2 Ano - 2014

GRUPO I
ELABORADO POR:

HELDER FALCO 16133

HILTON CHIEMBA 16351
 O processo de fabricao de um Circuito Integrado consiste de
uma srie de passos que so elaborados em uma ordem especfica. A
realizao destes passos converte um projecto de circuito em um
componente real.

O conhecimento do processo de fabricao de um circuito

integrado fundamental ps permite ao projectista: melhorar o
projecto, propor ideias inovadoras usando as caractersticas do
processo, inferir sobre o efeito do layout no desempenho do circuito.

Este trabalho considerar apenas o processo de fabricao de

CIs baseada no silcio (Si) sendo o material mais popular, caracterizado
por uma larga gama de componentes com boa relao custo-
desempenho.
 Um circuito integrado (tambm conhecido como CI,
microcomputador, micro-chip, chip de silcio, chip) um circuito
electrnico funcional miniaturizado constitudos por um conjunto de
transstores, dodos, resistncias e condensadores, fabricados num
mesmo processo, que produzido na superfcie de um substrato (fig.b)
fino de material semicondutor de silcio.

fig. a - circuito integrado fig. b -Substrato de silcio

- Baixo custo e alto desempenho;

-Tamanho reduzido dos circuitos aliado alta confiabilidade

estabilidade de funcionamento;

- Os componentes so formados ao invs de montados;

- Permiti a concepo de portabilidade dos dispositivos

electrnicos;
- um material abundante (ocorre normalmente na forma de areia);

- Pode ser refinado usando-se tcnicas simples;

- Apresenta propriedades fsicas adequadas para a fabricao de

dispositivos activos com boas caractersticas elctricas (ex:
capacitores e MOSFETs);

- Pode ser facilmente oxidado para formar uma excelente camada

isolante;

-Baixo custo;
- Transstores;

-Condutores de interligao,

- Dodos;

-Resistncias;

-Condensadores;

-Camadas e regies isolantes ou condutoras;

1.1. A preparao da lmina de silcio

1.2. Crescimento Epitaxial

1.3. A oxidao

1.4. A difuso

1.5. A deposio Qumica em Fase de Vapor

1.6. A metalizao

1.7. A fotolitografia

1.8. O encapsulamento
 Os circuitos integrados em termos gerais so basicamente
construdos a partir silcio monocristalino. Devido a caracterstica do
silcio (Polisilcio) que apresenta estrutura formada por diversos blocos
e desorganizados, tornando-se necessrio um processo de purificao
para obteno de um silcio de alta qualidade conhecido como
processo de Czochralski, torna o silcio mais puro devido ao fato de
que as impurezas possuem diferentes pontos de fuso.

(Silcio monocristalino)
(Silcio Policristalino)
 O silcio policristalino triturado e depois fundido. Enquanto
est na fase lquida podem ser adicionadas quantidades controladas
de impurezas por meio de um processo conhecido como dopagem
(dopantes como Ferro e Boro) ao silcio intrnseco para que sejam
obtidas as propriedades eltricas desejadas.

Aps a obteno do silcio dentro das caractersticas

necessrias, o cristal cortado com lminas ou fios de diamante
formando wafers (bolachas), com espessuras que variam de 0,25mm e
1mm de acordo com o dimetro do cristal.
O material polido e tratado
quimicamente, somente aps todo
esse processo que receber o
desenho para formao do circuito
integrado atravs de um processo
conhecido como fotolitografia at
essa fase o circuito integrado
construdo camada por camada,
at constituir o componente
projetado.
(Wafers-bolachas)
 O crescimento epitaxial consiste
em fazer crescer em cima da camada tipo
p uma camada fina tipo n, mantendo a
,mesma estrutura cristalina da camada
tipo p do substrato. Obtendo-se como
resultado uma estrutura que um cristal
nico que, numa regio as impurezas so
predominantemente do tipo p e, na outra
regio as impurezas so
predominantemente do tipo n. O
(Em amarelo na figura, a camada
crescimento dessa camada chamada epitaxial)
camada epiatxial feita em fornos
especiais.
 A oxidao o processo Para evitar a introduo de
qumico de reaco do silcio com o pequenas quantidades de
oxignio para formar o dixido de contaminantes (que podem alterar
silcio (SiO2). O oxignio usado na significativamente as propriedades
reaco pode ser introduzido tanto elctricas do silcio), necessrio
como um gs de alta pureza (em manter o ambiente muito limpo
que o processo conhecido como para o processamento.
oxidao seca) quanto como
vapor de agua (em que o processo
conhecido como oxidao
hmida).
contra impurezas
Mascaramento

Sala Limpa
 A difuso o processo pelo qual os tomos se movem de uma
regio com alta concentrao para uma regio com baixa concentrao pela
rede cristalina. Na fabricao de CIs, a difuso um mtodo em que so
introduzidos tomos de impureza (dopantes) no silcio para mudar a sua
resistividade.

(Difuso do boro no silcio) O xido de silcio protege as regies

onde a impureza no deve penetrar)

As impurezas mais comuns usadas como dopantes so o boro, o

fsforo e o arsnio. O boro dopante tipo p e o fsforo e o arsnio so
dopantes tipo n. Esses dopantes so efectivamente mascarados por finas
camadas de xido. Difundindo-se o boro em um substrato tipo n, forma-se
uma juno pn (diodo).
 A deposio qumica em fase de vapor (chemical vapor deposition -
CVD) o processo pelo qual os gases ou vapores reagem quimicamente,
levando formao de um slido sobre o substrato.

