TRANSISTORES DE

EFECTO DE CAMPO

FET (FIELD EFFECT

TRANSISTOR)

Es un tipo de dispositivo electrnico de tres terminales que

puede ser usado como interruptor electrnicamente controlado,
amplificador o resistencia controlada por voltaje, al ser un
dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de
corriente de polarizacin. Lacarga elctrica fluye a travs de un
canal semiconductor (de tipo N o P).
A los transistores de efecto de campo se les conoce
abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos
podemos distinguir dos grandes tipos:
Transistor de Efecto de Campo de Unin: JFET (Junction Field
Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO JFET (JUNCTION
FIELD
EFFECT
TRANSISTOR)
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
JFET de canal n
JFET de canal p

ESTRUCTURA BASICA

D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente
de portadores a travs del canal.

NOTACIN

FUNCIONAMIENTO JFET
CANAL N
Los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensin
positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin negativa entre
puerta y fuente (VGS). De esta forma, la corriente circular en el
sentido de drenador a fuente.

FUNCIONAMIENTO JFET
CANAL P
En el caso del JFET de canal p la tensin VDS a aplicar debe ser
negativa y la tensin VGS positiva, de esta forma la corriente fluir
en el sentido de la fuente hacia el drenador.

PRINCIPIO DE
FUNCIONAMIENTO
Influencia de VDS

Cuando aplicamos una tensin VDS esta se

distribuir a lo largo del canal, distribucin, que
en un principio y para tensiones pequeas,
podemos suponer uniforme.
En la polarizacin inversa de las uniones p-n,
podemos observar como stas estn ms
inversamente polarizadas de la zona del drenador
que de la zona de la fuente.
Cuanto ms cerca del drenador nos encontremos,
la anchura efectiva del canal ser menor en la
parte del drenador que en la parte de la fuente.

PRINCIPIO DE
FUNCIONAMIENTO
Influencia de VGS
Si suponemos, en primer lugar VDS
= 0, para valores de VGS < 0, las
uniones
p-n
estn
polarizadas
inversamente.
Una polarizacin inversa de dichas
uniones incrementa el ancho de la
zona de deplexin disminuyendo la
anchura efectiva del canal n. Por
tanto la resistencia del canal
aumenta, para valores pequeos de
la tensin VDS aplicada donde la
relacin ID - VDS es lineal, la

ECUACIN DE ENTRADA
Mediante la grfica de entrada del transistor tambin
llamadaCurva caracterstica de transferenciauniversal. En la
regin activa del JFET, siempre que la tensin entre puerta y fuente
VGSsea menor que el mdulo de la tensin de estrangulamiento o
estriccin, en la cual el JFET cae en la zona de saturacin,
Vptambin llamada VGS(off), la curva de valores lmite de IDviene
dada por la expresin:

ECUACIN DE SALIDA
En la grfica de salida tambin llamadacurva caracterstica de
drenaje, la corriente de drenaje aumenta progresivamente segn lo
hace la tensin de salida drenaje-fuente (VDS). Esta curva viene
dada por la expresin:
en la cual "k" es:
La corriente de saturacin IDSAT, caracterstica de cada JFET, puede
calcularse reescribiendo la ecuacin de entrada y, usando para "k"
la expresin ya mencionada, queda:

CURVAS CARACTERSTICAS
Curvas caractersticas de salida para
un JFET de canal n. En ella se
representa la corriente de drenador ID
frente a la tensin drenador - fuente
VDS para distintos valores de la tensin
puerta - fuente VGS.
Para valores de VGS el valor de la
tensin VDS para el que se producir la
saturacin de la corriente de drenador
vendr dado por la expresin
VDSsat = VGS - VGSoff
donde en cuanto ms negativa sea la
tensin VGS antes se alcanzar la
condicin de saturacin.

DATASHEET
Los JFET son dispositivos
pequea seal porque
disipacion de potencia
normalmente menor que
vatio.

de
su
es
un

En aplicaciones de audio los

JFET se usan a menudo como
seguidores
de
fuente.
En
aplicaciones de radiofrecuencia
se usan como amplificadores
VHF/UHF,
mezcladores
y
osciladores.