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- M1 Introduccin a la tecnologa FV -

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Contenido
1. Radiacin solar
2. Conductres, aisladores, semiconductres
3. Celdas y mdulos fotovoltaicos (FV)
4. Inversores
5. Bateras
6. Estructuras FV para montaje
7. Diferentes sistemas FV

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Resultados de la capacitacin

Entendimiento bsico de las tecnologas de los modulos FV y su configuracin.


Conocer los diferentes inversores y sus aplicaciones
Conocimientos bsicos de las bateras y dimensionamiento de los mismas
Conocer sistemas de acoplamiento solares FV en CA o CD
Conocer las diferentes estructuras para sistemas FV
Ser capaz de interpretar los diagrama tpicos lineales

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Irradiacin Solar (Insolacin)
Irradiacin es la cantidad total de radiacin de energa solar
recibida en una rea determinadaa de una superficie durante
un tiempo dado Tambin conocido como Insolacin-

Unidades [kWh/m2/da] or
[kWh/m2/ao]

Source: Atmospheric Imaging Assembly of NASA's Solar Dynamics Observatory

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Irradiacin Solar (Insolacin)
El Sol es una estrella al centro de nuestro Sistema Solar
Constituido de plasma caliente y campos magnticos
El Sol produce energa mediante fusin nuclear
Los ncleos de Hidrgeno (H) son convertidos a ncleos de helio (He)
Se libera energa pues los ncleos de He tienen menor masa
La potencia generada es cerca de 385 trillones de trillones Vatios
385 000 000 000 000 000 000 000 000 W
Una fuente confiable de energa renovable
La Tierra est a 150 millones km del Sol
Fotosntesis (luz a energa qumica)
Energa solar concentrada
(Concentrated Solar Power CSP)
Luz a calor
Solar fotovoltaica (FV)
Luz a electricidad
Source: Atmospheric Imaging Assembly of NASA's Solar Dynamics Observatory

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Irradiacin Solar (Insolacin)
La Tierra
gira aldedor del Sol (1 rev / ao)
Tiene una inclinacin de 23.45 grados con respecto a la eclptica
gira en su propio eje (1 rev / 24 horas)
Irradiacin promedio en el borde exterior de la atmsfera de la tierra
So = 1367 2 W/m2
La Irradiancia vara entre 1322 W/m y 1414 W/m anualmente

Source: http://wiki.naturalfrequency.com/wiki/Seasonal_variation

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Irradiacin Solar (Insolacin)
Variacin por temporadas de la Irradiacin extraterrestre global diaria
Hex(dy) a diferentes latitudes geogrficas (= -60. 60)

Nmero de da del ao (dy)


Source: Photovoltaics System Design and Practice Heinrich Haberlin, Wiley, 2012

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Radiacin Solar - Per

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Radiacin solar - Alemania

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Conductores y Aislantes
Electrones de valencia determinan las propiedades elctricas del material
Conductor: Los electrones de valencia estn debilmente ligados al ncleo (Cobre)
Aislante: Los electrones de valence estn fuertemente ligados al ncleo (Vidrio)
Los electrones de valencia deben adquirir energa para moverse a la banda de
conduccin
En la banda de conduccin los electrones se pueden mover libremente
Nivel de Energa del Electrn

Banda de conduccin (electrones se


mueven libremente

Banda prohibida
(EG = energa de banda prohibida)

Banda de Valencia
(electrnes fijos)

Source: Photovoltaics System Design and Practice Heinrich Haberlin, Wiley, 2012

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Tabla Peridica

Fuente: Periodic table large-es de 2012rc, Edit (Translation to Spanish) by The Photographer. Disponible bajo la licencia CC BY 3.0 va Wikimedia Commons -
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Periodic_table_large-es.svg#/media/File:Periodic_table_large-es.svg

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Semiconductores

Conductividad entre conductor y aislador


Cuatro electrones de valencia
Ejemplos: Silicio (Si), Germanio (Ge)
Debe estar dopado para incrementar su conductividad

