Analog Electronics

UNIT IV
Ing. Adrian Alberto Palafox

Transistors
Qu es el transistor (transistor)?
El transistor es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de
una corriente grande mediante una seal muy pequea. Es decir, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada

Origen del trmino.

El trmino "transistor" proviene de la contraccin en ingles de transfer resistor
(resistencia de transferencia").

Historia
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de
1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes
fueron galardonados con el premio Nobel de fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula
termoinica de tres electrodos, o trodo (tambin llamado bulbo)

Aplicaciones.
El transistor se utiliza para realizar funciones de Amplificador (Amplifier), Oscilador
(Oscillator) o Conmutador (Conmutator). Actualmente se los encuentra prcticamente en
todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, hornos de microondas,
lavadoras, automviles, computadoras, calculadoras, reproductores mp3, celulares, etc.

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Tipos de Transistores
1)Transistor de unin bipolar (BJT or Bipolar Junction Transistor)
Se fabrica bsicamente sobre un cristal de Germanio (Germanium) o Silicio (Silicon),
sobre el cual se contaminan (doping) en forma muy controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos
donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas).
La configuracin de uniones NP, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base (Base), y las otras dos
al emisor (Emitter) y al colector (Collector).

2) Transistor de unin unipolar (UJT or Unipolar Junction Transistor)

El transistor de unin unipolar o tambin llamado transistor de unin de efecto de
campo (JFET or Junction Field Effect Transistor), est formado por una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P., en cuyas terminales se conectan electrodos
llamados surtidor (Source) y drenador (Drain). Si se difunden dos regiones P en una barra
de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta, llamada
compuerta (Gate). Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando
a puerta al surtidor, se establece una corriente, a la que se le llama corriente de drenador.

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
El transistor bipolar (BJT)
El transistor de unin bipolar (del ingles Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrnico de estado solido consistente en dos uniones NP muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales.
La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones;

Aplicaciones: Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan

generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de
electrnica digital, como la tecnologa TTL.

Desventajas del BJT: su impedancia de entrada bastante baja.

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
El transistor bipolar (BJT)
Construccin interna.
El transistor BJT consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes
dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en
cantidades variables para cada capa), de modo que se forman capas alternadas
de materiales N y P, las cuales forman dos uniones bipolares.

Corte transversal simplificado de un transistor de

unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la
unin base-colector es mucho ms amplia que la
base-emisor.
Descripcin de terminales.
Si a cada una de las capas del transistor se le adapta una terminal y se
encapsula el componente as obtenido, tendremos un dispositivo transistor. Las
terminales son nombradas de acuerdo con la funcin que realizan, tales como:
Emisor (Emitter). Emite portadores (flujo de electrones),
Colector (Collector). Recibe o recolecta los portadores,
Base (Base). Est intercalada entre Emisor y Colector, y tiene la funcin de modular
el paso de portadores.
SIMBOLO SIMBOLO
BJT tipo NPN BJT tipo PNP

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Polarizacin (bias) del BJT
Qu significa polarizacin (bias) ?
- Pequeo desplazamiento, en sentidos opuestos, de las cargas negativas y positivas de
un material dielctrico, producido por un campo elctrico externo.
- Accin y efecto de polarizar.

Qu significa polarizar (bias)?

- Acumular en dos partes determinadas de un cuerpo cargas elctricas opuestas.
- Suministrar una tensin fija a una parte de un aparato elctrico.

Por Qu se polariza un transistor?

Porque de esta manera queda listo para operar y realizar una funcin especifica. La
polarizacin del transistor es una condicin esttica, es decir, todava no realiza una
funcin, pero est listo para reaccionar ante una excitacin o impulso externo para
desarrollar una accin (amplificar, oscilar, conmutar, etc.).

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Polarizacin (bias) del transistor
BJT
Como se polariza (bias) un transistor BJT?
Un transistor sin polarizar es similar a dos diodos contrapuestos, Por lo general la base se polariza
directamente mientras que el colector se polariza inversamente, ya que de esta manera se obtienen los
mejores resultados.

a) Flujo convencional
b) Flujo real de electrones

La mayora de los electrones en el emisor seguirn su camino hacia el colector dado lo estrecho de la
base, y ya estando en el colector los electrones sern atrados por la fuente Vcc dada su polarizacin
inversa.
I E = IC + I B donde IB es mucho menor que IC

Para efectos prcticos se puede decir que la corriente de Colector es igual a la corriente de Emisor
(IE = IC). Considere esta relacin de igualdad al efectuar clculos en circuitos con BJT.

