Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
AULA 12
Prof. Artur Fernandes
TCE/TEE Eletrotcnica
Transistor Bipolar
Transistor
reunio dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR
resistncia de transferncia
aparecimento em 1947
Transistor Bipolar
em razo dos portadores eltrons e
lacunas participarem no processo do
fluxo de corrente (injeo em
polaridades opostas)
normalmente com 3 camadas de Si
com dopagens diferenciadas
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
BJT
O transstor bipolar pode ser utilizado:
como interruptor eletrnico
na amplificao de sinais
como oscilador
No polarizado
dois diodos em configurao back-to-back
cada diodo possui uma barreira de potencial de aproximadamente 0,7 V
TCE/TEE Eletrotcnica
BJT
Polarizado
O emissor densamente dopado possui elevado nmero de eltrons livres
que sero injetados na base
A base levemente dopada e muito fina de modo a permitir que a maioria
dos eltrons livres do emissor passem em direo ao coletor
O nvel de dopagem do coletor intermedirio entre a densa dopagem do
emissor e a fraca dopagem da base
O coletor recebe a maior parte dos eltrons originados na base
O coletor o maior parte estrutural do transistor e onde a maior
quantidade do calor gerado ser dissipado
TCE/TEE Eletrotcnica
BJT
Polarizado
Forma comum de polarizao de um BJT
1. juno base-emissor (diodo emissor)
diretamente polarizado pela fonte
2. juno base-coletor (diodo coletor)
polarizado reversamente pela fonte
TCE/TEE Eletrotcnica
BJT: Operacionalidade
transistor bipolar
polarizao atravs de uma fonte CC
regra prtica:
o emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui
a base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui
o coletor polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui
Emisso
r
Bas
e
Colector
Emisso
r
Bas
e
Colector
+
TCE/TEE Eletrotcnica
+ +
BJT: Correntes
IE = IC + IB
BJT: Correntes
I = I + I
E
C
B
a relao entre a corrente contnua do coletor e a corrente
contnua da base chamada de ganho de corrente de
emissor comum
a relao entre a corrente contnua do emissor e a do
coletor o parmetro ou ganho de corrente de base comum
de onde
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
Polarizao
fixar um ponto de operao em corrente contnua, dentro de suas curvas
caractersticas (polarizao CC)
ponto de operao (ou quiescente)
localizado nas regies de corte, de saturao ou ativa da curva
caracterstica de resposta ou sada
associados s trs regies citadas.
QA: Regio ativa
QB: Regio de saturao
QC: Regio de corte
TCE/TEE Eletrotcnica
TCE/TEE Eletrotcnica
regio de saturao:
o amplificador est totalmente ligado
existe uma pequena tenso mas muita corrente
TCE/TEE Eletrotcnica
Corte
NPN
Condies
PNP
Modelo
IC = 0
IE = 0
IB = 0
VBE = 0,7 V
Ativa
VBE = 0,7 V
IC = . IB
IE = IC + IB =
Condies
VEB = 0,7 V
VBC < 0,7 V
IE = ( + 1).IB
Saturao
TCE/TEE Eletrotcnica
VBE = 0,8 V
VCB = 0,7 V
VBE = 0,8 V
VCE = 0,1 V
IE = IC + IB
Modelo
IC = 0
IE = 0
IB = 0
VEB = 0,7 V
I C = . IB
IE = IC + IB =
IE = ( + 1).IB
VEB = 0,8 V
VBC = 0,7 V
VEB = 0,8 V
VEC = 0,1 V
IE = I C + I B
IC
hfe
ft
Observaes
Em um circuito no se pode
substituir um transistor de silcio
por um de germnio ou viceversa
No se pode trocar diretamente
um transistor NPN por um PNP
ou vice-versa
TCE/TEE Eletrotcnica
Observaes
O uso de dissipadores ou radiadores externos de calor so quase obrigatrios
nos transistores que trabalham com potncias elevadas
evitar o sobreaquecimento do componente
evitar a influncia da mudana de temperatura nos
parmetros do dispositivo
evitar a sua destruio
TCE/TEE Eletrotcnica
Dvidas
TCE/TEE Eletrotcnica