FSICA DOS SEMICONDUTORES

AULA 01
Prof. Artur Fernandes

TCE/TEE Eletrnica Bsica

Microeletrnica
Ramo da Eletrnica voltado integrao de circuitos eletrnicos:
miniaturizao dos componentes em escala microscpica
envolve processos fsico-qumicos de fabricao e projeto dos circuitos
integrados
seus componentes so construdos na escala de mcrons ou mesmo
nanmetros (ramo de nanotecnologia)

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Microeletrnica
o conjunto de componentes usados para um mesmo projeto chamado de
circuito integrado (CI)
chip ou microchip
pequenas dimenses

utilizao em:
memrias de computadores
processadores
modems (modulador/demodulador)
conversores analgicos digitais
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Microeletrnica
substrato (base ou suporte fsico)
mltiplos CIs
material nico

wafer

Dispositivos que usam recursos de movimentao e transporte especficos de

cargas eltrica em nvel interatmico
modulao dos mecanismos de transporte das cargas em material
semicondutor.
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Eletrnica de Potncia
Ramo da Eletrnica, voltado circuitos de potncia:
envolve aplicaes de dispositivos semicondutores de potncia
tiristores e transistores

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Eletrnica de Potncia
uso na converso e no controle de energia eltrica em nveis altos de
potncia (equipamentos de grande porte e equipamentos industriais)
converso de AC para DC e vice-versa
parmetros controlados: tenso, corrente e frequncia
tecnologia interdisciplinar entre trs campos bsicos da eletricidade:
a potncia eltrica
a eletrnica
o controle de sistemas

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 SEMICONDUTORES

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Semicondutores
Qumica:
tomo:
menor unidade de um elemento, apresentando todas as caractersticas
desse elemento tabela peridica
constitudo por um ncleo central muito pequeno e denso que contm
prtons e nutrons, rodeado por um ou mais conjuntos de eltrons em
rbita (camadas orbitais = eletrosfera)
permanece indivisvel em reaes qumicas exceto para a doao,
aceitao ou troca de eltrons eltrons de valncia

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Semicondutores
Qumica:
em condies normais, os tomos que possuem 4 eltrons na ltima
camada de valncia no so estveis
camada de valncia: caracterstica associada a condutividade de cargas
eltricas e a ligaes atmicas
possibilidade de um tomo (material) quanto a sua camada de valncia:
bom condutor
>>> menos de 4 eltrons
mal condutor ou isolante >>> mais de 4 eltrons
semicondutor
>>> igual a 4 eltrons

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Semicondutores
Classificao dos materiais de acordo com sua condutividade:
Condutores (metais)
= 10 6 ~ 10 7 [S/m]
Semicondutores
= 10 8 ~ 10 6 [S/m]
Isolantes
= 10 8 ~ 10 16 [S/m]
Supercondutores
[S/m]

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Semicondutores
condutividade eltrica de isolantes e semicondutores:
altamente dependente de condies ambientais
temperatura
radiao luminosa
radiao ionizantes (raio-x , raios gama)
presso
campos magnticos
pureza do material do substrato

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Semicondutores
tabela peridica
elementos isolados
compostos
arseneto de glio (GaAs)
antimoneto de ndio (InSb)
arseneto de ndio (InAs)
sulfito de cdmio (CdS)
GaAs

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InSb

Semicondutores
elementos deste grupo:
agrupamento em estrutura cristalina
cada tomo fica equidistante em relao a quatro outros tomos
alcance da estabilidade qumica atravs de quatro ligaes qumicas covalentes
8 eltrons na ltima camada

diferena em relao aos metais

no apresentam um nmero constante de cargas mveis (portadores) qual h
variao da temperatura
os portadores para serem livres necessitam de ativao
energia = agitao trmica
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Semicondutores
Exemplos

Germnio: 32 eltrons em quatro camadas

Silcio: 14 eltrons em trs camadas
em comum: 4 eltrons na camada mais externa
(camada de valncia)
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Semicondutores
Slidos:
Cristais (ou monocristais) semicondutores
Policristais
metais
Amorfos
isolantes

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Semicondutores
Cristal de Silcio

recombinao de tomos de silcio para formao de um corpo slido

requer estabilidade atmica = 8 eltrons na camada de valncia
compartilhamento de eltrons entre tomos vizinhos
ligao covalente

Natureza
Semicondutor intrnseco
aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura
a concentrao de portadores de carga positiva igual
concentrao de portadores de carga negativa
Semicondutores extrnsecos ou dopados
h introduo proposital de uma impureza para controle
das caractersticas eltricas do semicondutor
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Semicondutores
Comparao do Efeito da Temperatura
condutores ]
R0 a resistncia do material na temperatura T0

o coeficiente de temperatura do material da resistncia

semicondutor puro
Ea a energia de ativao
k a constante de Boltzmann
T temperatura absoluta (em kelvin)

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Semicondutores
Resistividade versus Temperatura
Efeitos dominantes

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Na regio II a dependncia da resistividade com a

temperatura governada pela variao da mobilidade.
Os tomos doadores esto ionizados.

