Universidad nacional de

Santiago del Estero

Facultad de ciencias exactas y
tecnologas
Materia : Electrnica II
Trabajo practico : Polarizacin y
amplificacin FET
Profesor : Ing. Mario A. Gmez
Alumno : Morales Leandro

Polarizacin de los JFET

Configuracin de polarizacin fija:
Consideremos la polarizacin para un JFET de canal n
Las tensiones y son las tensiones de entrada y salida
y son los capacitores de acoplamiento, para el
anlisis de cd son circuitos abiertos y para el anlisis de ca
son cortocircuitos equivalentes. garantiza que
aparece en la entrada del amplificador en el anlisis de ca.

Para el anlisis en cd :
por lo tanto remplazamos por un cortocircuito equivalente
Aplicando la LKT :
como es fija entonces es fija de ah el nombre
configuracin de polarizacin fija.
La corriente de drenaje esta dada
por la ecuacin de Shockley

Un anlisis grafico requiere trazar la curva de la ecuacin

de Shockley, para ello basta con definir los puntos
y para , luego trazamos la lnea
vertical para el nivel fijo de para determinar
el punto donde se intersectan las curvas se conoce como
punto de operacin o punto Q, as obtenemos
estos valores podemos obtenerlos mediante un voltmetro
y un miliampermetro cuando tengamos el circuito fsico
Por ultimo podemos obtener aplicando la LKT en la salida
para la configuracin tenemos que , por lo que con
la notacin de doble subndice tenemos que:

 Configuracin de autopolarizacin:
Esta configuracin elimina la necesidad de las fuentes de cd
al introducir la resistencia en la rama de la fuente (S)
el cual determina ahora el voltaje de control .
Consideremos la polarizacin de un JFET de canal n
Las tensiones y son las tensiones de entrada y salida
y son los capacitores de acoplamiento, para el anlisis
de cd son circuitos abiertos equivalentes.
Para el anlisis en cd :
por lo tanto remplazamos por un cortocircuito equivalente
Aplicando la LKT :
Como , en este caso es funcin de
y no de una magnitud fija, remplazando en la ec de
Shockley

Elevando al cuadrado y reordenando tenemos

La ecuacin cuadrtica se resuelve para obtener la solucin
de

El mtodo grafico requiere primero establecer las

caractersticas
de transferencia del dispositivo, luego la ecuacin
es la ecuacin de una recta en la misma grafica la cual para
poder
trazarla basta con identificar dos puntos y graficar la recta.
El primer punto lo obtenemos aplicando
El segundo punto lo obtenemos aplicando
entonces .
Luego el punto Q se encuentra en la interseccin de la
recta con
la curva caracterstica del dispositivo y obtenemos
Por ultimo podemos obtener aplicando la LKT en la salida
Adems por la notacin de doble subndice tenemos que:

 Configuracion del divisor de tensin:

Consideremos la polarizacin de JFET de canal n
Las tensiones y son las tensiones de entrada y salida
y son los capacitores de acoplamiento y
es el capacitor de puenteo los cuales para el anlisis de cd
son remplazados circuitos abiertos equivalentes.
Dividimos la fuente en dos fuentes equivalentes para
separar las regiones de entrada y salida de la red.

Como por la LKC por lo tanto

y por la regla del divisor de tensin
(circuito equivalente en serie de y ).
Aplicando la LKT
como

El mtodo grafico requiere primero ubicar las caractersticas

de
transferencia del dispositivo, luego la ecuacin
es la ecuacin de una recta en la misma grafica la cual para
trazarla necesitamos conocer dos punto de dicha recta.
El primer punto tomamos (eje horizontal)
El segundo punto tomamos (eje vertical)
Luego el punto Q se encuentra en la interseccin de la recta
con la curva de transferencia de dispositivos para as
obtener los valores de
Observamos que los valores crecientes de producen
valores de
mas pequeos y valores de mas negativos, es decir
desplazamos el punto Q a dichos valores
Por ultimo podemos obtener aplicando la LKT en la salida
Adems:

 Configuracin en compuerta comn:

En todos los ejemplos anteriores se aplica a la terminal G y se
toma
de la terminal D, en esta configuracin se aplica a la terminal
Sy
se toma de la terminal D y la terminal G esta en contacto a
tierra.
y son los capacitores de acoplamiento (circuito abierto en cd)
Aplicando la LKT:
Nuevamente esta es una ec de una recta y necesitamos dos
puntos
El primer punto tomamos
El segundo punto tomamos
Luego el punto Q se encuentra en la interseccin de la recta
con la curva de transferencia de dispositivos para as obtener
los valores de
Por ultimo podemos obtener aplicando la LKT en la salida

Adems:

especial:
Caso

Una red de valor practico recurrente por su relativa

simplicidad
es la configuracin que muestra en la figura, observamos
que la
conexin directa de G y S a tierra produce , esto
origina una recta de carga vertical trazada en .