Silicio (Si) Germanio (Ge)

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Semiconductores Dopado (N)
Fsforo (P) tiene cinco electrons de valencia
Se aaden tomos P para remplazar los tomos de Si
Cuando cuatro enlaces estan completos, uno de los electrones est dbilmente
unido
El electrn se mueve a la banda conduccin cuando se aplica un poco de
energa
Cuando P dona un electrn -> se forma material Tipo-N
El tomo P ahora tiene un ion positivo

Fsforo (P) Dopado (material tipo-Nl)

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Semiconductores Dopado (P)
Boro (B) tiene tres electrones de valencia
Se aaden tomos B para remplazar los tomos de Si
Cuando tres enlaces estan completos, un de hueco est libre
El hueco se mueve a la banda conduccin cuando se le aplica energa
Cuando B acepta un electrn -> se forma material Tipo-P
El tomo B ahora tiene un in negativo

Boro (B) Dopado (material tipo-P)

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Semiconductores unin PN
Materiales de unin tipo-n y tipo-p
Comienza el proceso de Difusin (movimiento debido a la diferencia de concentracin)
Los electrones de la regin n se mueve a la regin p, los iones positivos se mantienen
Los huecos de la regin p se mueven a la regin n, los iones negativos se mantienen
Se genera un campo elctrico debido a la separacin de cargas opuestas a la difusin
La difusin se detiene eventualmente
Puede operar como Diodo si un volatje externo es aplicado
Separates charge when efecto fotoelctrico occurs

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Funcionamiento de una celda FV
Silicio puro, duro como diamante Silicio dopado tipo p (con Boro) Silicio dopado tipo n (con Fsforo)
aislante

tomo de Silicio tomo de Boro con valencia 3 tomo de Fsforo valencia 5

e electrnes fijados a la estructura espacio (electrn faltante) electrn adicional

Radiacin solar
Arena p.ex.

n-dot n-dot

+ + + + rea de carga + + + + 0,6 V + + + +


- - - - campo elctrico - - - - - - - -
Carga

p-dot p-dot p-dot p-dot

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Semiconductores celda- FV
La celda solar es un gran diodo, la zona de barrera est expuesta a la luz
La luz es absorbida por la red cristalina
El electrn de valencia gana energa y pasa a la banda de conduccin
El par electrn / hueco es separado por el campo elctrico antes de la
recombinacin
Los electrones (huecos) se acumulan en la regin n (regin p)
El espacio de la regin de carga se reduce hasta que la separacin termina
Las celdas solares alcanzan un voltaje de circuito abierto (VOC)

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Celda-FV
Policristalina vs. Monocristalina

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Celda-FV Monocristalina
Silicio solidificado en un solo cristal grande
Cortada en un solo cristal de silicio
La produccin requiere mucha energa y consume mucho tiempo
Ms costoso de fabricar
Textura suave
Contacto de metal

Dedos (contactos ms
finos)

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Celda-FV Policristalina
Silicio solidificado en muchos cristales pequeos
Cortado en un bloque de cristales de silicio entrelazados
La produccin requiere significativamente menos energa y tiempo
Menor costo de fabricacin
Superficie reflectante moteada

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Cuota de mercado:
Policristalina vs. Monocristalina

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Panel FV / Arreglos FV

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Panel FV / Arreglos FV

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Corriente (A)
Curva V-I para diferentes radiaciones

Voltaje(V) Rango de operacin

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Hoja de Datos

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Corriente (A)
Dependencia de la temperatura

Voltaje (V)

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Punto mximo de potencia
Punto de mxima potencia (MPP)
azul: Valores caractersticos de un panel
rojo: Potenial del panel (voltaje x corriente) en Watt
El Punto mximo de potencia no significa el voltaje o corriente mximo
MPP se usa para asegurar la potencia mxima de salida
Corriente I (A)

