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Electrnica
Universidad de
Oviedo
Introduccin a la Electrnica de
Dispositivos
Materiales semiconductores (Sem01.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
Transistores (Trans01.ppt)
Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas
ATE-UO Trans 00
Tipos de transistores
BJT
PNP
NPN
JFET
Canal P
Canal N
Acumulacin
Canal P
Canal N
MOSFET
Deplexin
BJT:Transistores bipolares de unin.
Canal P
Canal N
Encapsulado de transistores
Encapsulado
TO-92
Encapsulado
TO-126 (SOT-32)
Encapsulado
TO-220
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
Encapsulado
TO-3
2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
BD135 (NPN)
BD136 (PNP)
MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)
ATE-UO Trans 74
P+
N-
Fuente
(S)
Canal
Drenador
(D)
P+
Puerta (G)
G
JFET (canal N)
Smbolo
G
Otros smbolos
G
canal N
S canal P
D
S
JFET (canal P)
Smbolo
ATE-UO Trans 82
P+
Fuente
(S)
NP+
Drenador
(D)
Puerta (G)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha
Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
P+
(S)
(D)
P+
VV12
(G)
V1 < V2
D
+
VDS
S
ID
Evolucin si la resistencia
no cambiara con la tensin.
ID
VDS
Evolucin real en un JFET
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).
V1
V2
ATE-UO Trans 85
P+
(S)
N-
VPO
(D)
VDS
P+
(G)
VDS=VPO > V2
P+
(S)
LZTC
LC
(D)
VDS
P+
(G)
P+
-
VPO
LZTC
+ L
ZTC
(D)
(S)
VDS
P+
(G)
VDS=V4 > V3
ID
Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente
VDS=V1
VDS=V2
VDS
VDS=VPO
VDS=V3
V1 V2 VPO
V3
V4
VDS=V4
ATE-UO Trans 89
Qu pasa si VGS 0?
P+
VPO
(S)
N
Con VGS=0, la
contraccin ocurre
cuando VDS = VDSPO =VPO.
(D)
+
-
VDS=VPO
P+
(G)
N-
VPO
(S)
P+
(G)
UB
+
VGS
-
+
-
(D)
+
VDS
El canal es siempre
ms estrecho, al estar
polarizado ms
inversamente
mayor resistencia
UA La contraccin se
produce cuando:
VDS=VDSPO=VPO + VGS
Es decir:
VDSPO = UA = VPO - UB
G
+
VGS
-
ID
D
+
VDS
-
Curvas de entrada:
No tienen inters
(unin polarizada
inversamente)
Muy importante
Curvas de salida
ID [mA]
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
VDS [V]
La tensin VPO
P+
N-
(S)
(D)
P+
(G)
UB1
+
VGS
-
P+
N-
(S)
P+
(G)
UB1< UB2
+
VGS = -VPO
-
(D)
Cortocircuitamos el
drenador y la fuente y
aplicamos tensin
entre puerta y fuente.
