TRANSISTORES

El transistor es un dispositivo semiconductor de

tres capas que consiste de dos capas de material
tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de
material tipo p y una tipo n. al primero se le
llama transistor npn, en tanto que al segundo
transistor pnp.

EMISOR, que emite los portadores de corriente,

(huecos o electrones). Su labor es la equivalente
al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.

BASE, que controla el flujo de los portadores de

corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA
ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.

COLECTOR, que capta los portadores de corriente

emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente
a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.

TRANSISTOR JFET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en
ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en
el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal"
en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador
(drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la
base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como
un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a
la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de
efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal
p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la
puerta pone al transistor en estado de conduccin o no
conduccin, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su
funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que rodean a
cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las
zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la
corriente que va de fuente a drenaje tenga ms difucultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin,
cuanto mayor es la tensin inversa en el diodo compuerta-fuente,
menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por
corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal
creado entre las zonas de deflexin van al drenaje, por lo que la
corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente I_D = I_S .

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente

al transistor bipolar. La terminal de drenaje se polariza
positivamente con respecto al terminal de fuente
(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con
respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms
difcil para la corriente pasar del terminal drenador
(drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg
para la que el canal queda cerrado se llama punch-off
y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo
operado por corriente y requieren que halla cambios
en la corriente de base para producir cambios en la
corriente de colector. El JFET es controlado por tensin
y los cambios en tensin de la compuerta a fuente
modifican la regin de rarefaccin (deplexin) y
causan que vare el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen
las curvas caractersticas del transistor JFET. Las
curvas caractersticas tpicas para estos transistores
se encuentran en la imagen, ntese que se distinguen
tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de
corte y la zona de saturacin.
Existen otros tipos de curvas, como las de
temperatura,
capacitancia,
etc.
Todas
ellas
normalmente las especifica el fabricante de cada
transistor. Algunos programas de simulacin (como
SPICE) permiten hacen barridos de CD bsicos para
obtener las curvas, en base a los modelos contenidos
en sus bibliotecas de componentes.

El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms
adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin embargo
no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuracin para
formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.

MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxidesemiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.
Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales,
aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms
popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los
microprocesadores
comerciales
estn
basados
en
transistores MOSFET.
El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET
es actualmente incorrecto debido a que el material de la
compuerta, que antes era metlico, ahora se construye
con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se
utiliz aluminio para fabricar la compuerta, hasta
mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenz
a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas
estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es
complicado incrementar la velocidad de operacin de los
transistores sin utilizar componentes metlicos en la
compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como
aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por
otros materiales con el propsito de obtener canales
fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.

Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro

terminales llamadas surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato
generalmente est conectado internamente a la
terminal del surtidor, y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos de tres terminales
similares a otros transistores de efecto de campo.

Un transistor de efecto de campo de compuerta

aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un trmino relacionado que es
equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es un
poco ms inclusivo, debido a que muchos
transistores MOSFET utilizan una compuerta que
no es metlica, y un aislante de compuerta que
no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el
MISFET, que es un transistor de efecto de campo
metal-aislante-semiconductor
(Metal-insulatorsemiconductor field-effect transistor).

TRANSISTOR UNIUNIN

El transistor uniunin es un tipo de tiristor que

contiene dos zonas semiconductoras.

Tiene tres terminales denominados emisor (E),

base uno (B1) y base dos (B2). Est formado por
una barra semiconductora tipo N, entre los
terminales B1-B2, en la que se difunde una
regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo
largo de la barra, lo que determina el valor del
parmetro , standoff ratio, conocido como razn
de resistencias o factor intrnseco.

TRANSISTOR IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada es un

dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrnica de potencia.

Este dispositivo posee la caractersticas de las

seales de puerta de los transistores efecto
campo con la capacidad de alta corriente y
voltaje de baja saturacin del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin
son como las del BJT.

FOTOTRANSISTOR

Se llama fototransistor a un transistor sensible a

la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide
sobre la regin de base, generando portadores en
ella. Esta carga de base lleva el transistor al
estado de conduccin. El fototransistor es ms
sensible que el fotodiodo por el efecto de
ganancia propio del transistor.

Un fototransistor es igual a un transistor comn,

con la diferencia que el primero puede trabajar
de 2 formas:

Como transistor normal con la corriente de base

Ib (modo comn).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en
este elemento hace las veces de corriente de
base. Ip (modo de iluminacin).
Puede utilizarse de las dos en formas
simultneamente, aunque el fototransistor se
utiliza principalmente con el pin de la base sin
conectar.

WEBIOGRAFIA

http://en.wikipedia.org/wiki/JFET
http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html