MOSFET de potencia

EXPOSITOR: ZARATE PEREZ E. BISMARCK

1. Clasificacin.
2. El transistor JFET:

Tipos y smbolos
Estudio cualitativo del JFET
Curvas de salida y transconductancia

3. El transistor MOSFET:

Tipos y smbolos
MOSFET de empobrecimiento
MOSFET de enriquecimiento

4. El transistor FET en conmutacin:

RDS (on) e ID (off)

El transistor MOSFET de potencia

CLASIFICACIN
NPN
Bipolares
PNP
Canal N (JFET-N)
Unin
(JFET)
Transistores

Efecto de
campo
(FET)

Canal P (JFET-P)

Metal-OxidoSemiconductor
(MOSFET)

Empobrecimiento Canal N
(Deplexin)
Canal P

Enriquecimiento
(Acumulacin)

* FET : Field Effect Transistor(transistor de Efecto de Campo)

Canal N
Canal P

MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor o MOSFET (en ingls Metaloxide- semiconductor
Field-effect
transistor)
es
un transistor
utilizado
para
amplificar
o conmutar seales
electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales, aunque el transistor de
unin bipolar fue mucho ms popular en otro
tiempo.

Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metalxido-Semiconductor

El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

EL MOSFET DE POTENCIA

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo

de portador.

D
G

G
Canal N

Conduccin debida
a electrones

Canal P

Conduccin
debida a huecos

Los ms usados son los MOSFET de canal N

La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad menores resistencias de canal en conduccin

Ideas generales sobre los MOSFETs de

acumulacin
Curvas caractersticas del MOSFET

EL MOSFET DE POTENCIA

D
G
+
VGS
-

- Curvas de salida

ID

+
VDS
S -

ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V

Referencias normalizadas

VDS [V]

VGS < VTH =

2V

Ideas generales sobre los MOSFETs de

acumulacin

Zonas de
trabajo

ID

2,5K

EL MOSFET DE POTENCIA

+
-

VGS

+
VDS
-

ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V

10V

VGS = 3V
VGS = 2,5V

VGS = 0V< 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento
resistivo
Comportamiento como fuente de
corriente
Comportamiento como circuito

12 VDS [V]

VGS < VTH = 2V

MOSFET: Zonas de Trabajo

Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que
una determinada tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se
comporta como un interruptor abierto.
hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es
suficientemente grande y la tensin entre el drenador y la fuente
es pequea, el transistor se comporta como un interruptor
cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON.
Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una
tensin drenador-surtidor elevada, ste se comporta como una
fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre
la puerta y el surtidor. La disipacin de potencia en este caso
puede ser elevada dado que el producto tensin-corriente es alto.
Alvarez_Llivicura

MOSFET: Zonas de Trabajo

En Electrnica de Potencia nos interesa que un
MOSFET trabaje en corte o en hmica (interruptor
abierto o cerrado).

Alvarez_Llivicura

Ideas generales sobre los MOSFETs

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos

EL MOSFET DE POTENCIA

- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad

esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de
proteccin
- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento

S
N+
P-

D
N+

D
G
S

Sustrato

Encapsulados de MOSFETs de Potencia

En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto
los encapsulados axiales)
Existe gran variedad

EL MOSFET DE POTENCIA

Ejemplos: MOSFET de 60V

RDS(on)=9,4m, ID=12A

RDS(on)=5,5m, ID=86A

RDS(on)=9m, ID=93A

RDS(on)=12m,
ID=57A

RDS(on)=1.5m, ID=240A

Mxima tensin drenador-fuente

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que
forman el substrato y el drenador. Se especifica a qu
pequea circulacin de corriente corresponde (por ejemplo,
0,25 mA)

EL MOSFET DE POTENCIA

La mxima tensin drenador-fuente de representa como

VDSS o como V(BR)DSS
Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Regin
de
Saturacin

Formula
correspondien
te

Baja tensin

EL MOSFET DE POTENCIA

Ejemplo de
clasificacin

15
30
45
55
60
80

Media tensin

Alta tensin

100
V
150
V
200
V
400
V

500 V
600 V
800 V
1000
V

V
V
V
V
V
V

Caractersticas

Mosfet
Comerciales

VS
MOSFET

BJT

Velocidad de conmutacin

EL MOSFET DE POTENCIA

Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos

usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.).

SIMBOLOGIA

EL MOSFET DE POTENCIA

Aplicaciones diversas

Nuevas
aplicacion
es

Amplificador de 65w tipo

Hexfet