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rea de Tecnologa

Electrnica

Universidad de
Oviedo

Introduccin a la Electrnica de
Dispositivos
Materiales semiconductores (Sem01.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
Transistores (Trans01.ppt)
Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas
ATE-UO Trans 00

Tipos de transistores
BJT

PNP
NPN
JFET

Canal P
Canal N

FET MESFET Canal N

Acumulacin

Canal P
Canal N

MOSFET
Deplexin
BJT:Transistores bipolares de unin.

Canal P
Canal N

FET: Transistores de efecto de campo.


JFET: Transistores de efecto de campo de unin.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxidosemiconductor.
ATE-UO Trans 01

Encapsulado de transistores
Encapsulado
TO-92

Encapsulado
TO-126 (SOT-32)

Encapsulado
TO-220

BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
Encapsulado
TO-3

2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)

BD135 (NPN)
BD136 (PNP)

MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)

ATE-UO Trans 74

Estructura de los transistores de efecto de


campo de unin, JFET (canal N)

P+
N-

Fuente
(S)

Canal

Drenador
(D)

P+
Puerta (G)
G

JFET (canal N)
Smbolo

G
Otros smbolos

G
canal N

S canal P

D
S

JFET (canal P)
Smbolo

ATE-UO Trans 82

Principio de funcionamiento de los transistores


de efecto de campo de unin, JFET (I)

P+
Fuente
(S)

NP+

Drenador
(D)

Puerta (G)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha
Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83

Principio de funcionamiento de los transistores


de efecto de campo de unin, JFET (II)

P+
(S)

(D)

P+

VV12

(G)

V1 < V2

Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta


la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de
transicin, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84

Principio de funcionamiento de los transistores


de efecto de campo de unin, JFET (III)

D
+
VDS
S

ID

Evolucin si la resistencia
no cambiara con la tensin.
ID

VDS
Evolucin real en un JFET
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).

V1

V2
ATE-UO Trans 85

Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(S)

N-

VPO

(D)
VDS

P+
(G)

VDS=VPO > V2

Si se aumenta ms la tensin drenador-fuente, la zona de transicin


llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La
corriente de drenador no cesa (si cesara no se formara el perfil de
zona de transicin que provoca esta situacin). La tensin V DS a la
que se produce la contraccin total del canal recibe el nombre de
tensin de contraccin (pinch-off), VPO.
ATE-UO Trans 86

Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
(S)

LZTC

LC

(D)
VDS

P+
(G)

VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensin drenador-fuente por encima de V PO, va


aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos
portadores, LZTC (longitud de la zona de transicin en el canal). Sin
embargo, el aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeo comparado
con la longitud del canal, LC.
ATE-UO Trans 87

Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
-

VPO

LZTC
+ L
ZTC

(D)

(S)

VDS

P+
(G)

VDS=V4 > V3

Si LZTC << LC (hiptesis de canal largo) y admitimos que el perfil de


portadores en la parte no contrada del canal no ha cambiado,
tenemos que admitir que la tensin en dicha parte es VPO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma cada
de tensin sobre el mismo perfil de canal misma corriente que
cuando aplicbamos VPO corriente constante por el canal cuando
VDS>VPO.
ATE-UO Trans 88

Resumen del principio de funcionamiento de


los JFET cuando VGS = 0
VDS=0

ID

Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente

VDS=V1
VDS=V2

VDS

VDS=VPO
VDS=V3

V1 V2 VPO

V3

V4

VDS=V4
ATE-UO Trans 89

Qu pasa si VGS 0?

P+

VPO

(S)
N

Con VGS=0, la
contraccin ocurre
cuando VDS = VDSPO =VPO.

