Você está na página 1de 26

Transistor Bipolar de Juno

AULA 12
Prof. Artur Fernandes

TCE/TEE Eletrotcnica

Transistor Bipolar
Transistor
reunio dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR
resistncia de transferncia
aparecimento em 1947
Transistor Bipolar
em razo dos portadores eltrons e
lacunas participarem no processo do
fluxo de corrente (injeo em
polaridades opostas)
normalmente com 3 camadas de Si
com dopagens diferenciadas
TCE/TEE Eletrotcnica

Transistor Bipolar de Juno


transistor bipolar
trs terminais
Emissor (E)
Base (B)
Colector (C)
constitudo por duas junes p-n
juno base-emissor
juno base-colector
tipos
NPN
PNP
TCE/TEE Eletrotcnica

Transistor Bipolar de Juno


Constituio

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT
O transstor bipolar pode ser utilizado:
como interruptor eletrnico
na amplificao de sinais
como oscilador
No polarizado
dois diodos em configurao back-to-back
cada diodo possui uma barreira de potencial de aproximadamente 0,7 V

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT
Polarizado
O emissor densamente dopado possui elevado nmero de eltrons livres
que sero injetados na base
A base levemente dopada e muito fina de modo a permitir que a maioria
dos eltrons livres do emissor passem em direo ao coletor
O nvel de dopagem do coletor intermedirio entre a densa dopagem do
emissor e a fraca dopagem da base
O coletor recebe a maior parte dos eltrons originados na base
O coletor o maior parte estrutural do transistor e onde a maior
quantidade do calor gerado ser dissipado

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT
Polarizado
Forma comum de polarizao de um BJT
1. juno base-emissor (diodo emissor)
diretamente polarizado pela fonte
2. juno base-coletor (diodo coletor)
polarizado reversamente pela fonte

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Operacionalidade
transistor bipolar
polarizao atravs de uma fonte CC
regra prtica:
o emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui
a base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui
o coletor polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui
Emisso
r

Bas
e

Colector

Emisso
r

Bas
e

Colector

+
TCE/TEE Eletrotcnica

+ +

BJT: Correntes
IE = IC + IB

corrente convencional (positiva)


corrente real (negativa)
TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Correntes
I = I + I
E
C
B
a relao entre a corrente contnua do coletor e a corrente
contnua da base chamada de ganho de corrente de
emissor comum
a relao entre a corrente contnua do emissor e a do
coletor o parmetro ou ganho de corrente de base comum

de onde

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Resistncias de Polarizao

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Tenses de Polarizao


Transistor NPN e PNP

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Tenses e Correntes de Polarizao


Transistor NPN

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Curvas Caractersticas


NPN

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Curvas Caractersticas


Curva de resposta ou sada
NPN:
para cada de corrente de entrada IB
variando-se a tenso de sada VCE
obtm-se uma corrente de sada IC

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Curvas Caractersticas


Curva de resposta ou sada
NPN:

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Curvas Caractersticas


Curva de resposta ou sada

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Curvas Caractersticas


Curva de entrada
NPN:
para cada valor constante de VCE
variando-se a tenso de entrada VBE
obtm-se uma corrente de entrada IB

possvel controlar a corrente de base,


variando-se a tenso entre a base e o emissor
TCE/TEE Eletrotcnica

Polarizao
fixar um ponto de operao em corrente contnua, dentro de suas curvas
caractersticas (polarizao CC)
ponto de operao (ou quiescente)
localizado nas regies de corte, de saturao ou ativa da curva
caracterstica de resposta ou sada
associados s trs regies citadas.
QA: Regio ativa
QB: Regio de saturao
QC: Regio de corte

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Tenses e Correntes de Polarizao


Conforme a polarizao, um transistor pode operar em trs regies de
operao distintas:
regio de corte
regio ativa
regio de saturao

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Tenses e Correntes de Polarizao


Na regio ativa, o transistor com a devida polarizao amplificador
Nas regies de corte e de saturao chave eletrnica (comutao)
regio de corte:
o amplificador est basicamente desligado
existe tenso mas a corrente baixa

regio de saturao:
o amplificador est totalmente ligado
existe uma pequena tenso mas muita corrente

TCE/TEE Eletrotcnica

Caractersticas das Regies


Transistor
Regio

Corte

NPN
Condies

VBE < 0,7 V


VCB < 0,7 V

PNP
Modelo
IC = 0
IE = 0
IB = 0

VBE = 0,7 V
Ativa

VBE = 0,7 V

IC = . IB

VCB < 0,7 V

IE = IC + IB =

Condies

VEB < 0,7 V


VBC < 0,7 V

VEB = 0,7 V
VBC < 0,7 V

IE = ( + 1).IB

Saturao

TCE/TEE Eletrotcnica

VBE = 0,8 V
VCB = 0,7 V

VBE = 0,8 V
VCE = 0,1 V
IE = IC + IB

Modelo
IC = 0
IE = 0
IB = 0
VEB = 0,7 V
I C = . IB
IE = IC + IB =
IE = ( + 1).IB

VEB = 0,8 V
VBC = 0,7 V

VEB = 0,8 V
VEC = 0,1 V
IE = I C + I B

BJT: Parmetros Tcnicos (datasheet)


so diversas caractersticas
referncia com a configurao emissor comum
dados mais comuns nos datasheets dos fabricantes:
Tipo
: o nome do transistor
Pol : polarizao; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP
: tenso mxima entre coletor e emissor com a base aberta
VCEO
VCER

: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor

IC

: corrente mxima do coletor

hfe

: ganho de corrente (beta)

ft

: frequncia mxima de transio (ganho unitrio)

PTOT ou Pd: mxima potncia que o transistor pode dissipar


Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a
identificao dos terminais
TCE/TEE Eletrotcnica

Observaes
Em um circuito no se pode
substituir um transistor de silcio
por um de germnio ou viceversa
No se pode trocar diretamente
um transistor NPN por um PNP
ou vice-versa

TCE/TEE Eletrotcnica

Observaes
O uso de dissipadores ou radiadores externos de calor so quase obrigatrios
nos transistores que trabalham com potncias elevadas
evitar o sobreaquecimento do componente
evitar a influncia da mudana de temperatura nos
parmetros do dispositivo
evitar a sua destruio

TCE/TEE Eletrotcnica

Dvidas

TCE/TEE Eletrotcnica