Para
Aplicando la LKT en la salida tenemos:
Adems: y

Polarizacin de los MOSFET

MOSFET tipo empobrecimiento:
Debido a las semejanzas entre las curvas de transferencia
de los JFET y los MOSFET tipo empobrecimiento, el anlisis
en cd es el mismo para todas la configuraciones descriptas
hasta ahora para ambos dispositivos.
La diferencia principal es que los MOSFET tipo
empobrecimiento permite puntos de operacin con valores
positivos de y niveles de mayores que .

 MOSFET tipo enriquecimiento:

Las caractersticas de transferencia del MOSFET tipo
enriquecimiento son bastantes diferentes a las del JFET y
los MOSFET tipo empobrecimiento, para niveles de (voltaje
umbral), la corriente de drenaje
y para niveles de , la corriente de drenaje
(para un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n).
En las hojas de especificaciones:
De aqu podemos obtener dos puntos de la curva
de transferencia del dispositivo.
Para completar la curva determinamos la constante
, as podemos determinar otros
niveles de con valores seleccionados de .
En general un punto entre y y otro apenas
mayor que ser suficiente.

 Configuracin de polarizacin por realimentacin:

La configuracin de polarizacin por realimentacin es
muy popular para los MOSFET tipo enriquecimiento
Como la red equivalente
para el anlisis en cd aparece como se muestra
Observamos que existe una conexin directa entre G y D

Aplicando la LKT en la salida tenemos:

Observamos que la ecuacin es la de una recta, por lo que
se puede emplear el mismo procedimiento antes descrito
para determinar los dos puntos que definirn la curva.
Para
Para

 Configuracin de polarizacin por divisor de voltaje:

Consideremos la configuracin de polarizacin para un
MOSFET
tipo enriquecimiento, como , por la regla del divisor
De voltaje tenemos que
Luego aplicando la LKT en la entrada tenemos:

Por ultimo aplicamos la LKT en la salida y tenemos:

Como las caractersticas son una curva de en funcin de y

la ecuacin relaciona las mismas variables, las dos curvas
se pueden trazar en la misma grafica y determinar una
solucin en su interseccin, una vez conocida , se pueden
determinar todas las dems cantidades de la red, tales
como , y .

 Los FET de canal p:

El anlisis realizado hasta ahora se ha limitado a solo FET de canal
n, para los FET de canal p se emplea una imagen de espejo de las
curvas de transferencia y las direcciones de la corriente definidas
se invierten para los diversos tipos de FET.
Observe que para cada una de las configuraciones el voltaje de
alimentacin ahora es un voltaje negativo que absorbe corriente
en al direccin indicada.
Observe que ahora es positivo (positivo y negativo para el
MOSFET tipo empobrecimiento) y negativo.
Debido a las semejanzas entre el anlisis de un dispositivo de
canal n y uno de canal p, se puede suponer un dispositivo de canal
n e invertir el voltaje de alimentacin y realizar todo el anlisis,
luego al obtener los resultados, la magnitud de cada cantidad ser
la correcta, aun cuando se tengan que invertir las polaridades de
voltaje y la direccin de la corriente.

Amplificadores con FET

Caractersticas de los amplificadores con FET:
1. Buena ganancia de voltaje con la ventaja de una alta impedancia
de entrada.
2. Bajo consumo de potencia con un buen intervalo de frecuencias.
3. Peso y tamaos mnimo.
. Aplicaciones de los amplificadores con FET:
Se puede utilizar los FET como amplificadores lineales o como
dispositivo digital en circuitos lgicos, el MOSFET tipo
enriquecimiento es bastante popular en circuitos digitales sobre todo
en circuitos CMOS que requieren muy bajo consumo de potencia,
adems los FET tienen mucho uso en aplicaciones de alta frecuencia y
en aplicaciones de memoria intermedia (interfaz).
. Configuracin de los amplificadores con FET:
Configuracin en fuente comn: proporciona una seal amplificada
invertida.
Configuracin en drenaje comn: proporciona ganancia unitaria sin
inversin.
Configuracin en compuerta comn: proporciona ganancia sin
inversin.

