Semicondutores

Estrutura de bandas de energia nos slidos

A maneira com que os eltrons se distribuem em torno do ncleo do tomo
no aleatria. Segue regras bem definidas, que so as mesmas para todos os
elementos.

De acordo com a Teoria Quntica os estados de energia da matria no

variam continuamente, mas sim em pequenos intervalos discretos, chamados
quanta.

A energia dos eltron ocupa certos nveis que so determinados por 4

nmeros qunticos. A configurao eletrnica de um tomo isolado
representa o arranjo dos eltrons no interior dos estados permitidos

Um slido pode ser considerado como um grande nmero de tomos (N),

que

esto

inicialmente

separados

uns

dos

outros

que

so

subsequentemente agrupados para formar um material cristalino.

medida que esses tomos se aproximam, os eltrons sentem a ao dos

outros eltrons e ncleos adjacentes e so perturbados por eles. Assim cada

estado atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados eletrnicos
proximamente separados no slido, para formar as bandas de energia
eletrnica. A extenso dessa diviso depende da separao interatmica.

Sendo assim, banda de energia o conjunto dos nveis de energia que os

eltrons em um slido podem possuir. Cada banda representa um grande

nmero de estados qunticos permitidos e existem algumas denominadas
proibidas (espaamento entre as bandas).

O nmero de estados dentro de cada banda ser igual totalidade dos

estados contribudos pelos N tomos.

Exemplo: uma banda s ir constituir N estados. J uma banda p

em 3N

estados.

As bandas iro conter os eltrons que residem nos nveis correspondentes

dos tomos isolados. Existiro bandas vazias ou preenchidas parcialmente.

A estrutura das bandas dos slidos explica as suas propriedades eltricas.

O arranjo das bandas eletrnicas mais externas e a maneira como elas esto
preenchidas de eltrons ditar as caractersticas eltricas desse material.

Quatro diferentes estruturas de bandas so possveis.

 Na primeira, a camada mais externa

apenas parcialmente preenchida.
A energia correspondente ao mais alto
estado de energia ocupado a 0K chamada de
Energia de Fermi (Ef).
Esse tipo de estrutura tpica de alguns
metais que possuem um nico eltron na
camada de valncia, como o cobre.

Cada tomo de Cu possui um nico eltron 4s. Para um slido composto por N tomos, a
banda 4s capaz de acomodar 2N eltrons. Assim, somente metade das posies
eletrnicas disponveis estaro preenchidas.

 Para o segundo tipo de estrutura,

tambm encontrada nos materiais
metlicos, h uma sobreposio de
uma banda vazia por uma banda
ocupada. O magnsio possui esta
estrutura.

Cada tomo de Mg isolado possui dois eltrons 3s. Quando o slido formado, as bandas
3s e 3p se sobrepem. A energia de Fermi tomada como sendo aquela energia abaixo da
qual, para N tomos, N tomos so preenchidos, dois eltrons por estado.

 As duas estruturas finais so semelhantes; uma banda de valncia

completamente preenchida separada de uma banda de conduo vazia.
Um espao separa as duas bandas. Os eltrons no podem ficar neste
espao. A diferena entre uma e outra est na largura da banda proibida.
Para materiais isolantes, o espaamento amplo, enquanto no caso de
materiais semicondutores este espaamento estreito.

Deste modo, com o objetivo de se movimentarem atravs do slido, os

eltrons tm de passar de um estado quntico para outro, o que acontece se
existirem estados qunticos vazios com a mesma energia.

Como regra geral, os eltrons no podem mudar para um novo estado

quntico da mesma banda se a banda de valncia se encontra totalmente
preenchida.

Para que ocorra a passagem da corrente eltrica, necessrio que os

eltrons se encontrem em uma banda no completa, designada por banda
de conduo.

Os metais so bons condutores de corrente eltrica no s porque a

banda de valncia e a banda de conduo se encontram semi-preenchidas,
mas tambm porque a banda de conduo se sobrepe banda de
valncia.

No caso dos isolantes, as bandas de conduo e de valncia encontramse separadas por uma larga zona energtica proibida e, deste modo, os
eltrons no possuem energia suficiente para transitar de uma para outra.

