Centro de Investigacin en Energia

Universidad Nacional Autnoma de Mxico

Celdas Solares basadas en Cobre Indio

Selenio (CIS)
Dr. Aarn Snchez Jurez

Celdas de CuInSe2
En los ltimos aos, la tecnologa de celdas solares de
pelcula delgada se ha desarrollado como una medida
substancial para reducir los costos de los sistemas
fotovoltaicos. Por lo que, se espera que los mdulos de
pelculas delgadas sean mas baratos en su manufactura
debido a la reduccin de costos del material, costos de
energa, costos de manejo y costos de capital. Sin
embargo, las pelculas delgadas han tenido que ser
desarrolladas usando nuevos materiales semiconductores,
incluyendo silicio amorfo, CuInSe2, y CdTe.

CuInSe2
Cobre Indio Selenio
(CuInSe2, o CIS)
Es un material policristalino
de pelcula delgada, el cual
ha alcanzado una eficiencia
de 17.7 %, en 1996, y con un
modulo prototipo se ha
alcanzado 10.2 %.

Celdas de CuInSe2
Las celdas de CuInSe2 (CIS) absorben el 99% de la luz en el primer
mm de material. La estructura de estas celdas consiste generalmente
en un conductor transparente, luego de una pelcula antireflectora
seguida del semiconductor tipo n, generalmente. Esta pelcula n, del
orden de 0.05 a 0.1 mm acta como una ventana. Esta ventana debe
ser suficientemente delgada, tener un ancho de banda superior a 2.8
eV o mayor y tener una absortividad tan baja que permita que la luz
pase a travs de la juntura de la pelcula absorbedora. Esta pelcula
tipo p tiene generalmente 2 mm de espesor, una alta absortividad y un
ancho de banda apropiado para tener un Voc elevado.

Celdas de CuInSe2

Estructura de una celda solar de CuInSe2

Tcnicas de fabricacin
Para la fabricacin de la pelcula n
de CdS se emplea evaporacin.
Para la deposicin de CIS se
emplea evaporacin, pulverizacin
inica, spray pirlisis (aspersin
piroltica) y electro-deposicin. En
la evaporacin, los tres elementos
Cobre,
Indio
y
Selenio
(Coevaporacion) se calientan a
altas temperaturas hasta que stos
elementos
se
evaporan
y
condensan sobre el sustrato
formando la capa CIS.

Aspersin piroltica

En el mtodo de aspersin piroltica, las

sales conteniendo Cu, In y Se se
esparcen por aerosol sobre el sustrato
caliente. Cuando el solvente evapora,
deja la pelcula de CIS. En la electrodeposicin, los iones de los elementos
requeridos son depositados sobre un
sustrato que acta como electrodo.

Eficiencias de conversin, altas

La tcnica de
evaporacin

Difcil escalamiento a nivel industrial

Equipo muy costoso

Tcnica muy sencilla

Electrodepsito

Relativamente barata
Escalamiento a nivel industrial puede
llevarse a cabo sin ningn problema.

Brechas de banda
La brecha de banda de CIS puede ser incrementada aplicando
Galio (creando un compuesto llamado CIGS), el cual resulta de
absorcin mas eficiente.
Las brechas de banda de los semiconductores mas comunes
utilizados en dispositivos fotovolticos a temperatura ambiente
son:

Material

Si

Bandgap 1,1 eV

GaAs

CdTe

CIS

1,4 eV

1,5 eV

1,0 eV

Semiconductores ternarios
CuInS2, CuInSe2 y CuInTe
Sus anchos de banda tienen valores satisfactorios para
dispositivos de homounin y heterounin;
Sus transiciones de banda son directas, minimizan los
requerimientos de longitudes de difusin para portadores
minoritarios y espesores de capa-absorbedora;
Pueden producirse materiales tipo n p
El emparejamiento de red y la afinidad electrnica son adecuados
para materiales ventana comunes tipo n
Los coeficientes de absorcin ptica son altos, CuInSe2 (1-5x105
cm-2)
Las propiedades electro-pticas son extremadamente estables

CuInSe2 ricas en Cu (Cu:In>1)

(controla la estructura)
CuInSe2 deficientes en Cu (Cu:In<1)
(controla la composicin final)

Apariencia
estructura
grandes

mate
de

y una
granos

Apariencia especular y una

estructura
de
granos
pequeos

Estructuras del tipo Vidrio/Mo/CIS/CdS/ZnO

Pueden hacerse dispositivos de CIS utilizando depsitos en dos
etapas de pelculas de CIS, con una variacin grande
en la
composicin promedio Cu/In 1
Para mejorar la eficiencia
Reducir el espesor de la capa de CdS a 0.05m y agregar una capa de
ZnO
Substitucin parcial de In por Ga S por Se; Eg mas altas dan un
mejor emparejamiento al espectro solar
Incorporacin de Na en la pelcula de CuInSe2

CuInSe

Nucleation layer of CuInSe2 grown by LPE on a CuInSe2 substrate