DIODOS

PROFESOR ANGELO MRQUEZ

DIODO DE UNIN

DIODO DE UNIN
TENSIN DE UMBRAL: La tensin a
partir de la cual la corriente empieza a
incrementarse rpidamente, es igual a
la barrera de potencial.
POLARIZACIN DIRECTA: Cuando el
diodo est polarizado en directa no hay
una corriente significativa hasta que la
tensin en el diodo sea superior a la
barrera de potencial.
POLARIZACIN INVERSA: No hay
corriente inversa hasta que la tensin
del diodo alcanza la tensin de ruptura.
Entonces, la avalancha produce una
gran tensin inversa, destruyendo el
diodo.

CURVA CARACTERSTICA

MODELOS
DIODO IDEAL

MODELO APROX.

MODELOS
MODELO REAL

DIODO DE UNIN
RESISTENCIA
INTERNA
Una vez superada la tensin umbral, los pequeos aumentos en la tensin del diodo
originan grandes incrementos en su corriente. Esto se debe a que despus de
superada la barrera de potencial, lo nico que se opone a la comente es la resistencia
de las zonas p y n.
Rinterna = RP
+ RN
RESISTENCIA EN CONTINUA DE
UN DlODO
Si se toma el cociente de la tensin total entre la corriente total de un diodo, se
obtiene la resistencia en continua del diodo. En PD, se simboliza con R F, y en PI, con
RR.
La resistencia en continua de un diodo es igual a la resistencia interna ms el efecto
de la barrera de potencial.

DIODO DE UNIN
MXIMA CORRIENTE CONTINUA CON POLARIZACIN
DIRECTA
La corriente mxima con polarizaci6n directa, es una de las limitaciones dadas en una
hoja de caractersticas. Esta corriente puede aparecer como IF (Mx), I 0, IMAX
DISIPACIN DE POTENCIA
PD= VD.ID
La limitacin de potencia indica cuanta potencia puede disipar el diodo sin peligro de
acortar su vida ni degradar sus propiedades. Expresada mediante una frmula, la
definicin es:
Pmax=Vmax.Imax

DIODO DE UNIN
DETECCIN DE AVERIAS
El estado de un diodo se puede averiguar fcilmente con un hmetro para un amplio
rango de valores. Se mide la resistencia en continua del diodo en cualquier direccin
y despus se invierten los terminales, efectundose la misma medicin.
R pequea en PD y R grande en PI= Funciona correctamente
R extremadamente pequeas en ambas direcciones= Diodo en cortocircuito
R muy elevadas en ambas direcciones= Diodo en circuito abierto
R pequea en PD y R baja en PI= Diodo con fugas

EJERCICIO 1
CALCULE: a) Corriente del Diodo, b) Voltaje de Salida, c) Potencia del Diodo, d)
Potencia en la Resistencia de 0.5k
R1

R4

1k
V1
10V

1k
R2
1k

R3
0.5k

V2
5V

RECORTADORES

Ejercicio 2
Dibuje Vo, sabiendo que Vi es una seal senoidal de 10Vpp y
1KHz.

R5
5k

Vo

Ejercicio 2
Dibuje Vo, sabiendo que Vi es una seal senoidal de 10Vpp y
1KHz.

R5

Vo

5k
V4
10V

Valor Medio y Valor Eficaz

VALOR
MEDIO
Se llamavalor mediode una tensin (o corriente)
alternaa la media aritmticade todos los
valores instantneos de tensin (o corriente),
medidos en un cierto intervalo de tiempo.
Valor Medio=Vdc=
VALOR EFICAZ
Se llamavalor eficazde una corriente alterna, al
valor que tendra una corriente continuaque
produjera la misma potencia que dicha
corriente alterna, al aplicarla sobre una misma
resistencia.
Valor Eficaz= VRMS=

TRANSFORMADORES
Un
transformador
menos dos bobinas.

tiene

al

La bobina a la cual se conecta la

fuente se le llama primario.
La bobina a la cual se conecta la
carga se le conoce secundario.
El voltaje V1 conectado al
primario
genera
el
flujo
magntico que circula en el
ncleo.
Este flujo magntico corta las
espiras del secundario y genera
un voltaje V2 en este.

Relacin de transformacin.
N1
V1
a
N2
V2

N1
I2
a
N2
I1

1. Los transformadores donde

A>1 el voltaje del primario es
mayor
que
el
secundario
consideran
reductores
( StepDown transformer ).
2. Los transformadores donde A
<1 el voltaje en el secundario es
mayor que el primario y se
considera elevadores (step-up
transformer).
3. Los transformadores donde el
voltaje primario es igual al
secundario a=1 y se utilizan solo
como aislamiento elctrico entre
un circuito y el otro (Isolation
transformer).

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Diodos Ideales

Vpout=Vpin
Vmedio=Vdc= Vp/
Fout=Fin
Diodos NO Ideales
Vpout=Vpin-0.7v
Vmedio=Vdc= Vp/
Fout=Fin

Ejercicio 1
1. Calcular el voltaje pico y el valor medio en la carga, para la
siguiente configuracin.

Para un diodo ideal. Recuerde que hay que

tomar en cuenta los 0.7v de la tensin de
Umbral para los otros casos.

EJERCICIO 2
Determine y dibuje VL.

vi

RL

RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA

RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA

RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA
Este circuito es equivalente a dos
rectificadores de media onda, cada uno
con una tensin de entrada igual a la
mitad del voltaje del secundario.
Para diodos Ideales:

VMedio=
Fout=Fin

RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA
TIPO PUENTE

Vdc=

Fout= 2Fin

RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA
TIPO PUENTE

RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA
TIPO PUENTE

TENSIN INVERSA PICO

Tabla Resumen

SUJETADORES

Ejercicio 1.
Para el siguiente circuito. Dibuje vo sabiendo que c=0.1uf, vd=0v y
R=1MOhm.

