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SENSORES
SENSORES BASADOS EN UNIONES
SEMICONDUCTORAS
Galgas extensiomtricas
Termistores
Fotoresistencias LDR
Clulas fotoelctricas
MAGNETO DIODOS
Las caractersticas I-V de un diodo cambian cuando, debido a un campo
magntico, los portadores de carga experimentan una fuerza que los
desva de su trayectoria rectilnea. Si se disea un diodo de manera que
los portadores desviados vayan a parar a una zona donde la
recombinacin sea alta, se tiene un magnetodiodo. La sensibilidad al
campo magntico es tanto mayor cuando ms distintas sean las
caractersticas de recombinacin de las zonas de alta y baja
recombinacin.
MAGNETOTRANSISTORES
Estructura en la que hay una base, un emisor y dos colectores. En ausencia
de campo magntico, las corrientes de colector son iguales. Pero cuando se
aplica un campo magntico, el dispositivo se puede disear de forma que
la corriente
de un colector aumente a expensas de la otra. La diferencia entre ambas
da una medida de la intensidad del campo aplicado.
Otra alternativa consiste en emplear un elemento Hall y dos transistores. El
elemento Hall constituye la base de ambos transistores y tiene dos
contactos: uno con cada base. Cuando la presencia de un campo
magntico genera una tensin Hall entre dichos contactos, la tensin de
base de un transistor es mayor que la del otro, provocando el desequilibrio
de las corrientes de colector, que da una medida del campo aplicado.
SENSORES BASADOS EN
ULTRASONIDO
En las aplicaciones basadas en el tiempo de propagacin, se mide
el tiempo que tarda en recibirse el eco debido a un objeto presente
en el camino de propagacin, normalmente en forma de pulso estrecho.
El objeto puede ser lquido, slido o polvo.
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