No caso dos semicondutores, o nvel de energia que separa a banda de

energia superior completamente ocupada possui uma largura muito
pequena relativamente banda imediatamente superior desocupada,
bastando um pequeno acrscimo de energia para fazer passar os eltrons
para a banda desocupada, possibilitando assim a conduo de correntes
eltricas.

o Em isolantes e semicondutores, os eltrons com energia maior que Ef

podem ser acelerados na presena de um campo eltrico. Eles so
chamados de eltrons livres
Esse energia pode ser eltrica, calor ou luz...
O aumento de temperatura resulta em aumento de energia trmica
disponvel, que diminui a resistividade desses materiais.
o Quando um campo eltrico aplicado os eltrons livres experimentam

uma acelerao oposta a do campo, devido a sua carga negativa.

Devido a imperfeies nos cristais, o eltron neste movimento sofre
vrias mudanas de direo. Existe, contudo, um movimento lquido na
direo oposta a do campo.
o Uma entidade eletrnica conhecida como buraco participa da conduo
eletrnica.

As propriedades eltricas dos semicondutores so extremamente

sensveis presena de pequenas concentraes de impurezas. De
acordo com sua impureza e estrutura, os semicondutores so divididos
em:
SEMICONDUTORES
INTRNSECOS:
so
aqueles
cujo
comportamento eltrico est baseado da estrutura eletrnica do material
puro. Sua condutividade eltrica geralmente pequena e varia muito
com a temperatura.
SEMICONDUTORES
EXTRNSECOS:
so
aqueles
cujo
comportamento eltrico depende fortemente do tipo e da concentrao
dos tomos de impurezas. A adio de impurezas para a moldagem do
comportamento eltrico dos semicondutores chamada de DOPAGEM.

Semiconduo Intrnseca

A banda proibida nos semicondutores a 0K geralmente menor que 2eV.

Os dois elementos semicondutores elementares so o silcio e o

germnio (4A), que tem a largura de banda proibida em 1,1 e 0,7eV.

Em semicondutores intrnsecos para cada eltron excitado para banda de

conduo fica uma uma lacuna, ou no conceito de bandas, um estado

deixado livre. A lacuna tem a mesma carga do eltron, mas de sinal
contrrio.

Semiconduo Extrnseca

Em semicondutores extrnsecos seu comportamento determinado por

impurezas, as quais mesmo em pequenas concentraes, induzem excesso

de eltrons ou lacunas.
Por exemplo: uma concentrao de impurezas da ordem de um tomo
por 1012 suficiente para tornar o silcio extrnseco temperatura
ambiente.

As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco

podem ser de dois tipos: impurezas de tomos doadores e impurezas de

tomos receptores.

Se o semicondutor for adicionado por impurezas doadores chamado

de semicondutor tipo n e se for adicionado por impurezas receptoras

chamado de semicondutor tipo p .

Semicondutor tipo n

Consideremos um semicondutor de silcio, o qual tem 4 eltrons na

camada de valncia, todos participando de ligaes covalentes com

quatro tomos adjacentes de silcio.

Suponha que uma impureza com 5 eltrons na camada de valncia

(P, por ex.) propositalmente colocada em substituio a um tomo de

silcio.

Como somente quatro eltrons podem participar das ligaes

covalentes, um eltron ficar fracamente ligado ao tomo da impureza

e ser facilmente removido, tornando-se um eltron livre.

Semicondutor tipo p

Suponha uma impureza com 3 eltrons na camada de valncia (Al

ou B, por ex.) propositalmente colocada em substituio a um tomo

de silcio ou germnio.

Haver deficincia de 1 eltrons para compor as ligaes covalentes,

com os quatro tomos vizinhos. Desta forma uma lacuna gerada.

Uma impureza deste tipo dita receptora e apenas um portador de

carga, uma lacuna, criada quando um tomo deste tipo de impureza

introduzido.

Semicondutor tipo p

A lacuna pode ser liberada do tomo do tomo de impureza pela transferncia de

um eltron de uma ligao adjacente. Eltron e lacuna trocam de posio. Uma
lacuna em movimento est em um estado excitado e participa do processo de
conduo.