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Semiconductores
Un semiconductor es una sustancia que
se comporta como conductor o como
aislante dependiendo del campo elctrico
en el que se encuentre.
Tipos de Semiconductores
Intrnsecos
Con propiedades semiconductoras, por su composicin natural
Extrnsecos
Son semiconductores intrnsecos, a los que se aaden impurezas
(en un proceso llamado dopado), para mejorar sus propiedades.
Tipo N
El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material (los electrones son portadores de
carga negativos)
Tipo P
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos (los
huecos son portadores de carga positivos)
UNFV - FIEI 2015-II
Diodos
Un DIODO se obtiene de la
Semiconductor Tipo P y uno Tipo N.
unin
de
un
de
dos
Tipos de diodos
Diodo rectificador
En P.D. conduce corriente. En P.I. no conduce.
Diodo LED
En P.D. conduce corriente y emite luz.
En P.I. no conduce corriente y no emite luz.
Fotodiodo
Opuesto al anterior. En P.I. absorbe luz detectada
y conduce corriente
Diodo Zener
En P.D. como el diodo rectificador
En P.I., si se supera cierta tensin (tensin Zener)
conduce tambin.
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
V
-
EJEMPLO:
Un smil hidrulico (sistema elctrico para el paso de agua) podra ser una
vlvula anti-retorno, permite pasar el agua (corriente) en un nico sentido.
h1
h2
Caudal
h1 - h 2
Electrones libres
+
+
+
+
+
+
Impurezas grupo V
300K
Huecos libres
300K
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
Semiconductor tipo P
+
+
Semiconductor tipo N
La unin P-N
Zona de transicin
Semiconductor tipo P
+
+
Semiconductor tipo N
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente
+
+
+
+
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
+
+
+
+
La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica
DIODO SEMICONDUCTOR
DIODO REAL
nodo
p
ctodo
i [mA]
Ge
Si
V [Volt.]
Smbolo
-0.25
Silicio
Germanio
I D I S e
V D q
K T
0.25
0.5
i [mA]
i [mA]
30
Ge
Si
Si
Ge
V [Volt.]
-0.25
0.25
V [Volt.]
0
-4
0.5
i [A]
i [pA]
V [Volt.]
0
-0.5
Ge
V [Volt.]
0
-0.5
Si
-0.8
-10
I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
Ideal
I
Tensin de codo y
Resistencia directa
V
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V
DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
Tensin inversa
mxima
I
Lmite trmico,
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
VR = 1000V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 50 nA
Corriente inversa
VR = 100V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 150mA
Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 25 nA
Corriente inversa
VR
iS
Vd
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
1N4007). Normalmente aparecern varios
fabricantes para el mismo componente.
Bajafrecuencia
frecuencia
Alta
iS
Regulador
50 Hz
Filtro
6V
Rectificador
220 V
50 Hz
Transformador
Fuente de alimentacin
5V
1. Transformador
Transformador
seal de
c.a.
vE
vS
seal de c.a.
ms pequea
vE
vS
Entrada
+
vE
c. pseudocontinua
vS 0
D
RL
Rectificador
Salida
+
vS vR
vE
T
2
vS
t
DA
vEA vE
vEA
vEB vE
vEB
RL
v +
S
+
DB
Segunda opcin:
+
v EA
v EB
+
DA
RL
+
vS
DB
1.VEA>0yVEB<0
DA
vEA
2.VEA<0yVEB>0
RL
EB
vS
+
v
+
D
vE
vEA
vEB
t
vS
t
3. Filtro
Entrada
+
vE
Filtro
Salida
Rectificador
vS vR
vS
t
T
4
5T
4
vE
vE vC
vE vC
Filtro con rectificador de onda completa
T
4
t
3T
4
EA
v v v v
EB
C
EA
EB
4. Regulador
Entrada
Regulador
+
vE
RL
Salida
vS vR
vS
Vmin
VZ
vS
Vmin
VZ
ID
ID
+ VD
ID
I.P.
D.P.
V Z
0,7V
VD
ID
I.P.
D.P.
VZ regin normal
0,7 V
regin Zener
VD
ID
ID
IZ
VZ
+ VD
D. P. :
I. P. :
regin normal:
ID 0,7 V
Ecuacin Condicin
VD 0,7 V ID 0 IZ 0
+VD 0,7 V
ID 0
ID 0
IZ
VZ
+ VD VZ
VZ VD 0,7 V
conocido
Vparmetro
Z
+ VD
regin Zener:
IZ
IZ
VD VZ
IZ 0 I D 0