los semiconductores

intrnsecos y los
semiconductores dopados
CURSO :
FISICA ELECTRICA
CARRERA:
ING. SISTEMAS
PROFESOR:
CONDORI ZAMORA KELLY
CICLO:
IV
AO:

2014

LOS SEMICONDUCTORES
INTRNSECOS

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se

comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de
electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la
energa trmica se producen los electrones libres y los
huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones
libres como huecos con lo que la corriente total es cero.
Intrnseco
indica
un
material
semiconductor
extremadamente
puro
contiene
una
cantidad
insignificante de tomos de impurezas. Donde n=p=n i

FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES LIBRES Y

HUECOS DENTRO DEL SEMICONDUCTOR

Cuando los electrones libres llegan

la extremo derecho del cristal,
entran al conductor externo
(normalmente un hilo de cobre) y
circulan hacia el terminal positivo
de la batera. Por otro lado, los
electrones libres en el terminal
negativo de la batera fluiran
hacia el extremos izquierdo del
cristal. As entran en el cristal y se
recombinan con los huecos que
llegan al extremo izquierdo del
cristal. Se produce un flujo
estable de electrones libres y
huecos dentro del semiconductor.

GENERACIN TRMICA DE PARES

ELECTRN-HUECO

Si un electrn de valencia se
convierte
en
electrn
de
conduccin deja una posicin
vacante, y si aplicamos un campo
elctrico al semiconductor, este
hueco puede ser ocupado por
otro electrn de valencia, que
deja a su vez otro hueco. Este
efecto es el de una carga +e
movindose en direccin del
campo elctrico. A este proceso
le llamamos generacin trmica
de pares electrn-hueco

EJEMPLO

El silicio en su modelo bidimensional,

Vemos como cada tomo de silicio se
rodea de sus 4 vecinos prximos con lo
que comparte sus electrones de
valencia.

A 0K todos los electrones hacen su

papel de enlace y tienen energas
correspondientes a la banda de valencia.
Esta banda estar completa, mientras
que la de conduccin permanecer
vaca. Es cuando hablamos de que el
conductor es un aislante perfecto.

LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS

El dopaje consiste en
sustituir algunos tomos de
silicio por tomos de otros
elementos. A estos ltimos
se les conoce con el nombre
de impurezas. Dependiendo
del tipo de impureza con el
que
se
dope
al
semiconductor
puro
o
intrnseco aparecen dos
clases de semiconductores.
(5)

Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N

Sentido del movimiento de un electrn y un

hueco en el silicio.

CASO 1 DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR

Impurezas de valencia 5
(Arsnico,
Antimonio,
Fsforo). Tenemos un cristal
de Silicio dopado con
tomos de valencia 5
Los tomo de valencia 5
tienen un electrn de ms,
as con una temperatura no
muy elevada (a temperatura
ambiente por ejemplo), el
5 electrn se hace electrn
libre. Esto es, como solo se
pueden tener 8 electrones
en la rbita de valencia, el
tomo pentavalente suelta
un electrn que ser libre.

CASO 2

Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro,

Galio). Tenemos un cristal de Silicio
dopado con tomos de valencia 3.
Los tomo de valencia 3 tienen un electrn
de menos, entonces como nos falta un
electrn tenemos un hueco. Esto es, ese
tomo trivalente tiene 7 electrones en la
orbita de valencia. Al tomo de valencia 3
se le llama "tomo trivalente" o "Aceptor".
A estas impurezas se les llama "Impurezas
Aceptoras". Hay tantos huecos como
impurezas de valencia 3 y sigue habiendo
huecos de generacin trmica (muy
pocos). El nmero de huecos se llama p
(huecos/m3). (7)

ELEMENTOS DOPANTES

Para los semiconductores

del Grupo IV como Silicio,
Germanio y Carburo de
silicio, los dopantes ms
comunes son elementos
del Grupo III o del Grupo
V.
Boro,
Arsnico,
Fsforo, y ocasionalmente
Galio, son utilizados para
dopar al Silicio.

(8)

Ejemplo de dopaje de Silicio por el

Fsforo (dopaje Tipo N). En el caso
del Fsforo, se dona un electrn

EJEMPLO DE DOPAJE TIPO P

El
siguiente
es
un
ejemplo de dopaje de
Silicio por el Boro (P
dopaje). En el caso del
boro le falta un electrn
y, por tanto, es donado
un hueco de electrn. La
cantidad de portadores
mayoritarios ser funcin
directa de la cantidad de
tomos de impurezas
introducidos.

En el doping tipo p, la creacin de

agujeros, es alcanzada mediante la
incorporacin en el silicio de tomos con 3
electrones de valencia, generalmente se
utiliza boro.(9)