fi controlat cu ajutorul unui semnal electric numitsemnal de comand. Cea mai important meniune referitoare la aceast definiie este faptul c tranzistorul ne permite s controlm un curent electric mare cu ajutorul unui cantiti foarte mici de energie electric. Din acest motiv, una din principalele aplicaii ale tranzistorului este cea de amplificator. Tranzistorul cu efect de camp(prescurtatTEC; in englezafield effect transistor,FET) este un dispozitiv electronic semiconductor folosit pentru a comanda intensitatea curentului electric dintr-un circuit. Tranzistorul cu efect de cmp (TEC) este un tranzistor unipolar pentru c n interiorul lui conducia electric este asigurat de un canal semiconductor cu un singur tip de purttori de sarcin: fie electronii, fie golurile. Se numesc cu efect de cmp deoarece intensitatea curentului ntre dou terminale este controlat de potenialul cmpului electric generat de un al treilea terminal. De aceea tranzistorul cu efect de cmp este un element activ comandat n tensiune. Exist mai multe tipuri de tranzistori cu efect de cmp. Tranzistoarele cu efect de cmp au cptat o utilizare intens n circuitele electronice discrete ct i n circuitele integrate. Performanele lor tind s conduc la nlocuirea tranzistoarelor bipolare. n cele ce urmeaz sunt prezentate cteva aplicaii directe, simple, ale tranzistoarelor cu efect de cmp. Analiznd caracteristicile de ieire ale TECJ se constat c n jurul originii, la tensiuni mici dren-surs (sub 100mV), exist o dependen liniar a curentului n funcie de tensiunea de dren, controlat de tensiunea aplicat ntre gril i surs. Acest tip de atenuator comandat se folosete n circuitele de reacie a amplificatoarelor operaionale pentru a regla amplificarea, n oscilatoare pentru stabilizarea amplitudinii i pentru comanda frecvenei, n defazoare programabile i n bucle de control automat n circuite de automatizare. n sistemele de achiziie a datelor, n amplificatoare de curent continuu cu modulare-demodulare, n calculatoare i sisteme de comunicaie se utilizeaz tranzistorul cu efect de cmp de tip MOS ca element de comutaie analogic, cu proprietatea de a inchide sau a deschide un circuit electric permind trecerea sau asigurnd blocarea semnalelor. Un element de comutaie analogic trebuie s ndeplineasc o serie de caliti: a- s aib o impedan foarte joas n starea de conducie (rON) i ct mai ridicat n starea blocat (rOFF); b- s transfere semnalul n stare nchis cu distorsiuni minime; c- s comute ct mai rapid din starea blocat n starea de conducie i invers; d- s nu existe cuplaj ntre semnalul de comand i semnalul transmis; e- s consume putere redus la comutri. Elementul constitutiv al circuitelor numerice actuale este structura CMOS care const dintr-o pereche de tranzistoare, unul cu canal n i cellalt cu canal p, fabricate pe aceeai plachet din semiconductor, cu interconexiuni de metal ntre intrri (pori ) i ieiri (drene). n fig. 5.31 se prezint structura fizic i schema electric a unui element CMOS. Tranzistoarele cu efect de cmp se pot distruge uor prin strpungerea n timpul manipulrii i al montrii n circuite datorit impedanei foarte mari de intrare care favorizeaz acumularea unei sarcini electrostatice pe gril, care n urma unei descrcri accidentale poate strpunge stratul de oxid. O surs posibil de sarcin este chiar corpul uman a crui capacitate electric depete 300pF i n anumite condiii se poate ncrca peste 10KV. O simpl atingere a grilei tranzistorului conduce la deteriorarea acestuia. O alt surs periculoas de sarcin sunt casetele, distanierele, pungile din polistiren sau policlorur de vinil. Tensiuni mari pot genera i echipamentele de lipire precum i aparatele de msur. Pentru a proteja tranzistoarele cu efect de cmp fa de aceste surse posibile de sarcin trebuie luate o serie de precauii: -stocarea dispozitivelor se va face fie n cutii metalice, fie n pungi conductoare. Este de dorit ca terminalele s fie scurtcircuitate printr-un inel metalic; -toate echipamentele de manipulare vor fi conectate obligatoriu la mas i n primul rnd echipamentul de lipire (n cazul simplu - ciocanul de lipit); -zona de lucru se va ventila cu aer ionizat; -operatorul va avea ncheietura minii legat la mas printr-o brar conductoare nseriat cu un rezistor de cca. 1M. Schem practic de stabilizator de tensiune serie Tranzistoare de uz general n capsul metalic la majoritatea tranzistoarelor din aceast categorieEmitoruleste terminalul de lng chei,Colectoruleste n partea opus iarBazaeste la mijloc. Terminalele sunt dispuse sub forma unui triunghi echilateral.
Figura B.1.1 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul metalic
Tranzistoare de uz general n capsul din material plastic La tranzistoarele din aceast categorie terminalele sunt dispuse liniar cu baza n mijloc.
Figura B.1.2 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n
capsul din plastic Din structura tranzistoarelor cu diode se observ c rezistenele electrice ntre baz i celelalte dou terminale ale tranzistorului trebuie s fie egale, ntr-un sens au valoare mic iar n sens opus au valoare foarte mare. Prin cele dou sensuri se nelege modul de plasare a tastelor multitesterului fa de terminalele tranzistorului (ntr-un sens se plaseaz cu bornaplus pe baziar n cellalt sens se plaseaz cu bornaminus pe baz) *Se fixeaz comutatorul unui multitester digital pe poziia(pentru msurarea rezistenei electrice)
* Se plaseaz o tast a multitesterului
pe unul din terminalele tranzistorului iar cu cealalt se msoar rezistenele electrice fa de celelalte dou terminale. Dac rezistenele electrice sunt aproximativ egale (ntr-un sens rezistene mici iar n cellalt sens rezistene foarte mari) tasta multitesterului este plasat pebaza tranzistorului. Figura B.2.2 Identificarea BAZEI tranzistorului bipolar ETAPA A DOUA:se identifictipultranzistorului Se plaseaz o tast a multitesterului pe baz i cealalt tast pe unul din celelalte dou terminale ale tranzistorului n sensul n care multitesterulindic rezisten mic.
Dac peBAZeste tastaCOM(MINUS)tranzistorul
este de tipPNP Dac peBAZeste tastaPLUStranzistorul este de tipNPN
DeoareceBAZAeste n mijloc, se pune n mijloc
litera corespunztoare polaritii care este pe baz (NpentruMINUSiPpentruPLUS) iar pe margini literele corespunztoare celeilalte polariti (doi dePsau doi deN) i astfel se obinePNPsauNPN. ETAPA A TREIA: se identificEmitoruliColectorul. Rezistenaelectric dintreBaziEmitoreste ntotdeauna maiMAREdectrezistenaelectric dintreBaziColector.
Se plaseaz o tast a multitesterului pe baz iar
cu cealalt tast se msoar i se noteaz valoarea rezistenelor fa de celelalte dou terminale. Terminalul fa de care rezistena este mai mare va fiEmitorultranzistorului iar cellaltColectorultranzistorului. Rezistena BAZ-EMITOR este mai MARE dect rezistena BAZ-COLECTOR. Dei exist multe aplicaii faine pentru componentele pasive, cea mai spectaculoas parte a electronicii ncepe abia atunci cnd ai de-a face cu tranzistoare. Explicaia este simpl: cu ajutorul tranzistoarelor putem controla curentul electric i efectele sale practic n toate modurile pe care i le poi imagina.