QUIMICA DOS MATERIAIS

PROF. NLIA LIMA

lima.nelia@gmail.com

AULA 03 Imperfeies, difuso

e falhas

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Imperfeies em Slidos
As propriedades de alguns materiais so influenciados pela presena de
imperfeies
Exemplo:
Propriedades mecnicas de metais puros experimentam alteraes
significativas quando tomos de impurezas so adicionados
Materiais semicondutores funcionam devido a concentraes controladas
de impurezas especficas so incorporadas em regies pequenas e
localizadas

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TIPOS DE IMPERFEIES
DEFEITOS ESTTICOS

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O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um
cristal.
Podem envolver uma irregularidade:
Na posio dos tomos
No tipo de tomos
O tipo e o nmero de defeitos
dependem do material, do
meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o
cristal processado.
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam muito nas propriedades dos materiais e nem
sempre de forma negativa

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS - IMPORTNCIA

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Exemplos de efeitos da presena de

imperfeies

Wiskers de ferro (sem

imperfeies do tipo
deslocaes) apresentam
resistncia maior que 70GPa,
enquanto o ferro comum rompese a aproximadamente 270MPa.

O processo de dopagem em
semicondutores visa criar
imperfeies para mudar o
tipo de condutividade em
determinadas regies do
material
A deformao mecnica dos
materiais promove a formao de
imperfeies que geram um
aumento na resistncia mecnica
(processo conhecido como
encruamento)
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Defeitos Pontuais Lacunas e

Auto-intersticiais

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LACUNAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um tomo
So formados durante a
solidificao do cristal ou como
resultado das vibraes atmicas
(os tomos deslocam-se de suas
posies normais)
Todos os slidos cristalinos
possuem lacunas

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LACUNAS OU VAZIOS
O nmero de vazios aumenta exponencialmente com a temperatura
Cd concentrao de vazios
Nv nmero de vazios
N nmero de stios atmicos
Qv energia requerida para formao de vacncias
K constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K (8,62x10-5eV/at.K)

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INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio
cristal)
Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o espao do interstcio
A formao de um defeito intersticial implica na
criao de um vazio, por isso este defeito menos
provvel que um vazio.

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INTERSTCIOS NA REDE CBICA (C-Fe)

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Ocorre quando um on sai de sua

posio normal e vai para um
insterstcio.
Presente em compostos que
tm de manter o balano de
cargas. Envolve a falta de
um nion e/ou ction

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CONSIDERAES GERAIS
Lacunas e pares de Schottky favorecem a difuso.
Estruturas de empacotamento mximo tm um menor nmero de
defeitos intersticiais e pares de Frenkel do que lacunas de Schottky.

Porque necessria energia adicional para

forar os tomos para novas posies

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DIFUSO

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MECANISMOS DE DIFUSO

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FATORES QUE INFLUENCIAM A DIFUSO

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IMPUREZAS EM SLIDOS
Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos estranhos)
presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3
A presena de impurezas promove a formao de defeitos pontuais

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LIGAS METLICAS
Impurezas so adicionadas intencionalmente com a finalidade:
aumentar a resistncia mecnica
aumentar a resistncia corroso
aumentar a condutividade eltrica

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LIGAS METLICAS
A adio de tomos de impurezas a um metal ir resultar a formao de:
Solues slidas < limite de solubilidade
Segunda fase > limite de solubilidade
A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza
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Em ligas metlicas
Elemento de liga ou
impureza soluto (menor
quantidade)
Matriz ou hospedeiro
solvente (maior
quantidade)

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SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas
semelhantes
Nas solues slidas as impurezas podem ser:
Intersticial
Substitucional

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SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

Os tomos do soluto ou tomos de impurezas tomam o lugar dos tomos
hospedeiros ou os substituem

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Fatores que influem na formao de

solues slidas substitucionais
Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova
fase
Estrutura cristalina mesma
Eletronegatividade prximas
Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro

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 Cu + Ni so solveis em todas as propores

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SOLUES SLIDAS INTERSTICIAIS

Os tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos
interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as
posies intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios

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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA INTERSTICIAL