(D)

+
-

VDS=VPO

P+
(G)

N-

VPO

(S)
P+
(G)

UB

+
VGS
-

+
-

(D)

+
VDS

El canal es siempre
ms estrecho, al estar
polarizado ms
inversamente
mayor resistencia
UA La contraccin se
produce cuando:
VDS=VDSPO=VPO + VGS
Es decir:
VDSPO = UA = VPO - UB

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la


contraccin se produce a una VDS menor.
ATE-UO Trans 90

Curvas caractersticas de un JFET (canal N)


Referencias
normalizadas

G
+
VGS
-

ID
D

+
VDS
-

Curvas de entrada:
No tienen inters
(unin polarizada
inversamente)

Muy importante

Curvas de salida
ID [mA]
VGS = 0V

VGS = -0,5V

VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V

VDS [V]

Contraccin del canal


Contraccin producida cuando:
VDSPO=VPO + VGS
ATE-UO Trans 91

La tensin VPO
P+
N-

(S)

(D)

P+
(G)

UB1

+
VGS
-

P+
N-

(S)
P+
(G)

UB1< UB2

+
VGS = -VPO
-

(D)

Cortocircuitamos el
drenador y la fuente y
aplicamos tensin
entre puerta y fuente.

Cuando la tensin VGS


alcanza un valor
negativo
suficientemente
grande, la zona de
transicin invade
totalmente el canal.
Este valor es el de
contraccin del canal,
VPO.
ATE-UO Trans 92

Anlisis grfico de un JFET en fuente comn


ID

2,5K
G
+
VGS
-

ID [mA]
VGS = 0V

VGS = -0,5V

+
VDS
-

VGS = -1V

10V

VGS = -1,5V
VGS = -2V

VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V

Comportamiento resistivo

12 VDS [V]
VGS = -2,5V
Muy
importante

Comportamiento como fuente de corriente


Comportamiento como circuito abierto
ATE-UO Trans 93

Clculo de las corrientes en la zona de fuente


de corriente (canal contrado)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador
cuando VGS = 0 y el canal est contrado, ID0PO.

ID [mA]
4
Tambin se conoce la
tensin de contraccin
del canal, VPO

VGS = 0V

IDPO
2

Ecuacin ya conocida:

VDSPO = VPO + VGS


Ecuacin no demostrada:

ID0PO

IDPO ID0PO(1 + VGS/VPO)2

VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V

12 VDS [V]

VGS = -VPO
Muy importante
ATE-UO Trans 94

Comparacin entre transistores bipolares y


JFET (I)
IC
I
D

R
IB

V1

B (P)

+
VBE
-

C (N)
V2
E (N)

Muy importante

IG 0 G (P)
V1

+
VGS
-

D
V2

N
S

En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan


las corrientes de salida (IC e ID).
En zona de comportamiento como fuente de corriente, es til
relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o
corriente de salida con tensin de entrada (JFET).
La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho ms
pequea en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unin puerta-canal).

ATE-UO Trans 95

Comparacin entre transistores bipolares y


JFET (II)
P

Corriente de electrones
en todo el dispositivo

N-

(transistor unipolar)
(D)

(S)

+
UA

P+
(G)

UB

+
VGS
-

VDS

Muy
importante

El JFET es ms rpido al ser un dispositivo unipolar (conduccin no


determinada por la concentracin de minoritarios).
El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensin, ya
que tiene una zona de trabajo con caracterstica resistiva.
Para conseguir un comportamiento tipo cortocircuito hay que
colocar muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96

Estructura real de un JFET de canal N


SiO2

S
N+
N-

D
N+

P+

P+

Contactos metlicos
Canal N

G
Uso de un JFET de canal P

Hay que invertir los sentidos reales


de tensiones y corrientes para operar I 0
G
G (N)
en los mismas zonas de trabajo.
V1
ATE-UO Trans 97

+
VGS
-

D
P
S

V2

-ID

Los transistores de efecto de campo de unin


metal-semiconductor MESFET
Contacto rectificador (Schottky)

