INSTITUTO TECNOLGICO

NACIONAL

ELECTRONICA DE POTENCIA
UNIDAD 2
PRESENTA:
RAMREZ GAMBOA RAL
NOMBRE DEL PROFESOR:
ING. HUGO CASTELLANOS MENESES

ELECTRNICA DE POTENCIA
UNIDAD 2. CIRCUITOS DE DISPARO PARA EL CONTROL DE
FASE DE TIRISTORES
Contenido
2.1
Circuitos de disparo sin
aislamiento.........................................................................1
2.1.1 Redes pasivas
Circuito de disparo con Diac (Diode Alternative
RC2.1.2.1
...................................................................................................1
Current) ..............................6
2.1.2.2
2.1.2
Circuito de disparo con dispositivos de
Circuito
de disparo con el Interruptor Bilateral de Silcio
rompimiento
..............................................6
2.1.2.3
(SBS) ..................11
2.2
Circuitos de disparo con
Transistor Unijuntura (UJT) (Unijuction
aislamiento .....................................................................30
Transistor).......................................17
2.2.1 Circuito de disparo acoplado
pticamente. ............................................................30
2.2.2 Circuitos de disparo acoplados
Silicio SUS (Silicon Unilateral
magnticamente...................................................33
Switch). .........................................................................35
2.3
2.2.2.1
Circuito de disparo con aislamiento utilizando el Interruptor
Circuitos de disparo utilizando dispositivos digitales..............................................37
Unilateral de
2.3.1.1 Circuito de disparo con el 555 para
2.4
SCR......................................................45
Bibliografa: ............................................................................................................4
8

2.1

Circuitos de disparo sin aislamiento

Para qu se utilizan? Los circuitos de disparo se utilizan para activar

a los tiristores en las diferentes aplicaciones de electrnica de potencia.
Con qu finalidad? La finalidad de este tipo de circuitos es activar al tiristor
en un determinado rango del voltaje de entrada pudiendo ser de 0 a 90 , de 0 a
120 o de 0 a 180 , dependiendo de la aplicacin.

2.1.1 Redes pasivas RC

Considere el circuito de disparo RC, mostrado en la figura 2.1a:
RL
+ Vo -

R1
R2

Vs

SCR
+

VC

VGK

a
)

V
i

V
i
Vm

Vm

t
VG

VG

VT

VT

V
o

V
o

Vc
d

Vc
d

b)

Figura 2.1. a) Circuito de disparo RC, b) Formas de onda para

de onda para grande.

Caractersticas:
Este tipo de circuito permite variar el ngulo de
disparo de 0-180.

c)
pequeo, c) Formas

El valor de 1 + 2

Funcionamiento.
Como se puede apreciar del diagrama del circuito de
el voltaje de control (VGK)
la figura 2.1, disparar al SCR, es igual al voltaje en el
para
capacitor.
Para el semiciclo positivo de ( )
Durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada, la polaridad del voltaje
es positiva como se muestra en la figura 2.2 y el SCR esta polarizado
directamente pero sin conducir.
+

+ Vo RL

R1
R2

Vs

SCR
+

VC

V GK

Figura 2.2. Polaridad en el semiciclo positivo del circuito RC

Partiendo de que el
se ve reflejando en
cuales empiezan a
un valor mnimo
sucede, el tiristor

tiristor est en apagado, el voltaje de la fuente de entrada Vs,

la rama formada por las 2 resistencias en serie R1 y R2 las
cargar al capacitor. El capacitor empezara a cargarse desde
hasta alcanzar el voltaje umbral del tiristor. Cuando esto
se dispara haciendo que el todo voltaje de la fuente se vea

reflejada en la resistencia de carga RL provocando que en la rama de la resistencia

R1,

R2

y el

capacitor,

el voltaje se reduzca al valor del voltaje en estado de

conduccin del tiristor (1-2 V).

El tiristor permanecer encendido hasta el cruce por cero del voltaje de entrada
en = . En este momento el tiristor se apaga debido a que el voltaje de
entrada es igual a cero y como consecuencia la corriente de la carga
desciende ms all de la corriente de mantenimiento Ih.
La variacin del ngulo de disparo en el presente circuito, es funcin de la
velocidad a la que se carga el capacitor C y llega al voltaje umbral al que se
dispara el tiristor. Esto depende del ajuste de la resistencia variable R2 y se
comporta de la manera siguiente:
2 y el
Para un valor mnimo de R2 la constante de tiempo de la red RC es pequea
pequeos
el
voltaje
de
salida
es
capacitor se carga rpidamente, produciendo ngulos de disparo pequeos
mximo.
(cercanos a 0). En cambio cuando R2 es mxima, la constante de tiempo
RC de la red es grande, haciendo que el capacitor se cargue ms
lentamente produciendo ngulos de disparos grandes ( > 90).

Para el semiciclo negativo de

En el semiciclo negativo, la polaridad del voltaje de entrada cambia, haciendo
que el SCR se polarice inversamente como se muestra en la figura siguiente.
RL
+ Vo l

R1
R2

Vs

V GK
l

VC
l

SCR

Figura 2.3. Polaridad en el semiciclo negativo del circuito RC.

La polarizacin inversa hace que el SCR permanezca en estado de bloqueo

por lo que el voltaje de salida aplicado a la carga durante este semiciclo ser
de 0 V.
Para ambos semiciclos con este circuito se tiene un convertidor controlado de
media onda.
Clculo de los parmetros del circuito
Considere el circuito mostrado en la figura, el cual utiliza como interruptor un
SCR TYN688 el cual muestra las siguientes caractersticas:

Figura 2.4. Circuito para el clculo de parmetros del circuito de disparo RC

Voltaje de pico inverso de VDRM= 400V, voltaje umbral tpico de V GT=1.5 volts, corriente de
compuerta IGT= 25mA. Determine los valores de R1, R2 Y C para manejar un control de fase de
0 a 180

Resoluci
n: Datos:
VDRM=400
V

IGT=25 mA

a)

Calculo de la resistencia fija R1

Esta resistencia tiene como funcin limitar la corriente de compuerta a su mximo

valor cuando R2 es mnima o cero, es decir, R2=0.
Adems se considera que (R1+R2) es mucho mayor que RL. De la figura 2.5
se obtiene la ecuacin de malla para determinar R1.

100
IGT

R1
179.6 V
VGK

Malla para el
clculo de R1

Figura 2.5.

179.6 V 100IGT R1IGT VGK 0

179.6
V 175.6
100
0.025 A
R1 0.025
7184

0.025R1

1.5V

Para dar un margen de tolerancia ocupamos el siguiente

valor comercial R1=8.2k
b)

Clculo del capacitor C

Para ello se toma en cuenta la constante de tiempo para valores de

cercanos a 0 para R2=0, considerando que un semiciclo del voltaje de entrada
tiene una duracin de 8.22 ms.
Conviene tomar una
=RC=1 ms. Por tanto
4

R1C
1 10

0.12 10
6
8.2
1 10
3
10 F
C 0.1
C

c)

Clculo de la resistencia R2.

