C

MO S

Dibuat oleh: Ignasius Vinsen / 525140005

Nicky / 525140017
Tommy / 525140022
Januar Chayadi / 525140026

CMOS
Complementary metaloxidesemiconductor(CMOS)
atau semikonduktoroksidalogam komplementer, adalah
sebuah teknologi untuk membuat rangkaian terintegrasi.
Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol
mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya.

Layout Transistor CMOS

Gerbang CMOS

Gerbang CMOS = pasangan NMOS dan PMOS

Transistor NMOS membentuk Pull-Down Network
(PDN)
Transistor PMOS membentuk Pull-Up Network (PUN)

NOT CMOS
Gerbang NOT CMOS diimplementasikan dengan 2
transistor. Prinsip kerja rangkaian CMOS yang berfungsi
sebagai gerbang NOT.

Gerbang NOT (CMOS) dan Tabel

kebenaran

 Kondisi 1, jika input diberi tegangan 0 V, akan

membuatQ1 menuju off dan Q2 menghantar ini
menjadikan tegangan output = Vcc = 5 V(yang
dinyatakan dengan logika 1).
Kondisi 2, bila input diberi tegangan 5 V, akan membuat
Q2 menuju off dan Q1menghantar, ini menyebabkan
teganganoutput berubah menjadi rendah= tegangan
forward Q1= 0,7 V (yang dinyatakan dengan
logika0).Masing-masingkondisikerja rangkaian logika
CMOSyang berfungsi sebagai gerbang NOT.

NAND CMOS
Gerbang NAND CMOS diimplementasikan dengan 4 buah
transistor.

NOR CMOS
Gerbang NAND CMOS diimplementasikan dengan 4 buah
transistor.

AND CMOS
Gerbang AND CMOS diimplementasikan dengan 6 buah
transistor

OR CMOS
Gerbang OR CMOS diimplementasikan dengan 6 buah
transistor. Gerbang OR CMOS merupakan gabungan dari
gerbang NOR CMOS dan NOT CMOS.

BUFFER CMOS
Buffer sering digunakan pada rangkaian yang mempunyai load (beban)
kapasitif besar. Buffer CMOS dapat dibuat dengan kemampuan kapasitas
driving yang berbeda.
Hal itu bergantung dari ukuran transistor yang digunakan. Semakin besar
transistor yang digunakan maka kemampuan menangani arus akan lebih
banyak.
Umumnya digunakan untuk mengontrol LED (Light Emitting Diode). Buffer
pada CMOS ada 2 jenis, yaitu Buffer inverting dan Buffer non-inverting.
Perilaku buffer inverting seperti gerbang NOT, namun mampu memberikan
arus yang lebih besar sehingga dapat mensuplai lebih banyak gerbang di
keluarannya.

TRANSMISSION GATE
Transmission gate (TG) berfungsi seperti saklar,
menghubungkan input (x) ke output (f). Umumnya
Transmission gate digunakan untuk
mengimplementasikan gerbang XOR dan rangkaian
multiplekser.

BUFFER TRI-STATE
Gerbang buffer tri-state mempunyai satu input (x), satu
output (f), dan satu masukan kontrol (e). Saat e=1, buffer
melalukan nilai x ke f. Jika e=0, masukan buffer terputus
dari keluaran f.

 Untuk baris dimana e=0, keluaran dinyatakan dengan

nilai Z. Nilai Z disebut dengan high-impedance. Oleh
karena itu, nama Tri-state berasal dari 2 keadaan normal
(0 dan 1) dan Z sebagai keadaan ketiga (tidak mempunyai
keluaran).

Ada 4 konfigurasi buffer tri-state:

Tipe Output dan Sinyal Kontrol
Non-inverting,
active high

Keluaran buffer f = x saat aktif dan f= Z saat tidak aktif. Buffer aktif saat e =1
dan tidak aktif saat e = 0.
Non-inverting, active low
Keluaran buffer f = x saat aktif dan f= Z saat tidak aktif. Buffer aktif saat e =0
dan tidak aktif saat e = 1.
Inverting, active high
Keluaran buffer f = (terinvers) saat aktif dan f = Z saat tidak aktif. Buffer aktif
saat e = 1 dan tidak aktif saat e = 0.
Inverting, active low
Keluaran buffer f = (terinvers) saat aktif dan f = Z saat tidak aktif. Buffer aktif
saat e = 0 dan tidak aktif saat e = 1.

XOR
Elemen dasar dari gerbang logika CMOS yang lain adalah
gerbang exclusive OR (XOR). Gerbang ini biasanya
digunakan untuk operasi aritmatika. Fungsi XOR
ditunjukkan dengan simbol .

XOR
Keluaran akan bernilai 1 jika dan hanya jika jumlah
masukkan bernilai 1 ganjil.

 Gerbang XOR dapat diaplikasikan untuk rangkaian

aritmatika (elemen full-adder, penjumlah/pengurang dan
deteksi overflow), parity generator dan deteksi bit error
transmisi, serta enkripsi DES (Data Encryption Standard).

XNOR
Komplemen XOR adalah gerbang XNOR exclusive NOR.
Fungsi XNOR ditunjukkan dengan simbol .