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ELECTRICAL CIRCUITS
Parmetros elctricos del
BJT
Corriente de Base (IB). Base current
Es la mas pequea de las corrientes en el transistor y esta dada por el flujo de electrones
en la base que controla el flujo de electrones en el colector.

Corriente de Emisor (IE). Emitter current

Es la que emite la totalidad de los electrones en el transistor.

Corriente de Colector (IC)- Collector current
Est compuesta por los electrones que cruzan las uniones NP y PN de la base y que son
recibidos o colectados por el colector.

Voltaje de Base-Emisor (VBE)

Es el voltaje de polarizacin de Base-Emisor y permite disparar la operacin del transistor.

Voltaje Colector-Emisor (VCE)

Es el voltaje en polarizacin inversa aplicado entre Colector y Emisor. El cual determina el
punto de operacin del transistor.

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ELECTRICAL CIRCUITS
Parmetros elctricos del BJT
Potencia Mxima de Disipacin (PD max), Maximum Power of Disipation
Es la Potencia mxima que puede disipar el transistor antes de alcanzar la temperatura
mxima de operacin
PD = (VCE)(IC)

Alfa ( dc). Alpha

Es un parmetro que se utiliza para representar la relacin entre las corrientes de Emisor y
de Colector (en DC). Por lo general el valor es ligeramente menor a 1.

Beta ( dc) o hFE.

Es un parmetro que se utiliza para representar la relacin entre las corrientes de Colector
y de Base (en DC). A la beta tambin se le conoce como ganancia de corriente porque una
pequea corriente de base produce una corriente de colector mucho mayor.

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Curva caracterstica del BJT
Curva caracterstica (Characteristic Curve)
La curva del transistor esta representada por una serie de curvas asociadas a
diferentes valores de corriente de base. La curva caracterstica del transistor se da en
funcin de los valores instantneos de I C y de VCE para una corriente de base
determinada.
1) Zona activa (Active zone)
Es la parte horizontal de la curva. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador de seal.

2) Zona de saturacin (Saturation zone).

(IC = IE = I max)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.

3) Zona de corte (Cut-off Zone)

(Ic = Ie = 0) Cuando el voltaje de V CE del transistor es igual al de la fuente de alimentacin del circuito
(como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje). Se da cuando I B = 0 (IC equivale a una
pequea corriente de fuga).

4) Zona de ruptura (Breakdown zone)

Es la zona en la que se sobrepasa el valor mximo de V CE, aqu el transistor puede daarse.

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Curva caracterstica del BJT
(BJT characteristic curve)
Para una corriente de Base dada se puede aproximar a la curva mas cercana, p.ej. En
el caso de abajo, para una I B=28uA, tomaremos como referencia la curva de 30uA y la I C
ser de aprox. 3mA, siempre que VCE se encuentre entre 1V y 40V.

2 4
1 3

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ELECTRICAL CIRCUITS
La recta de carga (load line)
La recta de carga (load line) es la representacin grfica de la ecuacin que relaciona a la I C con el VCE
y se traza uniendo los puntos que resultan al considerar que IC=0 y VCE=0 respectivamente. Esto es
especialmente importante porque nos permite identificar todos los puntos posibles de trabajo del transistor
en un circuito.

Punto de saturacin. (Saturation point) Se produce cuando IB es muy grande y forza a la IC a alcanzar
su valor mximo posible, como consecuencia V CE decrece casi hasta cero. En este punto se dice que la
IC se satura.

Punto de corte. (Cut-off)

Indica el mximo voltaje colector-emisor que es posible alcanzar en el circuito. Este se obtiene cuando IC
se reduce casi hasta cero y todo el potencial es aplicado a la unin colector-emisor.

Punto de operacin o de trabajo (Q = quiescent point)

Resulta de graficar el cruce de las coordenadas de IC y VCE de acuerdo a los valores del circuito.

Punto de trabajo. El punto

Punto de saturacin. varia segn los valores de
RB y R C

Punto de corte

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Configuracin emisor comn (EC)
Polarizacion por emisor comn (Common Emitter)

Es uno de los mtodos de polarizacin mas utilizados. Se le conoce as porque se

utilizan dos fuentes de voltaje para polarizar el transistor, las cuales tienen sus puntos
negativos (o comunes) conectados al emisor.

