Semicondutores

Estrutura cristalina dos

semicondutores
Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma
substncia, a distribuio e disposio desses tomos pode ser
ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina.
O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina cbica
como mostrado na seguinte figura.
tomo de
silcio

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Ligao covalente
Nessa estrutura cristalina, cada
tomo (representado por Si)
une-se a outros quatro tomos
vizinhos, por meio de ligaes
covalentes, e cada um dos
quatro electres de valncia de
um tomo compartilhado com
um electro do tomo vizinho,
de modo que dois tomos
adjacentes compartilham os
dois electres.

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Estrutura cristalina dos

semicondutores
Na prtica, a estrutura cristalina
ilustrada na figura s
conseguida quando o cristal de
silcio submetido temperatura
de zero graus absolutos (ou
-273C). Nessa temperatura,
todas as ligaes covalentes
esto completas os tomos tm
oito electres de valncia o que
faz com que o tomo tenha
estabilidade qumica e molecular,
logo no h electres livres e,
consequentemente o material
comporta-se como um isolante.

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Semicondutor intrnseco
Um semicondutor intrnseco
um semicondutor no estado
puro. temperatura de zero
graus absolutos (-273C)
comporta-se como um isolante,
mas temperatura ambiente
(20C) j se torna um condutor
porque o calor fornece a
energia trmica necessria
para que alguns dos electres
de valncia deixem a ligao
covalente (deixando no seu
lugar uma lacuna) passando a
existir alguns electres livres
no semicondutor.
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Semicondutor extrnseco
H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electrolacuna livres no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs
da energia trmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer com
que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor.
Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o
nmero de electres livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou
de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem superior ao nmero
de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por
meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros
tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas.
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro
(intrnseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco.

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Processo de dopagem
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro
(intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco
podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos dadores e
impurezas ou tomos aceitadores.
tomos dadores tm cinco electres de valncia
(so pentavalentes): Arsnio (AS), Fsforo (P) ou
Antimnio (Sb).
tomos aceitadores tm trs electres de valncia
(so trivalentes): ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou
Alumnio (Al).

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Semicondutor do tipo N
A introduo de tomos
pentavalentes (como o Arsnio) num
semicondutor puro (intrnseco) faz
com que apaream electres livres
no seu interior. Como esses tomos
fornecem (doam) electres ao cristal
semicondutor eles recebem o nome
de impurezas dadoras ou tomos
dadores. Todo o cristal de Silcio ou
Germnio, dopado com impurezas
dadoras designado por
semicondutor do tipo N (N de
negativo, referindo-se carga do
electro).

Electro livre
do Arsnio

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Semicondutor do tipo P
A introduo de tomos trivalentes
(como o ndio) num semicondutor
puro (intrnseco) faz com que
apaream lacunas livres no seu
interior. Como esses tomos
recebem (ou aceitam) electres eles
so denominados impurezas
aceitadoras ou tomos aceitadores.
Todo o cristal puro de Silcio ou
Germnio, dopado com impurezas
aceitadoras designado por
semicondutor do tipo P (P de
positivo, referindo-se falta da carga
negativa do electro).

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Portadores maioritrios e
minoritrios
Num semicondutor extrnseco do tipo N os electres esto
em maioria designando-se por portadores maioritrios da
corrente elctrica. As lacunas (que so a ausncia de um
electro), por sua vez, esto em minoria e designam-se por
portadores minoritrios da corrente elctrica.
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto
em maioria designando-se por portadores maioritrios da
corrente elctrica. Os electres, por sua vez, esto em minoria
e designam-se por portadores minoritrios da corrente
elctrica.

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Movimento dos electres e das lacunas

nos semicondutores do tipo N
Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electres ser muito
mais intenso (sete larga) que o fluxo de lacunas (sete estreita)
porque o nmero de electres livres (portadores maioritrios)
muito maior que o nmero de lacunas (portadores minoritrios).
Electres

Electres

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro,

porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor
submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo
modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga
elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo
positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.

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Movimento dos electres e das lacunas

nos semicondutores do tipo P
Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas ser muito
mais intenso (sete larga) que o fluxo de electres (sete estreita)
porque o nmero de lacunas livres (portadores maioritrios) muito
maior que o nmero de electres livres (portadores minoritrios).
Electres

Electres

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro,

porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor
submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo
modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga
elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo
positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.

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