Keluaran akan bernilai 1 hanya jika jumlah masukkan

dengan nilai 1 genap. Hal ini disebut juga dengan fungsi
kesamaan (ekuivalensi).

HCMOS (High Speed CMOS)

HCMOS (High Speed CMOS), adalah sekumpulan spesifikasi
untuk rating dan karakteristik listrik, membentuk famili
74HC00, bagian dari seri 7400 integrated circuit (IC).
Beberapa spesifikasi meliputi:
DC supply voltage
DC input voltage range
DC output voltage range
Waktu kenaikan dan penurunan input
Waktu kenaikan dan penurunan output

Jenis HCMOS
HCT adalah High Speed CMOS dengan transistor-transistor tegangan logika. Alat ini
mirip dengan jenis HCMOS kecuali mereka akan beroperasi pada power supply
standar TTL dan tingkat input logika. Hal ini memungkinkan sebagai pengganti
CMOS pin-to-pin secara langsung yang kompatibel untuk mengurangi konsumsi daya
tanpa kehilangan kecepatan.
HCU adalah High Speed CMOS un-buffered. Jenis CMOS ini tidak mengandung
buffer dan sangat ideal untuk kristal dan osilator keramik lainnya yang membutuhkan
linearitas
VHCMOS, atau AHC, adalah Very High Speed CMOS atau Advanced High Speed
CMOS. Waktu propagasi delay adalah antara 3 ns dan 4 ns. kecepatannya mirip
dengan Bipolar Schottky transistor TTL.
AHCT adalah Advanced High Speed CMOS dengan input TTL. Waktu propagasi delay
antara 5 ns dan 6 ns.

Multiple Threshold CMOS

(MTCMOS) Circuits
Logika MTCMOS efektif dalam menjaga kontrol
kebocoran tetapi sulit diimpelmentasikan karena sleep
transistor sizing sangat tergantung pada pola pelepasan
(discharge) dalam blok sirkuit. Dual Vt domino logic
menghindari kesulitan perekatan dan kinerja bawaan
terkait dengan MTCMOS. Sel-sel Vt yang tinggi digunakan
saat kebocoran harus dicegah sedangkan sel Vt rendah
bekerja saat kecepatan menjadi masalah.

 Dalam mode aktif dari operasi Vt transistor yang tinggi

dimatikan dan gerbang logika yang terdiri dari transistor
Vt yang rendah dapat beroperasi dengan pembuangan
daya switching rendah dan delay propagasi lebih kecil.
Dalam mode siaga (standby) transistor Vt yang tinggi
dimatikan sehingga memotong sirkuit Vt internal yang
rendah.

Variable Threshold CMOS (VTCMOS)

Salah satu metode yang efisien untuk mengurangi konsumsi daya
adalah dengan menggunakan tegangan catu rendah dan tegangan
ambang yang rendah tanpa kehilangan kinerja kecepatan. Namun
peningkatan pada perangkat tegangan batas bawah memicu
peningkatan kebocoran subthreshold dan meningkatnya konsumsi
daya siaga(standby). Perangkat Variable Threshold CMOS
(VTCMOS) adalah adalah salah satu solusi untuk masalah ini.
Dalam VTCMOS tegangan teknik ambang perangkat ambang
rendah bervariasi dengan menerapkan variabel tegangan bias
substrat dari sirkuit kontrol.

 Teknik VTCMOS adalah teknik yang sangat efektif untuk

mengurangi konsumsi daya dengan beberapa kelemahan
sehubungan dengan pembuatan perangkat ini. VTCMOS
membutuhkan dua atau tiga teknologi untuk mencapai
tingkat tegangan bias substrat yang berbeda pada bagian
yang berbeda dari IC. Overhead dari sirkuit substrat
kontrol bias diabaikan.

Single Electron CMOS

Single electron CMOS merupakan gabungan antara Single
Electron Transistor (SET) dengan CMOS. Penggabungan
kedua hal tersebut bertujuan untuk menutupi kekurangan
masing masing dari kedua komponen.

CMOS

SET

Keuntunga -

Perbesaran gain lebih kuat

Penggunaan daya rendah

Teknologi fabrikasi yang baik

Mempunyai karakteristik

Mempunyai kecepatan tinggi

osilasi blok coloumb yang

unik

Kerugian

Power density yang terbatas

Ukuran sangat kecil(nano)

Drive current yang rendah

Payah di operasikan dalam

suhu ruangan

 Berukuran sangat kecil (L = 20 nm, W = 20 nm) single

electron CMOS mencapai batas single-elektron ketika
dioperasikan pada suhu kriogenik selama rentang -269 C
(4 K) sampai sekitar -258 C (15 K).

Rangkaian Single Electron CMOS

adalah sebagai berikut :

Single Electron CMOS

Single electron CMOS sendiri di buat untuk mendapatkan
keuntungan dari SET dan CMOS dan menutupi kekurang
masing masing komponen dengan komponen lainnya.
Untuk sekarang ini Hybrid dari SET dan CMOS (atau di
sebut Single Electron CMOS) masih dalam
pengembangan.