 Modelo de JFET de pequea seal:

Dado que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje, es
decir el voltaje controla la corriente , observamos que el
cambio de que resulta de un cambio del voltaje se
determina mediante el factor de transconductancia

El prefijo trans estable una relacin entre una cantidad de

salida y una de entrada
y la palabra raz conductancia determina la relacin de
voltaje y corriente.
En las caractersticas de transferencia vemos que es la
pendiente de las caractersticas en el punto de operacin
, cuando incrementa
Sabemos que la derivada de una funcin en un punto es
igual
a la pendiente de la recta tangente trazada en dicho punto
y tomando la derivada de respecto a tenemos:

 Impedancia de entrada del JFET:

La impedancia de entrada de todos los JFET comerciales es lo bastante
grande para suponer que las terminales de entrada se aproximan a un
circuito abierto
Para los JFET un valor practico es y los MOSFET de .
Impedancia de salida del JFET:
En las hojas de especificaciones de los JFET, la impedancia de salida en
general aparece como y es un componente de un circuito equivalente de
admitancia donde el subndice o indica que se trata de un parmetro de la
red de salida y s la terminal (fuente) a la que esta conectado en el modelo.
Para los JFET oscila entre 10] y 50 o 20k[ohm] y 100k[ohm].
se define como la pendiente de la curva caracterstica de en funcin de en
el punto Q de operacin para cte; si disminuye.
Circuito equivalente de ca de un JFET:
Comencemos construyendo el modelo del JFET en alterna
se incluye una fuente de corriente conectada de D a S
para representar el control de por , la flecha de la fuente
apunta del D a la S para establecer un desfasamiento de
entre la entrada y salida . La esta representada por un
circuito abierto entre las terminales de entrada, y la esta
representada por la resistencia entre el D y la S.
Cuando se ignora (muy grande, aproximada a un circuito abierto), el
circuito equivalente es solo una fuente de corriente cuya magnitud la
controla la seal .

 Configuracin de polarizacin fija:

Consideremos la polarizacin fija de un JFET de canal n
1.
Los capacitores de acoplamiento y , los cuales
aslan la polarizacin en cd de la seal aplicada y la carga,
actan como cortocircuito para el anlisis en ca.
2. Las fuentes de cd se remplazan por cortocircuito en ca
3. Una vez obtenidos los niveles de y a partir de
la polarizacin en cd o la hojas de especificaciones
podemos sustituir el JFET por su modelo equivalente
en ca con sus terminales apropiadas.
4. Volvemos a trazar con cuidado la red, observe que si
es negativo, la direccin de la corriente se invierte

. (por la equivalencia de circuito abierto en la entrada del JFET)

. // ; si
(si , , , la fuente de corriente es un circuito abierto)
. ; si
,,,
. Relacin de fase: el signo - para revela un desfasamiento de
entre

 Configuracin de autopolarizacin:
puenteado:
Consideremos la auto polarizacin de un JFET de canal n
(esta solo requiere una fuente de cd para establecer el
punto Q)
1. Los capacitores de acoplamiento y y el cap de
puenteo que anula el efecto de actan como cortocircuito
( en el anlisis de cd es un cortocircuito y define Q)
2. Las fuentes de cd se remplazan por cortocircuito
3. Con los valores de y podemos sustituir el JFET
por su modelo equivalente en ca con sus terminales
apropiadas.
4. Redibujamos con cuidado la red.

// ; si
; si
Relacin de fase: el signo - para revela un desfasamiento
de entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida .

sin puentear:
Consideremos la autopolarizacin de un JFET de canal n
Si eliminamos el capacitor de puente , la resistencia
formara parte del circuito equivalente en ca por lo se
aumentara la complejidad del anlisis de la red.
1. Remplazamos los capacitores y por cortocircuitos.
2. Las fuentes de cd se remplazan por cortocircuitos en ca.
3. Sustituimos el JFET por su modelo equivalente en ca
con sus terminales correspondientes.
4. Redibujamos con cuidado la red.

; si

; si
Relacin de fase: el signo - para revela un desfasamiento
de entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida .

