FAMILIAS LGICAS

MOS Y CMOS

MOS Y CMOS
DIAGRAMA
FUNCIONAMIENTO
CARACTERISTICAS
ABANICO DE SALIDA
RETARDO DE PROPAGACIN

DISCIPACIN DE POTENCIA
MARGEN DE RUIDO

VALORES DE VOLTAJE PARA 0 Y 1

COMPUERTAS BSICA

Unaestructura MOS(Metal-OxideSemiconductor) es un dispositivo

electrnico formado por un sustrato
desiliciodopado, sobre el cual se
hace crecer una capa de xido
(SiO2). Los elementos se contactan
con dos terminales metlicas
llamadas sustrato y compuerta. La
estructura
se
compara
con
uncondensadorde placas paralelas,
en donde se reemplaza una de las
placas por el silicio semiconductor
del sustrato, y la otra por un metal,
aunque en la prctica se usa
polisilicio,
es
decir,
un
policristaldesilicio.

FUNCIONAMIENTO
ExistendostiposdetransistoresMOSFET,ambosbasadosenlaestructuraMOS.
Los MOSFET deenriquecimientose basan en la creacin de un canal entre el

drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la

compuertaatraeportadoresminoritarioshaciaelcanal,demaneraqueseformauna
regindeinversin,esdecir,unaregincondopadoopuestoalquetenaelsustrato
originalmente. El trminoenriquecimientohace referencia al incremento de
laconductividad elctricadebido a un aumento de la cantidad deportadores de
cargaen la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentracin deelectrones(en un nMOSFET o NMOS),
ohuecos(enunpMOSFEToPMOS).DeestemodountransistorNMOSseconstruye
conunsustratotipopytieneuncanaldetipon,mientrasqueuntransistorPMOSse
construyeconunsustratotiponytieneuncanaldetipop.
LosMOSFETdeempobrecimientotienenuncanalconductorensuestadodereposo,

que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la

compuerta,locualocasionaunadisminucindelacantidaddeportadoresdecargay
unadisminucinrespectivadelaconductividad.

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

COMPUERTAS BASICAS

CARCTERSTICAS

ABANICO DE SALIDA
El abanico de salida (fan-out o carga mxima

de salida) de una compuerta especifica el

nmero de cargas estndar que es posible
conectar a la salida del CI sin degradar los
niveles lgicos (sin reducir el margen de
ruido).
En los CI CMOS tpicamente se pueden
conectar de 8 a 50 cargas.

NIVELES LGICOS

VOL (MAX)

0V

VOH (MIN)

VDD

VIL (MAX)

30% VDD

VIH (MIN)

70% VDD

NIVELES LGICOS
VOL (MAX)

0V

VOH (MIN)

VDD

VIL (MAX)

30% VDD

VIH (MIN)

70% VDD

De esta forma, cuando un CMOS funciona

con VDD = 5 V, acepta voltaje de entrada
menor que VIL(mx) = 1.5 V como BAJO, y
cualquier voltaje de entrada mayor que VIH
(mn) = 3.5 V como ALTO.

INMUNIDAD AL RUIDO
Se denomina ruido a cualquier perturbacin

involuntaria que puede originar un cambio no

deseado en la salida del circuito.
Los circuitos lgicos deben tener cierta inmunidad al

ruido la cual es definida como la capacidad para

tolerar fluctuaciones en la tensin no deseadas en
sus entradas sin que cambie el estado de salida.

INMUNIDAD AL RUIDO
Si la tensin de ruido en la entrada de una puerta

hace que la tensin de nivel alto caiga por debajo de

VIHmn el funcionamiento no ser predecible.
Del mismo modo si el ruido hace que la tensin de
entrada para el estado bajo pase por encima de
VILmx, se crea una condicin indeterminada.

DISIPACIN DE POTENCIA
Los mrgenes de
ruido son los mismos
en ambos estados y
dependen de VDD. En
VDD = 5 V, los
mrgenes de ruido
son 1.5 V.
El margen de ruido
ser mayor para
mayores voltajes de
VDD

DISIPACIN DE POTENCIA
Tal y como comentamos, uno de los principales motivos del

empleo de la lgica CMOS es su muy bajo consumo de

potencia. Cuando un circuito lgico CMOS se encuentra
esttico, su disipacin de potencia es extremadamente baja,
aumentando conforme aumenta la velocidad de conmutacin.
Se produce una disipacin de potencia DC tpica del CMOS de
slo 2.5 nW por compuerta cuando VDD = 5 V
An en VDD = 10 aumentara slo 10 nW.
Con estos valores de disipacin de potencia es fcil observar
por qu la familia CMOS se usa ampliamente en aplicaciones
donde el consumo de potencia es de inters primordial.

RETARDO DE PROPAGACIN
Cuando una seal digital pasa a travs de un
circuito lgico, siempre experimenta un retardo
temporal llamado tiempo de retardo de
propagacin. Este tiempo es muy importante
porque limita la frecuencia mxima a la que es
posible trabajar.

RETARDO DE PROPAGACIN
tPLH (tiempo
de
propagacin de bajo a
alto): es el tiempo entre un
determinado punto del
impulso de entrada y el
correspondiente impulso
de salida, cuando la salida
cambia de 0 a 1.
tPHL (tiempo
de
propagacin de alto a
bajo): es el tiempo entre un
determinado punto del
impulso de entrada y el
correspondiente impulso
de salida, cuando la salida
cambia de 1 a 0.