Por ltimo se obtiene el valor mximo de la resistencia variable R2, para cuando se ajustan
ngulos de disparo cercanos a 180 a partir de la siguiente ecuacin.

R2 C T

Para ello consideramos una constante de tiempo un poco mayor

de 8.222 mseg. Para dar un margen de tolerancia hacemos T =

R1

10ms
2 10

R1

R
R

10

R1

10 3

10 3

0.1

100 k
6
R2 100 k
2

10

10

10

R1

R2 100 k

8.2 k

R2

91.8 k
Tomando el valor
comercial prximo
de
R2 100 k

2.1.2 Circuito de disparo con dispositivos de rompimiento

2.1.2.1

Circuito de disparo con Diac (Diode

Alternative Current) Caractersticas:

Es un dispositivo formado por tres capas de silicio con la estructura (npn o
pnp) y dos terminales principales de conduccin A1 y A2, no tiene terminal de
control.

Las caractersticas de tensin y corriente se muestran en la figura 2.6, as

como su smbolo y el dispositivo fsico. Se observa que es un dispositivo no
lineal aunque es simtrico en ambos sentidos de circulacin; es decir es un
dispositivo
bidireccional y simtrico.
A1
Corriente (A)

A2

Voltaje de
rompimiento inverso

Voltaje de
rompimiento directo

-VBO
+VBO

a
)

b)

c)

Figura 2.6.. a) smbolo del Diac, b) Dispositivo fsico, c) Curva

caracterstica Voltaje-Corriente

En la figura se observa que cuando el voltaje aplicado es positivo o negativo

pero menor a la tensin de ruptura (VB0) del diac, este se comporta como un
circuito abierto. Sin embargo cuando el voltaje aplicado es mayor que VB0 el
dispositivo se activa aumentando la intensidad y disminuyendo el voltaje
hasta el punto que llega a comportarse casi como un diodo.
La mayora de los diac tienen un voltaje de ruptura alrededor de
(26-22 V.) aunque existen algunos con tensiones mayores.

20 V
6

Los diac son una clase de tiristor y se utilizan normalmente en el control de fase
de Triacs. El diac en los circuitos de control de fase se utiliza para producir
impulso de corriente en la terminal de compuerta del tiristor.

Circuito de disparo para el control de fase de onda completa con Triac

Considere el circuito mostrado en la figura siguiente:
V
s

RL

Vm

+ Vo R1

Triac

R2

Vs

Diac
C

V
C

VBO
a)

VB

V
o

b)

Figura 2.7.

a) Circuito de disparo con Diac, b) Formas de onda del voltaje de

entrada, voltaje en el capacitor, pulso de salida del diac y voltaje de
7
salida.

Funcionamiento:
En este circuito el capacitor se debe de cargar a un valor igual al voltaje de
rompimiento del Diac para poder disparar al tiristor (Triac).
Para el semiciclo positivo de 0 .
La polaridad del voltaje de entrada es como la que se muestra en la figura 2.8.
RL
+ Vo R1

Triac

R2
Vs

Diac
C

Figura 2.8.

a) Polaridad del circuito de disparo con Diac para el semiciclo

positivo.
Considerando que el Triac est en estado de bloqueo, el voltaje de la
fuente de entrada Vs se ve reflejado en la rama compuesta por R1, R2, C y el
capacitor empieza a cargarse en funcin del ajuste de R1+ R2. Mientras el voltaje
en el capacitor sea menor que el voltaje de rompimiento directo +VB0, el Diac se
comporta como un circuito abierto. Cuando el valor del voltaje en el capacitor
es igual a VBO, el Diac entra en conduccin produciendo un pulso de corriente en la
compuerta del Triac permitiendo que el capacitor se descargue. El pulso de

corriente se produce debido a que la resistencia del Diac se reduce cuando

entra en conduccin. En ese momento el Triac se activa y el voltaje de la fuente
se aplica a la carga desde a .
Para el semiciclo negativo de 2
La polaridad del voltaje de entrada cambia y el capacitor empieza a cargarse con
un voltaje negativo como se muestra en la figura 2.9.
Cuando este voltaje es igual al voltaje de rompimiento inversor del Diac,

-VBO empieza a

conducir, produciendo un pulso de corriente negativo en la compuerta del

Triac haciendo que este entre en conduccin, suministrando voltaje a la carga

en el intervalo de + 2.

A partir de aqu inicia un nuevo ciclo. Como puede apreciarse de las formas
de onda de la figura con este tipo de circuito, se tiene un control de fase de ca
de onda completa.
RL
+ Vo -

R1
R2

Vs

Diac

a) Polaridad del circuito de disparo con Diac para el

semiciclo negativo.
Figura 2.9.

Clculos de los parmetros del circuito

Ejemplo:
Considere el circuito mostrado en la figura 2.10, el cual utiliza como un
interruptor el Triac BTB04A que tiene las siguientes caractersticas: voltaje de
pico inverso de 600 V, voltaje umbral VGT=1.5 y una corriente de compuerta de
IGT=25mA. El circuito de disparo utiliza como dispositivo de rompimiento el diac

DB2 el

cual tiene las siguientes caractersticas: voltaje de rompimiento VBO= 22 V,

voltaje de salida Vo=5 V, voltaje simtrico de rompimiento | | =2V.
Obtenga los valores de R1 y R2, si el circuito se alimenta a partir de una
fuente de ca de 127 V/60 Hz y operara con un ngulo de conduccin de

+ Vo
20 a 150
R1
127V
60 Hz

100

0.1
F

BTB04A

R2

DB3

Figura 2.10. Diagrama para el clculo de los parmetros del circuito de

disparo con Diac.

Resolucin:
Para el clculo de los elementos utilizaremos las graficas del fabricante On
semiconductor presentado en el manual Thyristor Theory and desing
considerations, a partir del siguiente procedimiento.
1.- Primeramente se obtiene el voltaje normalizado como una fraccin del voltaje
rms de entrada y el voltaje del capacitor
Para este ejemplo el capacitor deber cargarse hasta un valor igual al
voltaje de rompimiento del Diac VBO=22 v para disparar el Triac entonces el
VC
voltaje
normalizado
es:
32
Vrms 127
0.251
2.- Teniendo el voltaje normalizado utilizamos la figura 2.14 b y dibujamos una
lnea recta horizontal en la ordenada 0.25 y se busca la interseccin para los
ngulos de conduccin mnimo y mximo. Para obtener las constantes de tiempo.