Voltaje U (V)

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Puntos calientes (hot spots) y diodo bypass
Celdas FV sombreadas son esencialmente resistencias, y podran estar MUY
calientes
Los diodos bypass son para protecin
Curva azul: celdas FV sin sombras
Curva verde: celda FV sombreada, con diodo bypass para 18 celdas
Curva roja: celda FV sombreada, sin diodo bypass
Una celda FV sombreada singnifica una disminucin drstica en la produccin de
energa

Corriente I (A)

Voltaje U (V)

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Conexin en serie
Corriente de cortocircuito (ISC) no cambia
Voltaje circuito-abierto (Voc) aumenta
Corriente I (A)

Voltaje U (V)

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Conexin en paralelo
Corriente de cortocircuito (ISC) aumenta
Voltaje circuito-abierto (Voc) no cambia
Corriente I (A)

Voltaje U (V)

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Funcionamiento del inversor
Corriente continua (CC) entrada de voltaje del arreglo FV
Los Interruptores activos aplican voltaje al transformador
El transformador intensifica el voltaje de entrada
La seal PWM (Pulse-width Modulated) indica el voltaje de salida requerido en el instante
El inversor convierte la entrada de CC en voltaje de salida sinusoidal
El controlador inteligente cambia los interruptores activos usando PWM

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Ejemplos de inversores

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Interface del inversor

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Inversor Trifsico
Dos interruptores activos por fase de salida (seis en total)
El interruptor activo es generalmente un transistor IGBT
Se usa el principio de PWM para aumentar la eficiencia
El controlador inteligente hace el switching o conmutacin

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Inversores valores caractersticos
Corriente de entrada mxima del inversor
Tensin de corte del inversor
Panel FV tiene rango de voltajes de salida
El voltaje de entrada en CC hacia el inversor no debe exceder los rangos
Corriente mxima del inversor
Rango Inversor de voltaje de entrada
Rango de operacin
Corriente de los paneles FV (A)

Voltaje de los paneles FV (V)

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Bateras
Bateras plomo-cido
Bateras de gel
Bateras Plomo Cristal
Bateras de NiCd
Bateras de iones de litio
Otras

Hay muchas opciones para elegir. Cmo decidir qu batera es el mejor?

Almacenamiento kWh durante la vida til = Profundidad de descarga x ciclos de tiempo de


vida x Vnominal x Inominal

$/kWh = Costo de la batera / Almacenamiento kWh durante la vida til

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Bateras

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Bateras
C10 = 100Ah
C in Ah

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Bateras

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Checklist para la instalacin

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Sistema para techo inclinado

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Conexiones cruzadas

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Asegurador para lmina trapezoidal

43
Sistema para elevacin en techo

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Sistema optimizado de balastro

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Sistemas de campo abierto

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Batera Plomo-cido + Inversor
SMA Sunny Island

47
Sistema FV de carga simple

48
Sistema de acumuladores de carga avanzado
(Acoplamiento en CD)

49
Sistema de acumuladores de carga
avanzado (Acoplamiento CA)
AC OUT

SMA Inverter

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Sistema de carga de respaldo
con acumuladores o bateras

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Cableado en serie vs. paralelo

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CC-CA en plantas FV de gran escala

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Sistemas independiente FV
Restaurante (Nelspruit)

54
Cableado para Plantas FV en NWU

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Fotos de la instalacin en NWU

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Sistemas independiente FV

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Sistema independiente de bateras FV

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Sistema independiente de bateras FV

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MUCHAS GRACIAS POR SU ATENCIN!

Contacto:
SUNfarming GmbH
Zum Wasserwerk 12
15537 Erkner, Alemania

Tel.: +49 (0) 3362 / 8859 120


Fax: +49 (0) 3362 / 8859 130
www.sunfarming.de
info@sunfarming.de
Solar Training Center: Ing. Julius Jaeger

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