2,5K
G
+
VGS
-
ID [mA]
VGS = 0V
VGS = -0,5V
+
VDS
-
VGS = -1V
10V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Comportamiento resistivo
12 VDS [V]
VGS = -2,5V
Muy
importante
ID [mA]
4
Tambin se conoce la
tensin de contraccin
del canal, VPO
VGS = 0V
IDPO
2
Ecuacin ya conocida:
ID0PO
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
12 VDS [V]
VGS = -VPO
Muy importante
ATE-UO Trans 94
R
IB
V1
B (P)
+
VBE
-
C (N)
V2
E (N)
Muy importante
IG 0 G (P)
V1
+
VGS
-
D
V2
N
S
ATE-UO Trans 95
Corriente de electrones
en todo el dispositivo
N-
(transistor unipolar)
(D)
(S)
+
UA
P+
(G)
UB
+
VGS
-
VDS
Muy
importante
S
N+
N-
D
N+
P+
P+
Contactos metlicos
Canal N
G
Uso de un JFET de canal P
+
VGS
-
D
P
S
V2
-ID
G
N-
N+
D
N+
GaAs aislante
Pequea
polarizacin
directa GS
Tensin GS
nula
ID
GaAs
Contactos
hmicos
Polarizacin
inversa GS,
zona resistiva
VGS > 0
VGS = 0
VGS<0
VDS
Polarizacin
inversa GS, zona
f. de corriente
ATE-UO Trans 98
Metal
metlicos
N+
P-
N+
Metal
G D
xido
Semiconductor
Substrato
Smbolo D
G
Smbolo
G
Substrato
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N
MOSFET de
enriquecimiento
de canal P
ATE-UO Trans 99
S ++ ++
- +
- N+
N+
P-
Zona de transicin
(con carga espacial)
V1
Substrato
S +++
++ +++
++
-- N+
V2 > V1
-- --
N+ -P-
Substrato
S ++++
++++
N+ -- -- - - - - N+
P+
Substrato
V3 = V TH > V2
Esta capa es una zona de
transicin (no tiene casi
portadores de carga)
S +++++ +++++
N+ -- - -- -- - -- N+
PVDS
ID
S +++++ +++++
Substrato
Substrato
Conectamos la fuente al
substrato.
N+ -- - -- -- - -- N+
P-
V4 > V TH
VGS
Cmo es la corriente de
drenador?
ATE-UO Trans 102
ID 0
VDS 0
S +++++ +++++
Principios de operacin de
los MOSFET (IV)
D
N+ -- - -- -- - -- N+
P-
VGS
Substrato
S +++++ +++++
ID
N+ -- - -- -- -- - N+
PSubstrato
VGS
VDS2=VDSPO >VDS1
ID
S +++++ +++++
N+
P-
- - -------
D
N+
VGS
Principios de operacin
de los MOSFET (V)
El canal formado se contrae
totalmente cuando VDS = VDSPO.
VDS3 >VDSPO
ID
Substrato
S +++++ +++++
N+
P-
- - -------
Substrato
ATE-UO Trans 104
D
N+
VGS
VDS1
ID0
ID0
S
N+
PSubstrato
D
N+
S
N+
P-
D
N+
Substrato
G
+
VGS
-
+
VDS
S -
Curvas de entrada:
No tienen inters
(puerta aislada del canal)
ID
Curvas de salida
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
VDS [V]
Muy importante
ATE-UO Trans 106
2,5K
D
+
-
VGS
+
VDS
-
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
10V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
Comportamiento resistivo
12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
Muy
importante
S
N+ N
N+
PSubstrato
S
P-
N+
+++ +++
N-
- - - - - -
+
VGS=V1
N+
V1
Substrato
Modo ACUMULACIN:
Al colocar tensin positiva
en la puerta con relacin al
canal, se refuerza el canal
con
ms
electrones
procedentes del substrato.
El canal podr conducir
ms.
ATE-UO Trans 109
S
P-
N+
--- --+ + + + + +
N-
Substrato
+
VGS=-V1
N+
+
V1
S
N
P-
-N - - -
Substrato
+++ +++
N+
- +
Modo acumulacin
V1
P-
N+
N-
--- --+ + + + + +
+ +
Substrato
N+
V1
Modo deplexin
ATE-UO Trans 111
Muy importante
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
VGS = 4V
2
ID [mA]
VGS = 3V
VGS = 2,5V
Deplexin
VGS = 1V
VGS = 0,5V
6 VDS [V]
Modo acumulacin
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = 3,5V
Modo deplexin
6 VDS [V]
ATE-UO Trans 112
Canal N
G
Tipo S
deplexin
D
G
S
Tipo
enriquecimiento
S
Tipo
deplexin
Canal P
R
D
+
V1
+
VDS
-
VGS
Canal N
V2
+
V1
+
VDS
-
-ID
V2
VGS
Canal P
ID
R
IG 0
V1
D
G
V2
+
VGS
S
JFET, canal N
IG =0
+
V1
V2
VGS
MOSFET, canal N
D
N+
D
G
S
Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El xido se puede llegar a perforar por la electricidad
esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener
de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116