Para el ngulo de conduccin =20

T=2 Para un ngulo de conduccin

=150 T=0.2
2.- Teniendo las constantes de tiempo se obtiene las resistencias mnima 10
(R1) y
mximo (R1+R2) del circuito, a partir de la siguiente ecuacin

T
2CF

La resistencia mnima R1 se obtiene para cuando R2 =0 y se presenta cuando el

ngulo de condicin es mximo (150), entonces

R
k

0.3

25

En seguida
se2obtiene
2CF
0.1x10la 6resistencia mxima (R1+R2) para cuando se tiene el
ngulo de conduccin mnimo =20
60

R1
R

2CF
250 K

3
2 0.1x10

60

R2= 250 k - 25 k = 225 k

El valor comercial de R2 seria
de 250 k
2.1.2.2

Circuito de disparo con el Interruptor

Bilateral de Silcio (SBS) Caractersticas:

El SBS tiene valores de voltaje de rompimiento ms bajos que los diac, los ms
comunes tienen un valor de VB0=8V.
La curva caracterstica de voltaje corriente que es similar a la de un
diac, pero el SBS tiene una resistencia negativa ms pronunciada, como se
puede apreciar en la figura.
nodo 1

nodo 2

A1

A2

G
Compuert
a

a)

b
)

11

I(mA)
Corriente de

sostenimiento IHO

Voltaje de
rompimiento
inverso
-8

Voltaje de
rompimiento directo

-6

-4

-VBO

-2

-1

+VBO

VA2-A1 (V)

-2
-3

c)
Figura 2.11. a) Smbolo del SBS, b) Dispositivo fsico, c) Curva caracterstica Corriente-Voltaje

Este dispositivo cuenta con tres terminales A1, A2 y la compuerta G.

La curva caracterstica corriente voltaje mostrado anteriormente es para un
SBS con la terminal de compuerta desconectada.
Observe que cuando el SBS entra en conduccin, el voltaje a travs de sus
terminales de nodo cae aproximadamente a 1 V
Ventajas del SBS con respecto al Diac
Tiene una conmutacin ms rigurosa.
Es ms estable trmicamente (coeficiente de temperatura 0.02%/ C.

Son ms simtricos, la diferencia entre VBO y VBO es de

aproximadamente
La difusin por lote
es menor
0.2 V.
que 0.1 v.
Uso de la terminal de compuerta de un SBS
La terminal de compuerta se puede usar para alterar el valor del voltaje de
rompimiento.
Por ejemplo si se conecta un diodo zener de 2.2 V entre la compuerta G y la
12
terminal de nodo A1, el voltaje de rompimiento directo +VBO cambia aproximadamente a
Vz + 0.6, es decir.

A1

A2

Figura 2.12. Uso de la terminal de

compuerta en un SBS

VBO

Vz

0.6

3.3 0.6

3.9 V

Regin pn del
SBS El voltaje de rompimiento inverso VBO no
se ve afectado
Circuito de disparo con SBS
Considere el circuito de disparo para el control de un en la figura, el cual
Triac mostrado como dispositivo de rompimiento
utiliza
bidireccional un SBS.
s
V
V
m

RL
R1
Vs

R2

NTE6403

V
C

a)

VB
O

VB

Vo

b)

Figura 2.13. a) Circuito de disparo con SBS, b) Curvas de los

voltajes de entrada, del capacitor, del SBS y de salida.

13

Funcionamiento:
En este circuito el capacitor se debe de cargar a un valor igual al voltaje
de rompimiento del SBS (Aproximadamente de 8 V) para poder disparar al
tiristor (Triac).
Para el semiciclo positivo de 0 .
La polaridad de la fuente de entrada Vs es positiva como se muestra en la
figura siguiente.
RL
R1

Vs

R2

NTE6403
C

Polaridad del voltaje de entrada para el

semiciclo positivo
Figura 2.14.

Y suponiendo que el Triac est en estado de bloqueo, el voltaje de la fuente de

entrada se ve reflejado en la rama compuesta por R1, R2, C y el capacitor
empieza a cargarse en funcin del ajuste de R1+ R2. Mientras el voltaje en el
capacitor sea menor que el voltaje de rompimiento directo +VB0, el SBS se
comporta como un circuito abierto. Cuando el valor del voltaje en el capacitor es igual a
VBO, el SBS entra en conduccin produciendo un pulso de corriente en la

compuerta del Triac permitiendo que el capacitor se descargue a travs de ella.

En ese momento el Triac se activa y el voltaje de la fuente se aplica a la carga
desde a .
Para el semiciclo negativo de 2
La polaridad del voltaje de entrada cambia y el capacitor empieza a cargarse con
un voltaje negativo.
Cuando este voltaje es igual al voltaje de rompimiento inverso del SBS
(Aproximadamente -8 V), empieza a conducir, produciendo un pulso de
corriente negativo en la compuerta del Triac haciendo que este entre en
14 2.
conduccin, suministrando voltaje a la carga en el intervalo de +
A partir de aqu inicia un nuevo ciclo. Como puede apreciarse de las formas
de onda de la figura con este tipo de circuito, se tiene un control de fase de ca
de onda completa.

RL
R1
R2

Vs

Polaridad del voltaje de entrada para el

semiciclo negativo
Figura 2.15.

Clculo de los parmetros del

circuito. Ejemplo:
Considere el circuito mostrado en la figura, el cual utiliza como
el

Triac

2N6072A

interruptor

que tiene las siguientes caractersticas: voltaje de pico inverso

V DRM=400V, voltaje umbral VGT=1.4 y una corriente de compuerta de IGT=5 mA. El circuito
de disparo utiliza como dispositivo de rompimiento un SBS NTE6402 el cual tiene un

voltaje de rompimiento VBO= 8 V, corriente de rompimiento de 120

2.5 V. Obtenga los valores de R1 y R2, si
el circuito se alimenta a partir de una fuente de CA de 115 V/60 Hz. Y operar
con un ngulo de conduccin de 20
RL
a 150. El capacitor utilizado para este circuito
R1
es de polister de 1 F a 250 V.
Vs

2N6073A

R2

1
F

NTE6403

Figura 2.16. Diagrama para el clculo de los parmetros del circuito de disparo con
SBS.

Resolucin:
De forma semejante al ejercicio
con DIAC, para el clculo de los elementos
utilizaremos las graficas del fabricante On
manual Thyristor Theory and desing
siguiente procedimiento.

anterior del circuito de disparo

de este
circuito
con SBS,
15
semiconductor presentado en el
considerations, a partir del

1.- Primeramente se obtiene el voltaje normalizado como una fraccin del voltaje
rms de entrada y el voltaje del capacitor
Para este ejemplo el capacitor deber cargarse hasta un valor igual al voltaje de
rompimiento del SBS VBO=8 V para disparar el Triac entonces el voltaje
normalizado es:
VC
8

Vrms 0.069
115

2.- Teniendo el voltaje normalizado utilizamos la figura 2.14 C y dibujamos una

lnea recta horizontal en la ordenada 0.069 y se busca la interseccin para los
ngulos de conduccin mnimo y mximo. Para obtener las constantes de tiempo.