Ejercicio 2
Para el siguiente circuito. Dibuje vo sabiendo que c=0.1uf, vd=0v y
R=1MOhm.

RUPTURA POR AVALANCHA

En polarizacin inversa existe un lmite
con el que se puede polarizar un diodo
sin correr el riesgo de destruirlo.
La

tensin

de

ruptura

mediante la cual la

es

aquella,

I aumenta de

repente. A partir de este valor IRel diodo

sufre

daos.

"Efecto

Este

Avalancha"

Avalancha".

proceso
o

se

"Ruptura

llama
por

RUPTURA POR AVALANCHA

1. El voltaje aplicado acelera a los
electrones.
2. Algunos de ellos chocan y rebotan
con los enlaces covalentes de la red
cristalina.
3. Debido a la velocidad y a la Ec, el
electrn unido adquiere energa y se
convierte en libre.
4. Estos 2 electrones se aceleran otra
vez, pueden chocar contra otro electrn
de un enlace covalente, ceden su
energa... Posterior a esto se repite el
proceso.
5. Esto origina una IR negativa muy
grande ( Aprox. 100 mA).

EFECTO ZENER
Es producido en los diodos de
Avalancha o Zener. Existe una R.A
muy pequea con el mismo Vt
(0.7 V).
1. La cercana entre los tomos
aumenta mucho E.
2. La Fuerza debida al E, es capaz de
arrancar el electrn y lo hace libre.
3. Este proceso se repite con muchos
electrones, de esta forma surge una
corriente grande muy grande.

EFECTO ZENER
En la curva se puede apreciar que
cuando Vd disminuye a valores bajos
(-5v) hasta llegar a Vz, la corriente
aumenta considerablemente y el
voltaje se mantiene fijo. Es efecto es
llamado Regin Zener.

DIODO ZENER
Es un semiconductor que permite trabajar
en la zona inversa permitiendo la
conduccin en ambos sentidos.
Modelos:

DIODO ZENER
Polarizacin Directa: Se comporta
como un diodo comn.
Polarizacin Inversa con un
V<Vz: Es un abierto.
Polarizacin Inversa con un
V>Vz: Diodo Zener.

DIODO ZENER

Cdigo de Identificacin
Ejemplo: 1NBZX-79-5V1
1N, cdigo americano.
B u O, indicativa de que se
trata de un elemento
semiconductor.
Z o AZ, indica que se trata
de un diodo Zener.

XoZ, indica que se trata de

aplicaciones profesionales.
5V1, significa el voltaje Zener
(5,1v).
79, nmero de serie indicado
por el fabricante.
A veces anexan una ltima
letra que representa la
tolerancia

Tolerncia:
A---- 1%
B---- 2%
C---- 5%
D----10%
E----15%

DIODO ZENER

Ejercicio 1

Para el diodo Zener de la red, determine Vl, VR, Tz y Pz. Realice el mismo procedimiento con RL=3kOhm

Ejercicio 2
Para la siguiente red con vi=20Vpp, Fvi=1Khz, Vz=5v. Determine y dibuje Vo.

Vo

Ejercicio 3
Determine el valor de vi mnimo y vi mximo que asegure un vo=vz.

vo

El=1kOhm
Vz=20v
Rz=0
Izmin=0
Izmax=40
R=1KOhm

Ejercicio 4
Calcule el valor RLmin y Rlmax tal que Dz mantenga un valor
constante Vz.
Vz=0
Rz=0
Pzmax=Dato
R=Dato
Vi=Dato
Izmin=0
Izmax=Dato

Diodo Zener como limitador de

seales

Diodo Zener como limitador de

seales

Ejercicio 5
Para el circuito de la figura 1, suponer Vzon = 0.7 y Vdon =0.7. Graficar Vo
vs Vi, si Vi=10Sen(21000t).

Transistores
NPN: Tiene 2 capas de material
tipo N y una capa de material tipo
P.
PNP: Tiene 2 capas de material
tipo P y una tipo N.

Transistor NPN
IE= IC+IB
IE~=IC
IC=(+1)IB
=hfe >1

Cuando se polariza la base-emisor algunos electrones de emisor

atraviesan la zona de deplecin y se recombinan con los pocos
huecos de la base.
Fluirn a travs de la resistencia RB hasta la placa positiva.
El restante de electrones del emisor pasarn al colector y se vern
atrados por el terminal positivo de Ecc.

Transistor PNP
IE= IC+IB
IE~=IC
IC=IB

Curva caracterstica

Curva caracterstica

Zonas de Operacin
Corte

ZONA

VBE

IB

CORTE
SAURACI
N

<0.6 V

0.6 V

IB0

ACTIVA

0.6 V

IB0

IC

VCE APLICACIN
CONMUTADO
0
VCC
R
0.3 CONMUTADO
IB0
V
R
VCC/ AMPLIFICAD
IB0
2
OR

Saturacin

Problema 1
Con la recta de carga de la siguiente figura y el punto Q definido, determine los
valores requeridos de VCC, RC y RB para una configuracin de polarizacin fija.

Problema 2
BJT como conmutador. (Emisor comn)

V2

10V

R2
1k

15k

BJT como conmutador

Sabiendo que vi es una seal
cuadrada 20 Vpp a 1Khz. Dibuje
Vo.

V2
5V
R2
1k

R1
18k

Q1
2N2222A

C1
1F