Na regio I nem todos os tomos doadores esto

ionizados. A densidade de portadores causa a relao
inversa da resistividade para com a temperatura.

Na regio III no s a densidade como a concentrao e

a agitao trmica modificam a liberdade de
movimentao dos portadores. H um nmero adicional
de eltrons.

Semicondutores
Comparao quanto a cargas eltricas mveis (portadores)
Condutores (metais): contm um nmero constante de portadores mveis
em todas as temperaturas
Semicondutor: os portadores devem ser ativados para que se tornem livres

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Semicondutores
Nveis de Energia

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Semicondutores
Dependncia da Banda Proibida (faixa ou gap) com a Temperatura
Equao emprica:

Grandeza

Germnio

Silcio

GaAs

Eg(0) [eV]

0,7437

1,166

1,519

[meV/K]

0,477

0,473

0,541

[K]

235

636

204

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Semicondutores
Caracterstica da Banda Proibida nos Semicondutores
temperatura 0 K, a banda de conduo vai estar totalmente vazia, e a
banda de valncia totalmente preenchida
quando o material aquecido, alguns eltrons saem da banda de valncia
e passam para a banda de conduo
ganho suficiente de energia do eltron para passar banda superior

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Semicondutores
Caracterstica da Banda Proibida (gap) nos Semicondutores
Concluso parcial:
sob temperatura 0 K os semicondutores possuem a camada de valncia
totalmente preenchida e um E relativamente baixo (entre o E dos
condutores e dos isolantes)
isto possibilita controlar a condutividade dos semicondutores variando a
temperatura (ou outra forma de excitao)

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Semicondutores
Caracterstica da Banda Proibida nos Semicondutores
Gerao Trmica
quando a temperatura aumenta, alguns eltrons deixam a camada de valncia indo
para a camada de conduo
a densidade (concentrao) destes eltrons na camada de conduo:
n [eltrons.cm 3 ]
os nveis desocupados na camada de valncia so chamados de lacunas e sua
densidade representada por:
p [eltrons.cm 3]
condio que se permite conduzir eletricidade
pares eltron-lacuna so continuamente gerados e recombinados temperatura
ambiente

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Semicondutores
Caracterstica da Banda Proibida nos Semicondutores
Gerao Trmica
no semicondutor puro:

n = p = ni

[eltrons.cm 3]

n : concentrao de eltrons livres na camada de conduo

p : concentrao de lacunas livres na camada de valncia
ni : concentrao ou densidade intrnseca de portadores
ni depende do material (energia do gap), da temperatura, luz incidente e stress
mecnico
B : depende do material = 5,4 x 1031 para o silcio
k : constante de Boltzmann = 8,617 x 10-5 eV/K (= 1,38 x 10-23 J/K)
T : temperatura absoluta em kelvin
Eg : energia do gap = 1,12 eV (= 1,76 x 10 -19 J) para o silcio

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Semicondutores
Caracterstica da Banda Proibida nos Semicondutores
Gerao Irradiante (tica)
um eltron deixa a camada de valncia indo para a camada de conduo
pela incidncia de um fton com energia maior que a energia do gap
(banda proibida)
quando ocorre a recombinao do par eltron-lacuna h liberao de um
fton com energia igual do eltrons

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Semicondutores
Silcio intrnseco
semicondutor puro,
um cristal abstrato que no conta com nenhum outro tipo de elemento que
no seja o silcio (ou um nmero bastante reduzido de impurezas)

pureza: 99,9999%
1 ppb (parte por bilho)

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Semicondutores
Dopagem
como os semicondutores em condies normais apresentam uma
conduo muito baixa, alguns tomos (num processo muito preciso)
so substitudos por impurezas, com a finalidade de aumentar a
condutividade
concentraes pequenas e controladas de impurezas (tipo)
as impurezas quebram a regularidade da rede cristalina afetando os
nveis de energia e fornecendo novos portadores de corrente
1 ppm

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Semicondutores
Dopagem
Impureza doadora:
elementos qumicos que possuem cinco eltrons na ltima camada
se colocados na estrutura do semicondutor, tero quatro eltrons
envolvidos em ligaes covalentes (um excedente)
eltron praticamente livre
o semicondutor dopado com uma impureza doadora denominado
do tipo N
Exemplo de tomos pentavalentes: Arsnio (As), Antimnio (Sb) e
Fsforo (P)

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Semicondutores
Dopagem
Impureza aceitadora:
elementos qumicos que possuem trs eltrons na ltima camada
se colocados na estrutura do semicondutor, tero trs eltrons
envolvidos em ligaes covalentes (faltando um)
implica na formao de um buraco ou lacuna na estrutura
o semicondutor dopado com uma impureza aceitadora denominado
do tipo P
Exemplo de tomos trivalentes: Alumnio (Al), Boro (B), Glio (Ga) e
ndio (In)

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Semicondutores
Dopagem
Dopagem Tipo N
produz um nvel de energia doador
impureza doadora (eltron livre)
Dopagem Tipo P
produz um nvel de energia aceitador
impureza aceitadora (lacuna)

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Dvidas?

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