Para el ngulo de conduccin =20 la constante de

tiempo es

=12 Para un ngulo de conduccin =150

la constante de tiempo es

=0.8

2.- Teniendo las constantes de tiempo se obtiene las resistencias mnima (R1) y
mximo (R1+R2) del circuito, a partir de la siguiente ecuacin

T
2CF

La resistencia mnima R1 se obtiene para cuando R2 =0 y se presenta cuando el

ngulo de condicin es mximo (150), entonces
R

0.8

2CF k 2 1x10

6.67
6

El valor comercial ser de

60
6.8 k.

16

En seguida se obtiene la resistencia mxima (R1+R2) para cuando se tiene el

ngulo de conduccin mnimo =20.
T
R1 2R

2CF

12

100
k

2 1x10 6
R2 100 k
R1 100 k
60

6.8 k

93.2 k

El valor comercial de 2 = 100

2.1.2.3

Transistor Unijuntura (UJT) (Unijuction Transistor)

El UJT es un dispositivo de 2 terminales denominadas emisor, bas 1 y base 2. El

smbolo y su circuito equivalente se muestran a continuacin:

B2

B2
B2

rB2

E
P

rBB

VEB1

B1
B1

a)

c)

b)

rB1

rB2

rB1

B1

d
)

Figura 2.17.a) Smbolo del UJT, b) Diagrama esquemtico, c) Circuito equivalente,

d) Dispositivo fsico

Operacin:
a Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1, V EB1, es menor que un cierto valor
)
denominado voltaje pico (Vp), el UJT se mantiene apagado y no puede fluir
del Emisor a la base 1 (IE=0).
b corriente
Cuando el voltaje VEB1 excede al voltaje de pico Vp, el UJT se dispara o enciende.
)
Cuando esto sucede el circuito de E a B1 se convierte prcticamente en
un circuito cerrado y la corriente comienza a fluir de una terminal a otra.

17

IE

Corriente de valle
Iv

Voltaje de pico
Ip

Vv

Vp

VEB1

Figura 2.18. Curva caracterstica corriente-voltaje para un UJT

En la mayora de los circuitos con UJT, la rfaga de corriente del emisor E a la base
B1 es fugaz y el UJT rpidamente regresa a su condicin de apagado. La curva
caracterstica corriente-voltaje para este dispositivo se muestra en la figura
2.18.
Existe una resistencia interna entre las terminales de base B2 y B1 que oscila entre los 5 a
10 k y se designa como RBB.
B2
rB2

rBB

VEB1

rB1

rB2

rB1

B1

Figura 2.19. Circuito equivalente del UJT.

El voltaje total aplicado entre las terminales de base V B2B1 se divide entre las 2
resistencias internas RB2 y RB1.
Cuando se aplica una tensin V B2B1 circula una corriente en la barra de silicio (N)
entre las dos terminales. Como la barra tiene una resistencia RBB, la corriente interbase es:

18

B2

I B2
rBB
VB2B1

IB2

VB2B1

rBB

B1

El voltaje que aparece a travs de la

se puede obtener por divisor de

voltaje de

resistencia RB1 acuerdo a la siguiente

ecuacin.
VrB1
V
r

B2B1

B2

rB1

B1 r
B2
rB2

VB
2B1

rB1

VrB1

B1

Al
cociente

1
=
se le denomina
1
1
+2
denota con la letra

coeficiente de separacin intrnseco, y se

griega

1
=
disparar el UJT el voltaje aplicado entre el emisor y la base B1 debe
Para

ser lo suficientemente grande para polarizar el diodo de la unin pn.

El voltaje VEB1 necesario para lograr esto, se da a partir de la siguiente ecuacin:

19

B2

rB2

V V V
rB1
VEB1 VD

E
BB B1
r

rB1

r B2

VD
VEB1
VrB1

rB1

B1

O bien:
VEB1

0.6 V

VBB

Este voltaje ser igual al voltaje de pico necesario para lograr la

activacin del UJT.
Oscilador de relacin con UJT
Considere el circuito mostrado
en la figura implementado en base
a un UJT.

2.20, el cual consiste

en un

oscilad de
or
relajacin

VS

RB

R2
B2
E
IE
B1

VB2

VE
CE

R1

VB1

Figura 2.20. Oscilador de relajacin con UJT

Funcionamiento:
Cuando se aplica energa al circuito, el capacitor CE se
carga a travs de la resistencia RE hasta alcanzar el voltaje Vp. En ese punto el 20
UJT se
dispara siempre que RE no sea demasiado grande.

Para poder disparar al UJT debe de entregarse una corriente mnima desde la
fuente al emisor, esta corriente se llama corriente de pico y se designa por
Ip.
Entonces el valor mximo de la resistencia RE se obtiene de la siguiente
ecuacin:
Vcc

VS R E I P VE
0

De
donde:

RB

IP
B2
E

R E VS VE
IP
IP
VS VP

B1

CE

Cuando el UJT se
dispara,

VE

R1

la resistencia interna r B1 cae prcticamente a cero permitiendo

pulso de corriente fluya del

capacitor
C E a la
que
un
resistencia R1.

VB1

t
VB2

VE
Vv

t
Figura 2.21. Formas de onda de los parmetros de salida del UJT

El

UJT

se apaga debido

a que

el capacitor C E se descarga

hasta

el punto en que

ya no puede entregar una corriente al emisor igual a la corriente de valle. Por tanto el
valor mnimo de R E se obtiene a partir de la siguiente ecuacin.

R E VS
IV
VV

21

La frecuencia de oscilacin de este tipo de oscilador se

obtiene a partir de:

fT

1
R E CE

La ecuacin anterior es bastante aproximada para valores del coeficiente de

separacin intrnseco ( ) cercanos a 0.62.

22

Circuito de disparo con UJT sincronizado por lnea para un SCR

Considere el circuito de disparo mostrado en la figura 2.22a, el cual utiliza
como dispositivo de rompimiento el UJT, para generar el pulso de disparo para el
control del SCR.
Vo
RL

Rd

R2

R EF
R EV

VS

Vz

SCR
UJT

CE

R1

a)
Vs
Vm

Vz

V R1

Vo

b)

Figura 2.22. a) Circuito de disparo con UJT para un SCR, b) Formas de onda de los voltajes de
23
entrada, del Zener, del UJT y de salida del convertidor.