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Defeito de linha

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DISCORDNCIAS
um defeito linear ou unidimensional em torno do qual alguns dos tomos
esto desalinhados;
As discordncias esto associadas com a cristalizao e a deformao
(origem: trmica, mecnica e supersaturao de defeitos pontuais)
A presena deste defeito a responsvel pela deformao, falha e ruptura
dos materiais
Podem ser:
Aresta
Hlice
Mista
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DISCORDNCIAS
Discordncia Um defeito linear em um material cristalino.
Discordncia em cunha (edge dislocation) Uma discordncia introduzida
no cristal pela adio de um meio plano extra de tomos.
Discordncia em hlice (screw dislocation) Uma discordncia produzida
pela distoro (toro) de um cristal, de modo que um plano atmico produza
uma rampa ao redor da discordncia (caminho para a discordncia).
Discordncia mista (mixed dislocation) Uma discordncia que contem
componentes de discordncias em cunha e em hlice.
Escorregamento (slip) Deformao de um material metlico pelo
movimento de discordncias atravs do cristal.
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VETOR DE BURGER
D a grandeza e a direo da distoro da rede
Corresponde distncia do deslocamento dos tomos ao redor da
discordncia

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DISCORDNCIA EM ARESTA
Envolve um SEMIplano extra de tomos
O vetor de Burger perpendicular
direo da linha da discordncia
Envolve zonas de trao e compresso

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DISCORDNCIA EM HLICE
Produz distoro na rede
devido a tenso de
cisalhamento
O vetor de Burger paralelo
direo da linha de
discordncia

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COMO SE OBSERVA AS DISCORDNCIAS

Diretamente microscopia
eletrnica de transmisso
(MET)
Indiretamente microscopia
eletrnica de varredura (MEV)
e microscopia ptica (aps
ataque qumico seletivo)

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DISCORDNCIAS NO TEM
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Discordncias e deformao plstica

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Discordncias e deformao plstica

A tenso cisalhante crtica o valor mximo, acima do qual o cristal comea a
cisalhar.
No entanto, os valores tericos so muito maiores do que os valores obtidos
experimentalmente.
Esta discrepncia s foi entendida quando se descobriu a presena das
discordncias.
As discordncias reduzem a tenso necessria para cisalhamento, ao
introduzir um processo sequencial, e no simultneo, para o rompimento das
ligaes atmicas no plano de deslizamento.
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Discordncias e deformao plstica

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CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo
grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de
deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das
mesmas e formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias
formando uma atmosfera de impurezas

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DEFEITOS INTERFACIAIS

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DEFEITOS INTERFACIAIS
Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas
Essas imperfeies incluem:

Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento
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SUPERFCIES EXTERNAS
Na superfcie os tomos no esto completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na superfcie maior que no interior do
cristal
Os materiais tendem a minimizar esta energia
A energia superficial expressa em erg/cm2 ou J/m2)

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CONTORNO DE GRO
Corresponde regio que separa
dois ou mais cristais de orientao
diferente
No interior de cada gro todos os
tomos esto arranjados segundo
um nico modelo e nica orientao,
caracterizada pela clula unitria

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CONTORNO DE GRO

Os tomos prximos aos contornos (a) no possuem uma distncia de

equilbrio ou arranjo definido. Gros e contornos de gro em uma amostra de
ao inoxidvel ferrtico (b).
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FORMAO DO GRO

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Contornos de macla (twin)

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 As maclas resultam de deslocamentos atmicos que so produzidos a partir

de:
Foras mecnicas de cisalhamento
Tratamentos trmicos de recozimento realizado
aps deformao

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DEFEITOS INTERFACIAIS DIVERSOS

Falhas de empilhamento:
So encontrados em metais CFC
Interrupo na sequncia de empilhamento ABCABC
Contornos de fase
Materiais de mltiplas fases, atravs dos quais h uma mudana
repentina nas caractersticas fsicas e/ou qumicas

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Interfaces (fronteiras entre fases)

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DEFEITOS VOLUMTRICOS

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DEFEITOS VOLUMTRICOS
So introduzidas no processamento do material e/ou na fabricao do
componente. So eles:
Incluses - Impurezas estranhas
Precipitado - so aglomerados de partculas cuja composio difere da
matriz
Fases - forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga
(ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado)
Porosidade - origina-se devido a presena ou formao de gases

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INCLUSES

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POROSIDADE

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Exemplo de partculas de segunda fase

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