INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR

DE SAN
NDRES TUXTLA
MATERIA: ELECTRNICA ANALGICA.
DOCENTE: DR. JOSE ANGEL NIEVES VAZQUEZ.
TEMA: TENSIN UMBRAL DE CODO O DE PARTIDA.
INTEGRANTES: WILLIAM CHONTAL ALEGRIA
CARMELO PALAFOX LAGUNES
ALFONSO ALEJANDRO LPEZ DAMIAN
SERGIO MERLIN TOTO
EDGAR ANDRADE AGUILAR

INTRODUCCIN
El diodo tiene un papel muy importante en la tecnologa moderna.
Prcticamente cada sistema electrnico, desde el equipo de audio
hasta el computador usa diodos de una u otra forma. El diodo puede
ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible
a la polaridad.

QU ES UN DIODO?
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido.

BREVE HISTORIA SOBRE EL

DIODO

Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados

vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de
vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas
incandescente.

DIODO SEMICONDUCTOR
El
primer
diodo
fue
probado
en1905.La
tecnologa
de
semiconductores de germanio y siliciose introdujo en los aos 30. El
diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo de estado slido,
tiene muchas ventajas importantes sobre el diodo de vaco.El diodo
de estado slido es mucho ms pequeo, barato, y muy
confiable.Actualmente los diodosde vaco son usados en muy raras
ocasiones.

TENSIN UMBRAL, DE
CODOODE PARTIDA(V).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de
carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el
diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando
la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de
tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

 La diferencia depotencial atravs dela capa deagotamientose

llama Potencial de barrera. Este potencial de barrera, a una
temperatura de 25C (ambiental), es igual a 0.7 V para diodos de
silicio (los diodos de germanio tienen un potencial de barrera de 0.3 V
y los de Arseniuro de galio, AsGa, 1.2 V)

 Despus de cierto punto, la capa de agotamiento acta como una

barrera para la posterior difusin de e- libres atravs dela unin.Por
ejemplo,imagnese una e- libre en la regin n difundindose a la
izquierda hacia el interior de la capa de deplecin.Aqu encuentra una
pared negativadeionesempujndolohacialaderecha.Siel e- libre
tiene suficiente energa, puede romper la pared y entrara lareginp,
donde cae en un hueco y crea otro ion negativo. La energa de la capa
de agotamiento contina aumentando con cada cruce de e- hasta que
llega al equilibrio; en este punto la repulsin interna de la capa de
agotamiento detiene la difusin posterior de e- libre a travs de la
unin. El voltaje producido a travs de la unin depende de la energa
promedio del electrn delas regiones P yN.

CONCLUSIN
Los diodos son elementos importantes en la electrnica que nos rodea
hoy en da, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos
conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento.

REFERENCIAS
Electrnica, J.M. Calvert, M.A.H. McCausland, Edit. Lumisa.
Fundamentos de electrnica, Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky,
Cuarta edicin, Edit. Person Education