Funcionamiento:
Para el semiciclo positivo de 0 a
Durante el semiciclo positivo, la polaridad del voltaje de entrada Vs es
positiva y el diodo Zener recorta la forma de onda del voltaje de entrada
y lo limita aproximadamente a 20 V; es decir Vz=20 V.
Una

vez

que

el voltaje

a cargarse a travs

de la

de de cd (Vs)

se ha

resistencia RE. Cuando

establecido, el
el capacitor

capacitor

C E comienza

alcanza el pico de

voltaje

del UJT ste se dispara creando un pulso de voltaje a travs de R1. Este pulso dispara al
SCR haciendo que el voltaje de la fuente se
el resto del simiciclo

positivo como

aplique

a la resistencia

de carga RL por

puede apreciarse en la figura anterior.

Este circuito proporciona una sincronizacin automtica

disparo del UJT y la polaridad del SCR.

entre el pulso

de

El ngulo de disparo y como consecuencia la magnitud del voltaje en la carga

est controlada por el ajuste de la resistencia variable REV.
Para el semiciclo positivo de a 2
Durante
el semiciclo negativo
el Zener se polariza directamente y
mantiene
el voltaje de alimentacin del oscilador Vz cercano a 0 V por
lo cual el capacitor no se carga y mantiene el oscilador sin generar pulsos y
Clculo de los componentes del circuito
el SCR apagado.
Considere el circuito mostrado en la figura 2.22, el cual utiliza un
diodo Zener de 20 V y una potencia
de 1 W. Como
dispositivo de
rompimiento

se

utiliza

el

UJT

2N4871

que

presenta

las siguientes

caractersticas: voltaje interbase mximo V B2B1=25 V, coeficiente de separacin intrnseco

= 0.7,

resistencia interbase rBB=9.1 k, voltaje de valle Vv= 2 V, corriente de valle

Iv= 4 mA y una corriente de pico Ip= 5 A y como dispositivo de potencia el

SCR CS222-2M con un voltaje de pico inverso de VDRM= 600 V, una corriente
IRMS= 2 A, un voltaje umbral de = 0.8 . Determine los valores de , ,

1 , 2 , .

24

100
100W

Rd

R EF

VS

1W

Vz

R2

REV

1N4747A

CS223-2M
2N4871

CE

R1

Figura 2.23. Diagrama para el clculo de los parmetros del circuito de disparo con
UJT.

R
esolucin
: Datos:

12 =
25 V

= 2
0.7

rBB 9.1
k

IV
4mA
IP 5
A

a)
Clcul
o de la
resiste

25

ncia R1
El valor de la resistencia 1 se debe mantener tan bajo como sea posible pero de

 Vz R2 I R1 rBB I R1
R1 I R1 0

Vz VRZ2 rBB R1 I R1
20V
I R1

0 R2 RBB R1 R2 RBB
R1

R2
1W

Vz
2N4871

R1

rBB

IR1

Debido a
2 +1 << , la corriente IR1 se puede
que
20
aproximar a:
1 = 20
=
= 2.19

9.1 k

Considerando que la mayora de los SCR tienen un voltaje de disparo = 0.71.5 V, es conveniente establecer el voltaje en 1 aproximadamente a 0.2 volts,
para evitar que se dispare por s solo.
Entonces:
0.

1 =1 1
=2
100

b)

2.2

= 91

Clculo de la resistencia

La resistencia RE debe ser lo suficientemente pequea para permitir que una corriente
suficiente fluya dentro del emisor para activar el UJT. Por otro lado debe ser

lo suficientemente grande para impedir que el UJT se bloquee, es decir, no

debe permitir que al emisor fluya una corriente igual a la de valle una vez que el
capacitor se ha descargado.
20

=2
= 4.25
Entonces

4

=
Lo que significa que >4.25 k para que el UJT se apague. El valor
comercial inmediato superior para REmin es:

= 4.7

El valor mximo de se obtiene de la ecuacin

26

= + = 0.7(20 ) + 0.6 =
14.6
Sustituyendo el valor de Vp se
tiene:
20 14.6
A continuacin se obtiene un valor medio para la
=
= 1.08
resistencia5
106
ambos valores a partir de la siguiente ecuacin:

toman
do

la
media

geomtrica
de

= ( )
( )

= 4.25
1.08
= 67.7
El valor comercial inmediato superior
sera de:
= 100

Entonces el valor mnimo y mximo de son:

= = 4.7
= = 100

c) Clculo del capacitor

Para ello se considera un constante de tiempo mxima igual a la
mitad de un periodo.

REtotal * C E

CE

T
REtotal

27

8
103
4.7 3 10 100 103

CE

valor
0.079 comercial
F
El
puede ser
de 0.1 F

d) Calculo de la resistencia R2

Para lo mayora de los UJT la mejor estabilidad de temperatura se logra con R 2

entre 500 a 2000 . Por tanto se le puede asignar un valor a R 2 = 1 k

e) Clculo de D y .
Se considera que el diodo Zener puede disipar una potencia de 1 W pero debido a
que solo trabaja en el medio ciclo positivo ya que el negativo la potencia
consumida es despreciable el diodo Zener podr disipar2 W.
Pmedia

IZ

VZ

Entonces la corriente permitida a travs del Zener es:

2W
I Z Pmedia
100
VZ
20V mA
Esto implica que deber tener un valor suficiente para manejar una corriente
no mayor a 100 mA.
Por tanto el valor de es:

Rd

LINEA

20VI Z

V
Z

127

100 mA

1070

Es conveniente dar un margen de seguridad de seguridad de disipacin de

energa de 2:1 por tanto.

Rd 2.2 k

28

La potencia para se obtiene de la

manera siguiente:

PRd V

Rd

107
2

2.2 10

5.2
W
3

El valor comercial
5W

29

2.2

Circuitos de disparo con aislamiento

En los convertidores con tiristores existen diferencias de potencial entre las

diferentes etapas que integran el sistema. La etapa de potencia que es
la que maneja el voltaje y corriente
que le suministran a la carga est
sujeto a un alto voltaje por lo general mayor de 100 V, mientras tanto la etapa
de control que es la que proporciona los pulsos a la compuerta de los tiristores,
se mantiene a un voltaje bajo tpicamente de 5, 12 a 20 V. Por tanto se requiere
un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador
de pulsos de compuerta. El aislamiento se puede lograr mediante
optoacopladores o con transformadores de pulsos. Los
circuitos de
disparo
con aislamiento se utilizan para separar la etapa del circuito de
control, de la etapa del circuito de potencia en un rectificador de potencia.