Notaciones de voltajes en circuitos con transistores:

VCC, VBB: Si los subndices se repiten se refiere a las fuentes de voltaje
VCE, VBE: Si los subndices son diferentes se refiere a voltajes entre puntos diferentes
VC, VB, VE: Si hay un solo subndice se refiere a voltajes en un punto respecto a tierra

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Configuracin emisor comn (EC)
Clculo de parmetros
La corriente de base (IB) se calcula considerando que es la misma que pasa a travs de la resistencia
de base, por lo tanto ser igual a la cada de voltaje en la resistencia de base (V BB VBE) dividido entre
su valor de resistencia (RB). En este caso la corriente de base es estable y no depende del transistor
sino de RB.
Donde VBE = 0.7V

Dado el circuito de la figura de abajo y considerando una Beta de 200 ( = 200), se pueden calcular las
corrientes del transistor
IB = (VBB VBE)/RB = (2V - 0.7V)/100K
IB = 13A I B = Corriente en la Base

IC = (IB)(Beta) = (13A)(200)
IC = 2.6mA I C = Corriente de colector

VCE = VCC (RC )(IC) = 10V (1K)(2.6mA)

VCE = 10V - 2.6V VCE = Voltaje Colector-Emisor
VCE = 7.4V

PD = (VCE)(IC) = (7.4V)(2.6mA)
PD = 19mW PD = Potencia disipada

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ELECTRICAL CIRCUITS
 Polarizacin de Emisor
Se utiliza cuando se busca tener un circuito con un punto de trabajo estable que sea inmune a los cambios
en la ganancia de corriente. Una de las principales aplicaciones es en circuitos amplificadores.

VE = VBB VBE = 5V 0.7V

VE= 4.3V

IE = 4.3V / 2.2K
IE = 1.95mA IC = IE = 1.95mA

VCE = 15V 4.3V (1K)(1.95mA)

VCE = 8.8V

Ntese que no se empleo el valor de h FE para calcular los valores de corriente y voltaje, e
ah por que el circuito es inmune a variaciones en la ganancia de corriente.

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Ejercicio
Calcule la corriente de colector y el voltaje colector-emisor para el siguiente circuito.

VE = VBB VBE = 15V 0.7V

VE= 14.3V

IE = 14.3V / 1.5K
IE = 9.5mA IC = IE = 9.5mA

VCE = 20V 1.7V (1500)(9.5mA)

VCE = 4.0V

IE = 14.3V / 1.5K
PD = 40mW

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ELECTRICAL CIRCUITS
Polarizacin por divisor de voltaje
(Voltage divider bias)
Este mtodo es una variante del mtodo de polarizacin de emisor.

En esta polarizacin se fija el voltaje de Base a partir de un arreglo de resistencias que

acta como un divisor de voltaje. Considerando que la corriente IB es despreciable
entonces se puede analizar a R1 y R2 como una misma malla. Por lo tanto la cada en R2
equivale al valor de la fuente VBB.

Una vez que se determina el valor de V BB, el resto del anlisis es igual al que se realiza
para el mtodo de polarizacin de emisor

UNIT 4. Transistors
ELECTRICAL CIRCUITS
Polarizacin por divisor de
voltaje
Ejemplo. Clculo de IC y VCE.

VBB = (2.2K) /(2.2K + 10K) X 10V

VBB = 1.8 V

VE = VBB VB = 1.8V 0.7V

VE= 1.1 V

IE = VE / RE = 1.1V / 1K
IE = 1.1mA IC = IE = 1.1mA

VCE = VCC VE VRC = 10V 1.1V (3.6K)(1.1mA)

VCE = 4.94V

PD = (1.1mA) (4.94V)
PD = 5mW

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Transistores PNP
En los transistores PNP se utiliza polarizacin inversa respecto a como se hace con los transistores
NPN. Una vez definida la polarizacin de las terminales, el calculo de los parmetros es igual que con el
transistor NPN.

Si quisiramos polarizar un transistor PNP mediante la configuracin de Divisor de voltaje tenemos

dos alternativas:

1) Caracterizar el circuito igual que con el transistor NPN pero utilizando una fuente negativa.
2) Utilizar una fuente positiva pero invirtiendo las mallas de base y de colector-emisor (conectando el
emisor a VCC y el colector a tierra).

Transistor PNP con polarizacin negativa Transistor PNP con polarizacin positiva

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