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Transistores Bipolares

Prof. Gustavo Fernandes de Lima


<gustavo.lima@ifrn.edu.br>

Programa da aula

Introduo/Evoluo
Transistor Bipolar

Caractersticas construtivas
Funcionamento como amplificador
Configuraes bsicas
Curva caracterstica
Reta de carga
Circuitos de polarizao
Transistor como regulador

Bibliografia

Introduo

Com o passar dos anos, a indstria dos


dispositivos semicondutores foi crescendo e
desenvolvendo componentes e circuitos cada
vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948,
na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores,
liderados
por
Shockley,
apresentou
um
dispositivo formado por trs camadas de
material semicondutor com tipos alternados, ou
seja, um dispositivo com duas junes. O
dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR.
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Introduo

Figura 1 - O primeiro transistor de juno de germnio da Bell Laboratories, 1950

Evoluo

Figura 2 Evoluo do Transistor


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Evoluo

Descrio da imagem anterior:

1941: Vlvula terminica usada em telecomunicaes;


1948: Point-contact transistor, seis meses aps sua
inveno;
1955: Transistor que substituiu as vlvulas ou tubos a
vcuo em equipamentos de comunicao em rede;
1957: Amplificador de faixa larga de alta frequncia;
1967: Microchip, usado para produzir os tones (sons)
em aparelhos de telefone;
1997: Chip, que pode conter mais de 5 milhes de
transistores, usados em modems e celulares.
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Evoluo

O impacto do transistor, na eletrnica, foi


grande, j que a sua capacidade de amplificar
sinais eltricos permitiu que em pouco tempo
ele, muito menor e consumindo muito menos
energia, substitusse as vlvulas na maioria
das aplicaes eletrnicas.
O transistor contribuiu para todas as
invenes relacionadas, como os circuitos
integrados, componentes opto-eletrnicos e
microprocessadores.
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Evoluo

Praticamente
todos
os
equipamentos
eletrnicos projetados hoje em dia usam
componentes semicondutores. As vantagens
sobre as difundidas vlvulas eram bastantes
significativas, tais como:

Menor tamanho, mais leve e mais resistente


No precisava de filamento
Mais eficiente, pois dissipa menos potncia
No necessita de tempo de aquecimento
Menores tenses de alimentao
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Transistor Bipolar

O transistor pode controlar a corrente;


Ele montado numa estrutura de cristais
semicondutores, formando duas camadas de
um tipo (N) e no meio delas o outro cristal (P);
Cada uma dessas camadas recebe um nome
em relao sua funo na operao do
transistor;

Figura 3 - Transistor da esquerda chamado de NPN e o outro de PNP

Transistor Bipolar
Caractersticas

construtivas

emissor tem a propriedade de emitir


portadores de carga;
A base muito fina, no consegue
absorver todos os portadores emitidos pelo
emissor;
O coletor a maior das camadas, sendo o
responsvel pela coleta dos portadores
vindos do emissor.
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Transistor Bipolar
Caractersticas

construtivas (cont.)

Da

mesma forma que nos diodos, so


formadas barreiras de potencial nas
junes das camadas P e N.

Figura 4 Barreiras de potencial nos transistores NPN e PNP

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Transistor Bipolar
Caractersticas

construtivas (cont.)

comportamento bsico dos transistores


em circuitos eletrnicos fazer o controle
da passagem de corrente entre o emissor
e o coletor atravs da base. Para isto
necessrio polarizar corretamente as
junes do transistor.

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Transistor Bipolar
Funcionamento

como amplificador (NPN)

Polarizando diretamente a juno emissor-base

Figura 5 Polarizao direta da juno emissor-base


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Transistor Bipolar
Funcionamento

como amplificador (NPN)

Polarizando inversamente a juno base-coletor

Figura 6 Polarizao reversa da juno base-coletor


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Transistor Bipolar
Funcionamento

como amplificador (NPN)

Polarizao completa, a corrente de coletor IC


passa a ser controlada pela corrente de base IB.

Figura 7 Transistor controlando corrente


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Transistor Bipolar
Funcionamento

como amplificador (cont.)

Um aumento na corrente de base IB provoca


um aumento na corrente de coletor IC.
A corrente de base sendo bem menor que a
corrente de coletor, uma pequena variao
de IB provoca uma grande variao de IC.
Isto significa que a variao de corrente de
coletor um reflexo amplificado da variao
da corrente na base.

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Transistor Bipolar
Funcionamento

como amplificador (cont.)

O
fato
do
transistor
possibilitar
a
amplificao de um sinal faz com que ele
seja considerado um dispositivo ativo.
Este
efeito amplificao, denominado
ganho de corrente, pode ser expresso
matematicamente pela relao entre a
variao de corrente do coletor e a variao
da corrente de base , isto :

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Transistor Bipolar
Funcionamento

como amplificador (cont.)

Figura 8 Efeito Amplificao no Transistor NPN


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Transistor Bipolar
Tenses

e Correntes nos Transistores

IE = IC + IB

IE = IC + IB

VCE = VBE + VCB

VEC = VEB + VBC

Figura 9 - Tenses e Correntes

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Transistor Bipolar

Configuraes Bsicas

Os transistores podem ser utilizados em trs


configuraes bsicas: Base Comum (BC), Emissor
comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum
significa que o terminal comum a entrada e a sada do
circuito.

Figura 10 - Configuraes Bsicas

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Transistor Bipolar
Configuraes

Bsicas (cont.)