2.2.1 Circuito de disparo acoplado pticamente.

Optoacopladores
Hay muchas situaciones donde las seales y datos tienen que ser
transferidos de un subsistema a otro sin hacer una conexin elctrica fsica. A
menudo esto se debe a que la fuente y el destino estn a niveles de voltaje
muy diferentes, como por ejemplo un microprocesador que maneja de 5
Vcd, pero se usa para controlar a un Triac que maneja una carga de 240 V de
ca. En tales situaciones el enlace entre ambos dispositivos debe estar aislado,
para proteger el microprocesador de un posible dao por sobrevoltaje.
Los relevadores desde luego pueden proporcionar esta clase de aislamiento, pero
an los relevadores pequeos tienden a ser voluminosos comparados con los
actuales circuitos integrados. Como los relevadores son electromecnicos, no
son tan como confiables y slo son capaces de operar a baja velocidad. Donde
se
dispone de tamao pequeo y se requiere una mayor
velocidad de
conmutacin as como una mejor confiabilidad la mejor alternativa es usar un
optoacoplador.
Los Optoacopladores tpicamente vienen en un chip de 6 o de 8 pines, pero son
esencialmente una combinacin de dos dispositivos distintos: un transmisor
ptico, tpicamente un LED de galio o arsnico y un receptor ptico como
un fototransistor o un diac activado por luz. Los dos estn separados por
una barrera transparente que bloquea cualquier flujo de corriente elctrica entre
los dos componentes, pero permite el paso de luz. La
figura siguiente
muestra el tipo
de circuito integrado de un optoacoplador as como
su
30
smbolo habitual.

Figura 2.24. Optoacoplador a) Dispositivo fsico, b) Estructura interna, c) Smbolo.

Caractersticas de los optoacopladores

Por lo general las conexiones elctricas (pines) de la seccin de entrada del
optoacoplador (LED) estn sobre
un lado del CI y aquellas para la salida
(fototransistor) del otro lado del chip, para separarlos fsicamente tanto como
sea posible. Esto por lo general permite a los optoacopladores
manejar
tensiones que van de 500 V a 7500 V entre la entrada y la salida del dispositivo.
Los optoacopladores son dispositivos de conmutacin esencialmente digitales
por tanto
son los mejores para control y la transferencia de datos
digitales. Las seales analgicas pueden ser transferidas mediante la
modulacin de anchura de pulso o la frecuencia.
El parmetro ms importante para la mayor parte de optoacopladores
es
su
eficiencia
de transferencia, usualmente medida en trminos de su
relacin de transferencia corriente (CTR). Esto es simplemente la relacin
entre un cambio de corriente del transistor de salida y el cambio en la
corriente de entrada del LED que lo produjo.
Valores tpicos para CTR se van del 10 al 50 % para dispositivos con un
fototransistor de salida y hasta el 2000 % para aquellos con un par Darlington en
la salida.
Otros parmetros
importantes son: el voltaje colector-emisor mximo (VCEmax), la corriente
Optoacoplador
MOC2010
entrada
mxima del LED
y la frecuencia
200 a 200
kHz
El optoacoplador
MOC2010
consiste de
deconmutacin
un diodo emisor
infrarrojo
de galio

arsnico acoplado pticamente a un interruptor bilateral de silicio y es

diseado para aplicaciones que
requieren la activacin de Triac con
asilamiento, una pequea corriente alterna de conmutacin y un aislamiento
elctrico alto (7500 Vp), adems de un pequeo tamao y bajo precio.
31

Algunas de las aplicaciones recomendadas para este tipo de optoacoplador

para 115 Vac (rms) son: Control de vlvulas de solenoide.
Balastros de lmparas fluorescentes.
Aislamiento entre microprocesadores y sus
perifricos de 115 Vca. Control de motores.
Relevadores de estado slido.
Dimer para lmparas
incandescentes. Interruptores
estticos de ca.
La figura siguiente muestra las conexiones del MOC2010 controlando a un Triac
con diferentes tipos de cargas.

a
)

b
)

Figura 2.25. Conexin del optoacoplador MOC2010 a) Para carga resistiva, b).
Para carga inductiva.

32

La figura
siguiente muestra
la
conexin del optoacoplador MOC2010
controlando al Triac 2N6154 con la finalidad de separar la etapa de control
que constituye

el microprocesador de la etapa de potencia conformada por el Triac,

la lmpara de 100 W y la fuente de 110 V CA.

2.2.2 Circuitos de disparo acoplados

magnticamente. Transformador de
pulsos
Los trasformadores de pulsos provn una separacin galvnica entre el
circuito de control de compuerta y la trayectoria de alto voltaje del circuito
convertidor con tiristores.
Los transformadores de pulsos slo tienen un devanado primario, y pueden
Devanado
Devanado
tener
uno o ms devanados
secundarios. Con varios devanados secundarios
secundario
primario
se pueden tener seales simultneas de compuerta para tiristores conectados en
serie o en paralelo.
Polaridad

a)
b)
Figura 2.26. Transformador de pulsos a) Smbolo, b) Variedad de
dispositivos fsicos

Caractersticas:
Tiene una relacin de vueltas 1:1
El devanado secundario se conecta a la compuerta G y al
ctodo K del tiristor El primario es excitado por el circuito de
control.

33

Interruptor Unilateral de Silicio (SUS)

El SUS es un dispositivo de rompimiento que se activa en una sola direccin del
voltaje aplicado. Es esencialmente un SCR miniatura, consta de tres terminales
nodo ctodo y compuerta y tambin se considera un dispositivo de rompimiento.
Aunque
los
dispositivos
de
rompimiento
unilateral
son
ms
frecuentemente empleados en el control de SCRs, tambin pueden ser
empleados en el control de Triac mediante un circuito de apoyo.
El smbolo esquemtico y la curva
muestran en la figura siguiente.
A

caracterstica Corriente-Voltaje del

SUS

se

b)

a)
I

VS

VAK

c)
Figura 2.27. Interruptor unilateral de silicio a) Smbolo, b) Dispositivo fsico, c) Curva caracterstica
corriente-voltaje,

El SUS, como
caracterstica
Conectando
puede reducir

el SBS, tienen una terminal de compuerta que puede cambiar la

bsica de rompimiento
mostradas en
la
figura
anterior.
un diodo Zener entre la compuerta y el ctodo de un SUS, se
el voltaje rompimiento a VZ + 0.6 V.

Caractersticas del SUS:

Voltaje de ruptura Vs de 6 a 10 volts
Corriente de rompimiento Is de 0.5
mA mxima Pulso pico de voltaje Von
DE 2.5 Volts

34

2.2.2.1 Circuito de disparo con aislamiento utilizando el

Interruptor Unilateral de Silicio SUS (Silicon Unilateral Switch).
Considere el circuito de disparo acoplado magnticamente, el cual utiliza
como dispositivo de rompimiento un SUS y un circuito de apoyo adecuado
para controlar a un Triac para lograr un control de fase de ca de onda
completa.
Vs
RL

Vm
R1

R2

SUS
127 Vca

MT2

VPUENTE
T1

MT1

Vm

VC
VS

IPRIM

ISEC

Vo

Figura 2.28. Circuito de disparo aislado magnticamente

Funcionamiento
El rectificador tipo puente suministra un voltaje rectificado
de onda completa. El voltaje a trasvs del capacitor tiende a seguir el voltaje de
por R2.
Cuando el capacitor alcanza el voltaje de rompimiento del SUS (6-10 V)
ste entra en conduccin aplicando un pulso al devanado
primario del
35
transformador de pulso T1 permitiendo que el capacitor se descargue
a
travs de l. El transformador de pulsos acopla o transfieren el pulso del
primario al devanado secundario haciendo que se aplique un pulso de disparo
salida

del

puente

(Vpuente)

con

la

cantidad

de

retraso determinado

entre la compuerta G y la terminal MT1 del Triac

provocando que entre en

conduccin aplicndose el voltaje de la fuente de ca (127 Vca) a la carga.

