicin = mayor capacidad.
Vdd es fuente de 1 definidos.
Vss es fuente de 0 definidos.
COMPORTAMIENTO DE UN
TRANSISTOR nMOS
Si
Si
Y
0
X
X
1
distorsionado
definido
0
COMPORTAMIENTO DE UN
TRANSISTOR pMOS
Si
Si
X
X
Y
1
X
X
distorsionado
1
definido
por
son
0
1
combinacin en paralelo de un
transistor nMOS y otro pMOS con
valores de puerta opuestos ser una
PUERTA DE PASO ( interruptor)
perfecta.
Y=X
EL INVERSOR CMOS
ESTATICO
Y=
inversor
CMOS
(MOS
complementario) esta formado por un
transistor pMOS en serie con un
transistor nMOS con sus Puertas
unidas:
La entrada del inversor es la puerta
comn y la salida, el punto de unin de
los transistores.
Ing. JULIO GONZALEZ PRADO
CIRCUITOS
COMBINACIONALES BASICOS
CIRCUITOS COMBINACIONALES
BASICOS
Todo
CIRCUITOS COMBINACIONALES
BASICOS
ARBOL
CIRCUITOS COMBINACIONALES
BASICOS
Vdd
Arbol de
pull up
x
F(x)
Arbol de
pull down
REGLAS DE DISEO
Los
REGLAS DE DISEO
Es
REGLAS DE DISEO
Se
CIRCUITOS
COMBINACIONALES
GENERALES
METODOLOGIA PARTIENDO DE
UNA EXPRESION DE
CONMUTACION
Si
CIRCUITOS
COMBINACIONALES
GENERALES
METODOLOGIA PARTIENDO DEL
MAPA DE KARNAUGH
CIRCUITOS SECUENCIALES
BASICOS
LATCHES
LATCH
D
CLK
Su comportamiento es el
siguiente:
Si CLK es =1, transmite la entrada a la salida
D
FLIP FLOP
El
FLIP FLOP
CLK
Ing. JULIO GONZALEZ PRADO
CLK = 0
CLK = 1
CARACTERISTICAS
Excepto
CARACTERISTICAS
Excepto
CARACTERISTICAS
Existe
CARACTERISTICAS
El
CONFIGURACIONES MOS
BiCMOS
Mejora
BiCMOS
Arbol de
pull up
F(X)
Arbol de
pull down
pseudo nMOS
Reemplaza
pseudo nMOS
F(X)
Arbol de
pull
down
CMOS dinmico
Existe
CMOS dinmico
F(x)
X
Arbol de
Pull
Down
CMOS domin
Para
CMOS domin
PRECARGA:
( = 0) la entrada del
inversor se carga incondicionalmente a
1 siendo la salida de esta estructura
0.
Todas la etapas lgicas (tipo nMOS)
alimentadas por esta salida estn
cortadas.
CMOS domin
EVALUACION:
( = 1) en funcin de las
entradas, la entrada del inversor pasa
eventualmente a 0 y la salida de la
estructura pasa a 1, permitiendo que
las siguientes etapas evalen.
CMOS domin
F(x)
Arbol de
Pull
Down