 Configuracin del divisor de voltaje:

Consideremos la siguiente configuracin para un JFET de canal n
1. Remplazamos los capacitores y por cortocircuitos.
2. Las fuentes de cd se remplazan por cortocircuitos en ca.
3. Sustituimos el JFET por su modelo equivalente en ca
con sus terminales correspondientes.
4. Redibujamos con cuidado la red.

(por la equivalencia de circuito abierto en la entrada del JFET)

; si
(si , , , la fuente de corriente es un circuito abierto)
; si
,,,
Relacin de fase: el signo - para revela un desfasamiento de entre el
voltaje de entrada y el voltaje de salida .
(Observamos que las ecuaciones son las mismas que las configuraciones
de polarizacin fija y autopolarizacin ( puenteada) excepto que // )

 Configuracin en compuerta comn:

Consideremos siguiente configuracin de un JFET de canal n,
sustituyendo el modelo de JFET obtenemos la figura, observe que se
cumple el requisito de que la fuente se conecta del drenaje a la
fuente con en paralelo; el aislamiento entre los circuitos de
entrada y salida se pierde ya que la compuerta ahora esta
conectada a la terminal tierra, adems el voltaje de control
aparece directamente en la resistencia que ahora esta conectado a
en la entrada.

Si , y , ;
; si
, Si ,
Relacin de fase: el signo + para revela que el voltaje de entrada
y el voltaje de salida estn en fase para esta configuracin.

 Configuracin en fuente-seguidor (drenaje comn):

Consideremos la configuracin fuente-seguidor de un JFET de canal n.
Observe que la salida se toma de la fuente S, y cuando se la
remplaza por su equivalente de cortocircuito el drenaje se pone a
tierra (de ah la terminologa)
Sustituyendo el modelo equivalente del JFET obtenemos la figura que
se muestra como y estn conectados a la misma terminal y a tierra,
se pueden colocar en paralelo as la fuente de corriente invierte su
direccin, pero continua definido entre la compuerta G y las
terminales de la fuente S.

, Si ,

, Si ,
Relacin de fase: el signo + para revela que el voltaje de entrada
y el voltaje de salida estn en fase para esta configuracin.

 MOSFET tipo empobrecimiento:

El hecho de que la ecuacin de Shockley tambin se aplica a
los MOSFET tipo empobrecimiento (D-MOSFET) da la misma
ecuacin para , as el modelo equivalente de ca para los DMOSFET es igual al modelo para los JFET.

La nica diferencia es que para los D-MOSFET puede ser

positivo para dispositivos de canal n y negativo para
dispositivos de canal p, por lo tanto puede ser mayor que ;
el intervalo de es muy semejante al de los JFET.

 MOSFET tipo enriquecimiento:

El MOSFET tipo enriquecimiento (E-MOSFET) puede ser tanto de
canal n (nMOS) como de canal p (pMOS) el modelo equivalente de
pequea seal para estos dispositivos se muestra en la figura,
donde
se revela un abierto entre G y el canal drenaje-fuente y una fuente
de
corriente cuya magnitud depende del voltaje de control , ademas
existe una impedancia de salida representada por la cual
aparece en la hoja de especificaciones como y el parmetro
de transconductancia aparece como la admitancia .
Para el anlisis de los JFET se derivo una ecuacin de a partir
De la ecuacin de Shockley, anlogamente para los E-MOSFET
La relacin de y es , por definicin
Entonces derivando la corriente respecto al voltaje tenemos:

Recordemos que K se determina con un punto de operacin tpico

en las hojas de especificaciones, en cualquier otro caso, el anlisis
de ca es el mismo que se uso para los JFET o los D-MOSFET.

 Configuracin por realimentacin de drenaje:

Consideremos la siguiente configuracin del E-MOSFET de canal n. En
el anlisis de ca la resistencia proporciona una alta impedancia entre
la salida y la entrada de lo contrario ambas terminales estarn
conectadas entre si por lo tanto . Sustituyendo el modelo equivalente
de ca de obtiene la figura no se encuentra dentro del rea que define
el modelo pero si proporciona una conexin directa entre los circuitos
de entrada y salida.

, en general ,
Si ,

, en general ,
Si ,
, en general y Si

Relacin de fase: El signo de revela que y esta desfasados

 Configuracin del divisor de voltaje:

Consideremos por ultimo la configuracin del divisor de
voltaje del E-MOSFET de canal n, para el anlisis en ca
sustituimos el modelo equivalente de ca para el dispositivo y
se obtiene la siguiente figura la cual es la misma que la
configuracin para una JFET, tenga cuidado con la definicin
de para el E-MOSFET.