El Triac se mantiene encendido hasta que concluya en el 1er semiciclo. El
proceso se repite para el 2 semiciclo ya que el voltaje que alimenta al
SUS es el de salida del puente y se tiene como consecuencia un control de
fase ca de onda completa alimentando a la carga.
Es bueno observar que la polaridad del voltaje del secundario de T1 esta
invertida respecto al primario, esto implica que la corriente aplicada a la
compuerta G y a la terminal MT1 del Triac es negativa.
Como se sabe, la direccin de la corriente de compuerta de un trac no tiene
que concordar con la polaridad de su terminal principal, es decir un Triac
se puede disparar con una corriente de compuertas positiva o negativa y se
tiene los siguientes casos.
1.- Voltaje de terminal principal positivo, corriente de
compuerta positivo. 2.- Voltaje de terminal principal positivo,
corriente de compuerta negativo. 2.- Voltaje de terminal
principal negativo, corriente de compuerta negativo. 4.Voltaje

de

terminal

principal

negativo,

corriente

de

compuertas positivo.
El voltaje de terminal principal positiva significa que MT2 es
ms positivo que MT1.
Los Triac modernos se disparan
vuelve ms difcil en el modo 4.

bien en los modos 1, 2, 2, pero el disparo se

36

2.3

Circuitos de disparo utilizando dispositivos digitales.

Timer

Disparo de tiristores con el circuito integrado 555.

El CI 555 es un Circuito Integrado (CI) de propsitos generales que segn la
forma como se conecten los componentes externos puede operar como oscilador
estable, monoestable, modulador de ancho de pulso, etc.
Comercialmente se puede encontrar con los siguientes nombres NE555, SA555,
LM555 dependiendo del fabricante. Su forma ms popular es un chip de 8 pines
como se muestra en la figura.
Vcc
8

GND

TRI

V+

THR

5k

Umbral
3

OUT

DIS

RST

CV

Control
5

S Q

3 Salida

principal

5k
R

Q
7

Disparo

Descarga

5k

Gnd

Reset

Figura 2.29. Timer

555

Elementos que constituyen el CI555

Comparador de tensin.
Este dispositivo compara una tensin variable con otra que normalmente es
constante denominada tensin de referencia, dndonos a la salida una tensin
positiva o negativa dependiendo del valor de las seales de entrada. Consta de
dos entradas denominadas entrada inversora V- y no inversora V+ y la terminal
de salida Vo.
37
Usando un amplificador
operacional en lazo abierto ste se comporta
como un comparador de tensin.

VCC

V-

VO

V+

VEE
Figura 2.30. Amplificador
Operacional

V-= Entrada
inversora V+=
Entrada no
inversora Vo=
Salida
VCC = Alimentacin
positiva VEE=
Alimentacin negativa

El voltaje de salida
en lazo abierto es:

VO AV V V

12 V
V
La ganancia de voltaje
en lazo abierto
es aproximadamente
m
VO de comparadores.
de = 1105 1 Ejemplos
Vi

Vi
Vo
12
V

Fi
gura 2.31. Comparador de voltaje

38

Vi
+12 V
VO
V
i

Vre
f

Vre
f

0-10V

-12 V

Vo
12
V

-12 V

Figura 2.32. Comparador de

voltaje

Flip Flop RS
S

Figura 2.33. Flip Flop RS

Tabla de verdad del FlipFlop RS

S
Q
ACCIN

0
Q
Sin cambio

0
1
1

1
0
1

1
0

0
1

Set
Reset
No permitido

39

Operacin del 555 como oscilador estable.

La figura siguiente muestra el diagrama de conexin del CI555 para
operar como oscilador astable. En esta configuracin, el timer 555 produce en
su salida (Pin 2) un tren de pulsos de cierta frecuencia determinada por el valor de
RA, RB y C
+12 V
5k
RBA
R

Comparador
de reinicio

5k

tHi

tLo

7
Comparador
de inicio
C

5k

+12 V

Figura 2.34. Funcionamiento del 555 como

Oscilador Astable

Funcionamiento:
Se observa que el CI555 est alimentado a partir de una fuente de 12 Vcd y
debido a la conexin en serie de las resistencias internas de 5 k se tiene
un divisor de voltaje de 4, 8 y 12 V como se muestra en la figura
siguiente. Este divisor de voltaje hace que se tenga 4 V a la entrada de la
terminal no inversora del comparador de inicio y 8 V a la entrada de la
terminal inversora del comparador de reinicio.

40

+12 V

8
RA
5k
RB

Comparador
de reinicio

+8 V
6

5k

+4 V
Comparador
de inicio
C

5k

Figura 2.24 Funcionamiento del 555 como Oscilador Astable, contina

Partiendo de que el capacitor C esta descargado, el voltaje en las

terminales de disparo (2) y umbral
(6) es cero y de acuerdo a los divisores de voltaje de las resistencias
internas del CI de 5 k, los voltajes a la entrada de los comparadores y los
estados lgicos a la entrada del flip-flop son los que se muestran en la figura.
+12 V

8
RA
5k
RB

+8 V
6
0V
5

Comparador
de reinicio

0V

0
1
1

1
0
1

1
0

0
1

ACCIN
Sin cambio
Set
Reset
No permitido

5k

+4 V
Comparador
de inicio

0V
C

5k

Figura 2.24 Funcionamiento del 555 como Oscilador

Astable, contina

41

Y de acuerdo a la tabla de verdad del Flip-Flop RS esto provoca que la salida

principal del 555 (pin 2) se vaya a estado alto.
El capacitor empieza a cargarse a travs de las resistencias RA y RB y al llegar el voltaje
de su placa superior a 4 V el comparador de inicio cambia su salida de 1 a 0 como

se muestra en la figura.
+12 V
8

RA
5k
RB

+8 V
6
>4 V
5

Comparador
de reinicio
0

5k

>4 V

0
1
1

1
0
1

1
0

0
1

ACCIN
Sin cambio
Set
Reset
No permitido

+4 V
Comparador
de inicio

>4 V
C

5k

Figura 2.24 Funcionamiento del 555 como Oscilador Astable, contina

Y de acuerdo a la tabla de verdad, los estados S=0 y R=0 no cambian el

estado anterior del flip-flop permaneciendo la salida 2 en alto

El capacitor C continua cargndose y el voltaje en su placa superior creciendo.