G
N-

N+

D
N+

GaAs aislante

Pequea
polarizacin
directa GS

Tensin GS
nula

ID
GaAs

Contactos
hmicos

Polarizacin
inversa GS,
zona resistiva

VGS > 0
VGS = 0

VGS<0

VDS

Polarizacin
inversa GS, zona
f. de corriente
ATE-UO Trans 98

Los transistores de efecto de campo de metalxido-semiconductor, MOSFET


Estructura
Nombre
Contactos
SiO2

Metal

metlicos

N+
P-

N+

Metal

G D

xido
Semiconductor

Substrato
Smbolo D
G

Smbolo
G

Substrato
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N

MOSFET de
enriquecimiento
de canal P

ATE-UO Trans 99

Principios de operacin de los MOSFET (I)


G

S ++ ++
- +

- N+

N+
P-

Zona de transicin
(con carga espacial)
V1

Substrato

S +++
++ +++
++

-- N+

V2 > V1

-- --

N+ -P-

Se empieza a formar una


capa de electrones
(minoritarios del substrato)

Substrato

ATE-UO Trans 100

Principios de operacin de los MOSFET (II)


G

S ++++

++++

N+ -- -- - - - - N+
P+

Substrato

Esta capa de minoritarios es


llamada capa de inversin

V3 = V TH > V2
Esta capa es una zona de
transicin (no tiene casi
portadores de carga)

Cuando la concentracin de los electrones en la capa formada es


igual a la concentracin de los huecos de la zona del substrato
alejada de la puerta, diremos que empieza la inversin. Se ha creado
artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato.
La tensin a la que esto ocurre es llamada tensin umbral
(threshold voltage), VTH.
ATE-UO Trans 101

Principios de operacin de los MOSFET (III)


G

Situacin con tensin


mayor que la de umbral

S +++++ +++++

N+ -- - -- -- - -- N+
PVDS

ID

S +++++ +++++

Substrato

Substrato

Conectamos la fuente al
substrato.

N+ -- - -- -- - -- N+
P-

V4 > V TH

VGS

Conectamos una fuente de


tensin entre los terminales
fuente y drenador.

Cmo es la corriente de
drenador?
ATE-UO Trans 102

ID 0

VDS 0

S +++++ +++++

Principios de operacin de
los MOSFET (IV)
D

N+ -- - -- -- - -- N+
P-

VGS

Substrato

El canal se empieza a contraer


segn aumenta la tensin VDS.
La situacin es semejante a la
que se da en un JFET.

ATE-UO Trans 103

Existe un canal entre drenador


y fuente constituido por la capa
de inversin que se ha formado.
Con tensiones VDS pequeas
(<<VGS), el canal es uniforme.

VDS =VDS1 >0

S +++++ +++++

ID

N+ -- - -- -- -- - N+
PSubstrato

VGS

VDS2=VDSPO >VDS1
ID

S +++++ +++++
N+
P-

- - -------

D
N+

VGS

Principios de operacin
de los MOSFET (V)
El canal formado se contrae
totalmente cuando VDS = VDSPO.

VDS3 >VDSPO
ID

Substrato

Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET


se comporta como una fuente
de corriente (como en el caso de
los JFET).

S +++++ +++++
N+
P-

- - -------

Substrato
ATE-UO Trans 104

D
N+

VGS

Principios de operacin de los MOSFET (VI)


VDS2 > VDS1

VDS1

ID0

ID0

S
N+
PSubstrato

D
N+

S
N+
P-

D
N+

Substrato

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prcticamente


nula. En general, si VGS <VTH, no hay casi canal
formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.
ATE-UO Trans 105

Curvas caractersticas de un MOSFET de


enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas

G
+
VGS
-

+
VDS
S -

Curvas de entrada:
No tienen inters
(puerta aislada del canal)

ID

Curvas de salida
ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V

VDS [V]

VGS < VTH = 2V

Muy importante
ATE-UO Trans 106

Anlisis grfico de un MOSFET en fuente comn


ID

2,5K
D

+
-

VGS

+
VDS
-

ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V

10V

VGS = 3V
VGS = 2,5V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento resistivo