Base Comum

Ganho de tenso elevado


Ganho de corrente menor que 1
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta

Coletor Comum

Ganho de tenso menor que 1


Ganho de corrente elevado
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada alta
Impedncia de sada baixa

Emissor Comum

Ganho de tenso elevado


Ganho de corrente elevado
Ganho de potncia elevado
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta

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Transistor Bipolar
Configuraes

Bsicas (cont.)

configurao Emissor-Comum a mais


utilizada em circuitos transistorizados.
Por isso, os diversos parmetros dos
transistores fornecidos pelos manuais
tcnicos tm como referncia esta
configurao.

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Transistor Bipolar
Curva

Caracterstica - EC

Podemos trabalhar com a chamada curva


caracterstica de entrada. Para cada valor
constante de VCE, varia-se a tenso de
entrada VBE, obtendo-se uma corrente de
entrada IB, resultando num grfico conforme
figura abaixo.
Observa-se que possvel controlar a corrente
de base, variando-se a tenso entre a base e o
emissor.
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Transistor Bipolar
Curva

Caracterstica EC

Figura 11 - Curva Caracterstica de Entrada EC


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Transistor Bipolar
Curva

Caracterstica EC

Para

cada constante de corrente de


entrada IB, variando-se a tenso de sada
VCE, obtm-se uma corrente de sada IC,
cujo grfico tem o seguinte aspecto.

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Transistor Bipolar
Curva

Caracterstica EC

Figura 12 -Curva Caracterstica de Sada EC


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Transistor Bipolar

Funcionamento como chave

A utilizao do transistor nos seus estados de


SATURAO e CORTE, isto , de modo que ele
ligue conduzindo totalmente a corrente entre
emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir
corrente alguma conhecido como operao
como chave.
No exemplo a seguir, ao se ligar a chave S1,
fazendo circular uma corrente pela base do
transistor, ele satura e acende a lmpada.
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Transistor Bipolar
Funcionamento

como chave

resistor ligado a base calculado, de forma


que, a corrente multiplicada pelo ganho d um
valor maior do que o necessrio o circuito do
coletor, no caso, a lmpada.

Figura 13 Exemplo de utilizao como chave


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Transistor Bipolar
Funcionamento

como chave

Figura 14 Analogia de um transistor com uma chave


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Transistor Bipolar
Ponto

de Operao (Quiescente)

Os transistores so utilizados como elementos


de amplificao de corrente e tenso, ou
como elementos de controle ON-OFF. Tanto
para estas como para outras aplicaes, o
transistor deve estar polarizado corretamente.
Polarizar um transistor fix-lo num ponto de
operao em corrente contnua, dentro de
suas curvas caractersticas.
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Transistor Bipolar

Ponto de Operao (Quiescente)


Tambm chamado de polarizao DC, este
ponto de operao (ou quiescente) pode
estar localizado nas regies de corte,
saturao ou ativa da curva caracterstica
de sada.
Os pontos QA (regio ativa), QB (regio de
saturao) e QC (regio de corte) da figura a
seguir caracterizam as trs regies citadas.

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Transistor Bipolar
Ponto

de Operao (Quiescente)

Figura 15 Pontos Quiescentes de um Transistor


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Transistor Bipolar

Reta de carga

o lugar geomtrico de todos os pontos de operao


possveis para uma determinada polarizao.

Figura 16 Reta de Carga de um Transistor


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Transistor Bipolar
Circuito

de Polarizao em Emissor

Comum
Nesta

configurao, a juno BE
polarizada diretamente e a juno BC
reversamente. Para isso, utilizam-se duas
baterias e dois resistores para limitar as
I
R
correntes e fixar o ponto de operao.
C

RB
B

VBB

IB

VCC

E
IE

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Transistor Bipolar
Circuito

de

Polarizao

Comum
B

VBB

IB

Emissor

IC

RC
RB

em
VCC

E
IE

VBB
+
VBE
Malha de entrada:
R
.I
VBE = VBB ento,
B
B
RB
IB

Malha de sada: RC.IV


C+V
CE
V=VCC ento,
RC

CC

CE

IC

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Transistor Bipolar
Circuito

de polarizao
corrente de base constante

EC

com

Para

eliminar a fonte de alimentao da


base VBB, pode-se utilizar somente a fonte
VCC.

Para

garantir as tenses corretas para o


funcionamento do transistor RB deve ser
maior que RC.
IC

RC

RB

IB

VCC

E
IE

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Transistor Bipolar
Circuito

de polarizao
corrente de base constante

B
IB

VCC VBE
RB
IB

com

IC

RC
RB

EC

VCC

E
IE

VCC VCE
RC
IC
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Transistor Bipolar
Circuito

de Polarizao EC com corrente de


emissor constante.

Neste circuito de polarizao inserido um


resistor RE entre o emissor e a fonte de
alimentao
IC

RC
RB
B

IB

VCC

RE

IE

A idia compensar possveis variaes de


ganho devido a mudanas de temperatura.
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Transistor Bipolar
Circuito

de
Polarizao EC
corrente de emissor constante
IC

RC
RB

VCC

IB
RE

RB

IE

Adota-se

com

VCC VBE R E .I E
IB

VCC VCE R E .I E
RC
IC

VRE = VCC / 10
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Bibliografia
MARQUES,

Angelo Eduardo B.; CHOUERI


JNIOR, Salomo; CRUZ, Eduardo Cesar
Alves. Dispositivos semicondutores:
diodos e transistores. 11. ed. So Paulo:
rica, 2007.

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Fim

OBRIGADO
<gustavo.lima@ifrn.edu.br>

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