O mtodo CVD pode ser usado para

depositar vrios matrias sobre o
substrato de silcio, incluindo SiO2, Si3N2 e
silcio policristalino. Por exemplo, se o gs
silina (SiH4) e o oxignio forem misturados
no ambiente acima do substrato de silcio,
o produto final, dixido de silcio, ir se
depositar como um filme slido sobre o
silcio.

(chemical vapor deposition - CVD)

 O objectivo da metalizao interconectar vrios componentes do
circuito integrado (transstores, resistores, dodos, etc.) para formar o
circuito desejado. A metalizao envolve a deposio inicial de um metal
sobre toda a superfcie do silcio.

A camada de metal normalmente

depositada por processo de
pulverizao catdica (sputtering).

(sputtering)
 A fotolitografia corresponde a etapa do processo de fabricao
em que a imagem do circuito transferida para o wafer (bolacha). Em uma
impresso atravs de luz. A fotolitografia considerada a etapa
fundamental da construo de circuitos integrados. atravs dela que os
padres de mscaras so transmitidos para o substrato. Este processo
tambm se divide em etapas:
Aplicao de Fotoresiste
O fotoresiste um lquido
que tem a capacidade de
sofrer polimerizao de
acordo com a presena
(fotoresiste positivo) ou
ausncia (fotoresiste
negativo) de luz.

Aplicao de fotoresiste Camada de fotoresiste

 Fabricao da Fotomscara
Fotomscara a imagem
fotogrfica negativa de um molde
de circuitos integrados. As
mscaras so construdas com o
objetivo de que seu padro
geomtrico seja capaz de delinear
completamente os componentes
de um circuito integrado. Fotografia de uma fotomscara

Devido s necessidades
impostas pela alta intensidade
de integrao, a gerao das
mscaras padres um
processo que requer
sofisticados equipamentos e
bons recursos computacionais,
sendo um processo que
consome tempo e custos
considerveis.
Interfase grfica do CAD/CAM com o
esboo de um circuito integrado, j em
fase final de elaborao.
 Fotogravao
A luz ultravioleta emitida sobre A lmina movimentada sobre a
o conjunto e o material fonte emissora UV at que todos
fotossensvel sofre polimerizao os circuitos estejam
apenas nas partes claras fotogravados no wafer. Este
(aberturas da mscara). processo ocorre num
equipamento chamado Stepper.

(Aplicao de luz ultravioleta)

(Stepper)
 O encapsulamento o invlucro protetor de um circuito integrado.
O invlucro possui terminais de metal ou "pinos", os quais so resistentes
o suficiente para conectar eltrica e mecanicamente o frgil microchip de
silcio a uma placa de circuito impresso.

Cada pastilha contm entre 10 a

108, ou mais transstores dentro de
uma forma rectangular, tipicamente
entre 1 a 10 mm em cada lado.

Figura 1.8.1 - Um encapsulamento

DIP padro de 8 pinos, contendo
um CI 555
 Desde o nicio dos anos 1980, a tecnologia MOS complementar
(CMOS) tem crescido muito rapidamente de tal forma que a tecnologia
bipolar passou a ser utilizada apenas para executar funes especificas,
como circuitos analgicos de alta velocidade. CMOS (pronuncia-se 'C-
Ms') uma sigla para complementar metal-oxide-semiconductor.

Esta tecnologia recente utiliza os dois tipos de transstores

MOSFET, o MOSFET canal N e o MOSFET canal P, de tal modo que um deles
"complementa" o outro na necessidade de se produzir funes lgicas.
 O material de partida
em um processo CMOS
cavidade n o substrato tipo
p. O processo comea com
uma difuso para formar a
cavidade n figura 2.1 (a)
Figura 2.1 (a)

A segunda etapa definir a regio

activa (a regio em que sero
colocados os transstores) usando-
se uma tcnica conhecida como
oxidao local. Uma camada de
nitrato de silcio (Si3N4) colocada e
o traado das regies a serem
oxidadas alinhado em relao as
regies das cavidades n
preexistentes figura 2.3(b)
Figura 2.3 (b)
 Depois de uma etapa
de oxidao hmida de longa
durao, regies de xido
espesso aparecem entre
regies activas (nas quais sero
implementados os transstores)
figura 2.3(c)

Figura 2.3 (c)

A prxima etapa a formao da

porta de silcio policristalino figura
2.4(d). Uma implantao de arsnio
de alta dopagem pode ser usada
para formar as regies n+ de dreno
e fonte dos MOSFETs tipo n.

Figura 2.4 (d)

Uma camada de fotorresiste pode
ser usada para bloquear as regies
em que os MOSFETs tipo p sero
formados figura 2.5(e)

Figura 2.5 (e)

Uma etapa fotolitogrfica reversa

pode ser usada para proteger os
MOSFETs tipo n durante a
implantao de boro p+ de dreno
e fonte (figura 2.6(f)).

Figura 2.6 (f)

Antes de as janelas de contactos Uma fina camada de alumnio
serem abertas, uma camada evaporada ou depositada por
espessa de xido CVD pulverizao catdica (sputtering)
depositada sobre toda a lmina. sobre a lmina. Uma etapa final
Uma fotomscara usada para de mascaramento e corroso
definir as janelas de contacto utilizada para delinear as
figura 2.7(g) interconexes figura 2.8(h).

Figura 2.7 (g) Figura 2.8 (h)

 Aprendemos que os circuitos integrados so componentes de
extrema importncia ps permitem a criao de dispositivos electrnicos
com um alto desempenho e mobilidade visto que actualmente estamos
na era da nanotecnologia onde procure-se cria dispositivos menores
com grande capacidade desempenho. Isso leva a uma certa
complexidade no processo de fabricao sendo fundamental cumprir
com grande preciso as etapas e processos de fabricao.