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
Muy
importante

Comportamiento como fuente de corriente


Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107

Clculo de las corrientes en la zona de fuente de


corriente (canal contrado) y de la tensin umbral
Ecuaciones no demostradas:

IDPO (VGS - VTH)2Z nCox/2LC


VTH 2 F + ( rsxox/ rox)(4qNA F/( rs 0))1/2
Z = longitud en el eje perpendicular a la representacin.
Cox = Capacidad del xido por unidad de rea de la
puerta.
rs, rox y 0 = permitividades relativas del
semiconductor y del xido y permitividad absoluta.
xox = grosor del xido debajo de la puerta.
F =VTln(NA/ni)

ATE-UO Trans 108

Los MOSFET de deplexin (I)


G

S
N+ N

Existe canal sin necesidad de aplicar


tensin a la puerta. Se podr establecer
circulacin de corriente entre drenador
y fuente sin necesidad de colocar
tensin positiva en la puerta.

N+

PSubstrato

S
P-

N+

+++ +++
N-

- - - - - -

+
VGS=V1

N+
V1

Substrato

Modo ACUMULACIN:
Al colocar tensin positiva
en la puerta con relacin al
canal, se refuerza el canal
con
ms
electrones
procedentes del substrato.
El canal podr conducir
ms.
ATE-UO Trans 109

Los MOSFET de deplexin (II)

S
P-

N+

--- --+ + + + + +

N-

Substrato

+
VGS=-V1

N+
+

V1

Operacin en modo DEPLEXIN:


Se debilita el canal al colocar tensin negativa en la
puerta con relacin al substrato. El canal podr
conducir menos corriente.
ATE-UO Trans 110

Los MOSFET de deplexin (III)


Cuando se aplica tensin entre drenador y fuente se
empieza a contraer el canal, como ocurre en los otros
tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en ambos
modos de operacin.
VDS
VDS
ID
ID

S
N

P-

-N - - -

Substrato

+++ +++

N+

- +

Modo acumulacin

V1

P-

N+

N-

--- --+ + + + + +
+ +

Substrato

N+

V1

Modo deplexin
ATE-UO Trans 111

Comparacin entre las curvas caractersticas de


los MOSFET de enriquecimiento y de deplexin
4

Muy importante

ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
VGS = 4V

2
ID [mA]

VGS = 3V
VGS = 2,5V

Deplexin

VGS = 1V

VGS = 0,5V

6 VDS [V]

VGS < VTH = 2V

Modo acumulacin

VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V

VGS = 3,5V

VGS < -1,5V

Modo deplexin

6 VDS [V]
ATE-UO Trans 112

Comparacin entre los smbolos de los MOSFET


de enriquecimiento y de deplexin con ambos
tipos de canal
D
G
S
Tipo
enriquecimiento

Canal N

G
Tipo S
deplexin

D
G

S
Tipo
enriquecimiento

S
Tipo
deplexin

Canal P

ATE-UO Trans 113

Comparacin de los circuitos de polarizacin para


trabajar en zona resistiva o en zona de fuente de
corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
ID

R
D

+
V1

+
VDS
-

VGS

Canal N

V2

+
V1

+
VDS
-

-ID

V2

VGS

Canal P

Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y


corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114

Comparacin entre transistores JFET y MOSFET


ID

ID

R
IG 0
V1

D
G

V2

+
VGS
S
JFET, canal N

IG =0
+
V1

V2

VGS

MOSFET, canal N

La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estticamente


en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es ms pequea
an que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada
inversamente la unin puerta-canal).
La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el
caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante

ATE-UO Trans 115

Precauciones en el uso de transistores MOSFET


S
N+
P-

D
N+

D
G
S

Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El xido se puede llegar a perforar por la electricidad
esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener
de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116

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