Cuando llega a ser igual o mayor que 8 V, el comparador de reinicio cambia su
salida a 1 y los estados lgicos a la entrada del FF son como los mostrados en la
figura:

42

R S Q

+12 V

8
RA
5k
RB

Comparador
de reinicio

+8 V
6

1 R

5k

0
1
1

1
0
1

1
0

0
1

>8 V
5

>8 V

ACCIN
Sin cambio
Set
Reset
No
permiti
do

+4 V
Comparador
de inicio

>8 V
C

5k

Figura 2.24 Funcionamiento del 555 como Oscilador Astable, contina

Esto provoca que la salida principal se vaya a estado bajo en tanto que la salida
complementaria pasa a alto, esto provoca que el transistor se active haciendo
que la terminal de descarga (7) se vaya a tierra permitiendo que el capacitor se
descargue a travs de la resistencia R B para comenzar un nuevo ciclo, como se explica a

continuacin.

+12 V

RA
5k
RB

+8 V
6
>8 V
5

Comparador
de reinicio

5k

>8 V

+4 V
Comparador
de inicio

>8 V
C

5k

43
Figura 2.24 Funcionamiento del 555 como Oscilador
Astable, contina

A medida que el voltaje en el capacitor desciende la salida en los comparadores

de reinicio e inicio tambin cambian.
Cuando el voltaje de la placa superior del capacitor desciende un poco menos
de 8 V la salida en el comparador de reinicio cambia a bajo (0 V) y los estados
lgicos de la entrada del FF iguala R=0, S=0, lo cual no provoca cambio a
la
salida
del
flip
flop
manteniendo
en
estado
alto
la
salida
complementaria (7) permitiendo que el capacitor contine descargndose.
Cuando el voltaje en el capacitor es un poco menor de 4 V, en ese momento, el
comparador de inicio cambia su salida a 1 y el FF con estados lgicos S=1
R=0, cambia el estado en sus salidas, la salida principal (2) cambia a alto en
tanto que la complementaria a bajo, desactivndose el transistor y un nuevo
ciclo de carga del capacitor inicia.
2VCC
3VC

Voltaje en el capacitor

1
3VC
C

Salida (3)

tHi

tLO

Figura 2.35. Formas de onda del voltaje en el capacitor y en la salida del 555.

Las ecuaciones para determinar los tiempos de encendido y apagado

como el periodo se obtienen a partir de las siguientes ecuaciones.

t Hi 0.7R A
RB C t LO
0.7RB C
T 01.1RA
RB C

44

as

2.3.1.1

Circuito de disparo con el 555 para SCR

Considere el circuito mostrado en la figura siguiente. Convertidor

de onda completa el cual utiliza para el control del ngulo de
disparo el CI 555.
R4

2 TR

C2

DIS

0.1 F

V+

3
Q
8 THR

RL
TIC 106B
R9

R6
Q1
C1

10 K

1.8 K

4.7 K
33 K
R7

R8

CV

R2

180

1 GND

R3

50 K

POT
R1

C3 47 F

D6 12V

NE555N

1.2 K

10 K

1 K

36 Vef de CA

BC337

0.22 F

Figura 2.36. Circuito de disparo con el 555 para un SCR en un convertidor onda completa.

Funcionamiento
Se parte de una fuente de ca la cual al pasar a travs del puente de diodos es
rectificada. El tiristor (SCR) y la resistencia de carga estn conectados a este
voltaje de salida del puente.
Posteriormente este voltaje es fijado a 12 V por medio de la resistencia de 1.2
k
y el diodo Zener de 12 V y el capacitor de 4.7 F para alimentar el CI 555.
El 555 opera en modo de oscilador estable mediante el ajuste del
potencimetro de 50 k
=
4.7
y = 180
sin embargo es necesario intervenir la salida del 555
para producir el tiempo
de retardo (ngulo de disparo ) ya que al iniciar la carga del capacitor la salida
del 555 es alta y si se conecta directamente a la compuerta del SCR, este
inmediatamente comenzara a conducir.

45

Vs
V
m

Salida (Pin 3)

tHi
V GK

Figura 2.37. Figura que muestra porque es necesario invertir la salida del 555.

Por tanto se debe invertir este proceso, es decir el tiempo que permanece la
salida del 555 en alto (hasta que el capacitor se carga a 2/2 Vcc), ser el tiempo
de retardo y cuando la salida vaya abajo en ese momento debemos disparar al
SCR. Esto se realiza por medio del transistor Q1 de la forma
siguiente. Cuando la salida del 555 es alta se aplican 12 V a la base del
transistor Q1 , ste entra en saturacin haciendo que la terminal de compuerta
del SCR quede conectada a tierra, evitando que el SCR se dispare.

Q1

10 K

BC337

1 K

RL

10 K

R3

R9
R6

1.8 K

R8

R7

33 K

RL

1.8 K

R8

33 K

R7

R3

12 V

10 K

12 V

R9
R6
10 K

1 K
Q1
BC337

Figura 2.38. Inversin del pulso de salida del 555

Cuando la salida del 555 pasa a estado bajo (0 V), permite que la base
del

transistor

Q1

quede conectada a 0 V haciendo que este se desactive

pasando a corte. Al desactivarse el transistor evita que la terminal de compuerta

siga conectada a tierra entonces el voltaje de salida del puente (12 V) se aplica a
la compuerta a travs de la resistencia de 1.8 k
y 1.2 k
disparando al
46
SCR.

0V

Q1

10 K

BC337

RL

R3
1.8 K

R8

R7

33 K

R3
1.8 K

R8

33 K

R7

RL

R9

R9
R6

10 K

12 V

10 K

12 V

R6

1 K

10 K

Q1
BC337

1 K

Figura 2.39. Inversin del pulso de salida del 555

El tiempo de

retardo (tHi) para

el circuito

de disparo depende del ajuste

del

potencimetro y se determina mediante la siguiente ecuacin.

t Hi 0.7POT R1 R2 C1
La sincronizacin entre el cruce por cero del voltaje de entrada y los pulsos
generados por el 555 se logra utilizando la terminal de reset (pin 4) del 555,
como puede observarse esta terminal est conectada al voltaje de salida
del puente rectificador y cada vez que el voltaje llega a su cruce por cero (0 V)
el 555 se resetea e inicia un nuevo ciclo.

47

2.4 Bibliografa:
1]. Timothy, J. (2006). Electrnica industrial moderna (5 edicin). Mxico:
Pearson Education. 2]. Muhammad R. (2004). Electrnica de potencia ( 2
edicin). Mxico: Pearson/Prentice Hall

48