; si
; si
Relacin de fase: el signo - para revela un desfasamiento
de entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida .

 Efectos de y :
Estudiemos ahora el efecto de la resistencia de la fuente y la resistencia de la carga en la
ganancia de cada uno de los amplificadores; existen dos formas de abordar el anlisis,
podemos sustituir el modelo de ca del FET de inters y realizar un anlisis detallado
similar a la situacin sin carga o bien aplicar las ecuaciones de redes de dos puertos.
Todas las ecuaciones de bipuertos desarrolladas para el BJT tambin se aplican a redes con
FET porque las caractersticas de inters se definen en las terminales de entrada y salida y
no en los componentes del sistema.

La ganancia mxima de un amplificador es la ganancia sin carga. La ganancia con carga

siempre es menor que la ganancia sin carga. Una impedancia de la fuente siempre reduce
la ganancia por debajo del nivel con y sin carga.
En el anlisis de los BJT algunas configuraciones son tales que la impedancia de salida es
sensible a la impedancia de la fuente o la impedancia de la entrada es sensible a la carga
aplicada sin embargo para redes con FET debido a la alta impedancia de entrada, en
general se puede suponer que la impedancia de entrada no se ve afectada por el resistor
de carga y que la impedancia de salida no se ve afectada por la resistencia de la fuente
(hay situaciones especiales en las que lo anterior no es del todo cierto).

 Configuracin en cascada:
El mtodo de los bipuertos es particularmente til para los
sistemas en cascada como se muestra en la figura, donde , ,
,, son las ganancias de voltaje de cada etapa en
condiciones de carga, es decir esta determinada por la
impedancia de entrada de que acta ahora como carga de ,
entonces definimos la ganancia total del sistema como el
producto de las ganancias de cada etapa incluidos los
efectos de carga de la siguiente etapa.

No importa que tan perfecto sea el diseo del sistema, la

aplicaciones de una carga para un sistema de dos puertos
afecta la ganancia de voltaje, por lo tanto no es posible una
situacin en la que , , ,, sean simplemente los valores de
ganancia de voltaje sin carga.

 Diseo de redes de amplificacin con FET:

En la mayora de las situaciones se conoce el voltaje de
alimentacin disponible en cd, se ha determinado el FET que
se va a emplear y se han definido los capacitores que se
usaran a la frecuencia seleccionada, por lo tanto es necesario
determinar los elementos resistivos necesarios para
establecer la ganancia o el nivel de impedancia deseado,
para tal fin en la mayora de los casos la diversas ecuaciones
desarrolladas se utilizan a la inversa, y para evitar la
complejidad innecesaria durante las etapas iniciales del
diseo, a menudo se emplean las ecuaciones aproximadas
porque ocurre alguna variacin cuando a las resistencias
calculadas se las remplazan por valores estndar.
Una vez terminado el diseo inicial, se puede comprobar y
refinar los resultados utilizando las ecuaciones complejas o
mediante la simulacin.
Por ultimo tenga e cuanta que los parmetros de red pueden
afectar los niveles de cd y ac de maneras diferentes, con
frecuencia se debe hacer un balance entre un punto de
operacin particular y su efecto en la respuesta de ac.

 Ejemplo de diseo de un amplificador con FET:

Disee un amplificador con una ganancia 10 y una usando un
JFET 2N5459 y con una fuente de alimentacin de 20[V], luego
calcule la ganancia cuando a la salida se coloca una resistencia
de carga

De las hojas de especificaciones observamos que se trata de un

JFET de propsito general, que lo podemos utilizar tanto como
amplificador o aplicaciones de conmutacin, donde y .

Para

 Simulacin en Proteus:
A

R4(2)

B
+2.15

mA

C
D

R1
3.5k

C3
R4
100M

10uF

Q1

C1

2N5459

-0.54
Volts

C1(-)
10uF

+1.19
+12.5

+1.73
Volts

R3
10M

Volts

R2

C2

+2.27

1.3k

1uF

Volts

AC Volts

R5
10k

R4(2)

+2.05

mA

C
D

R1
3.5k

C3
R4
100M

10uF

Q1

C1

2N5459

-0.54
Volts

C1(-)
10uF

+0.88
+12.8

+1.73
Volts

R3
10M

Volts

R2

C2

+2.27

1.3k

1uF

Volts

AC Volts

R5
10k