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DIAGRAMA.
EXPLICAR EL FUNCIONAMIENTO DE CADA
COMPONENTE
Electrnica de Potencia es la parte de la
electrnica encargada del estudio de
dispositivos, circuitos, sistemas y
procedimientos para el procesado, control y
conversin de la energa elctrica.
La expresin electrnica de potencia se utiliza
para diferenciar el tipo de aplicacin que se le
da a dispositivos electrnicos, en este caso para
transformar y controlar voltajes y corrientes de
niveles significativos. Se diferencia as este tipo
de aplicacin de otras de la electrnica
denominadas de baja potencia o tambin de
corrientes dbiles
En este tipo de aplicacin se reencuentran la
electricidad y la electrnica, pues se utiliza el
control que permiten los circuitos electrnicos
para controlar la conduccin (encendido y
apagado) de semiconductores de potencia para
el manejo de corrientes y voltajes en
aplicaciones de potencia. Esto al conformar
equipos denominados convertidores estticos de
potencia.
De esta manera, la electrnica de potencia permite
adaptar y transformar la energa elctrica para distintos
fines tales como alimentar controladamente otros equipos,
transformar la energa elctrica de continua a alterna o
viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de
mquinas elctricas, etc. mediante el empleo de
dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores.
Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control,
sistemas de compensacin de factor de potencia y/o de
armnicos como para suministro elctrico a consumos
industriales o incluso la interconexin de sistemas
elctricos de potencia de distinta frecuencia.
El principal objetivo de esta disciplina es el manejo y
transformacin de la energa de una forma eficiente, por
lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales
generadores de prdidas por efecto Joule. Los principales
dispositivos utilizados por tanto
son bobinas y condensadores, as como semiconductores
trabajando en modo corte/saturacin (on/off, encendido y
apagado).
Un circuito de Potencia, compuesto de
semiconductores de potencia y elementos
pasivos, que conecta la fuente primaria de
alimentacin con la carga
Un circuito de control, que procesa la
informacin proporcionada por el circuito de
potencia y genera las seales de excitacin
que determinan el estado de los
semiconductores, controlados con una fase y
secuencia conveniente.
POTENCIA, refirindose a equipos para
operacin y distribucin de potencia
elctrica
ELECTRNICA, refirindose a dispositivos de
estado slido y circuitos de procesado de
seal para alcanzar los objetivos de control
deseados.
CONTROL, refirindose a las caractersticas
estticas y dinmicas de sistemas de control
en lazo cerrado.
Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran
los Diodos. Los estados de conduccin (ON) y bloqueo
(OFF) dependen del circuito de potencia.
Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran,
los SCR (SiliconControlledRectifier) y los TRIAC (Triode
of AlternatingCurrent). En ste caso su puesta en
conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de
control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF)
lo determina el propio circuito de potencia.
Dispositivos totalmente controlados: en este grupo
encontramos los transistores bipolares BJT (Bipolar
Junction Transistor), los transistores de efecto de campo
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FieldEffect
Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada
IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor) y los tiristores
GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros
Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie
de dispositivos semiconductores de potencia, los
cuales derivan del diodo o el transistor. Entre estos se
encuentran los siguientes:
Rectificador controlado de silicio (SCR en ingls)
Triac
Transistor IGBT, sigla para Insulated Gate Bipolar
Transistor, Transistor Bipolar con compuerta aislada
Tiristor GTO, sigla para Gated Turnoff Thyristor,
Tiristor apagado por compuerta
Tiristor IGCT, sigla para Insulated Gate Controlled
Thyristor, Tiristor controlado por compuerta
Tiristor MCT, sigla para MOS Controlled Thyristor
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro
de sus lmites de tensin y corriente, permite la
circulacin de corriente en un nico sentido.
Caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores
corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones
inversas ms elevadas).
La tensin VF que se indica en la curva esttica corriente-tensin se
refiere a la cada de tensin cuando el diodo est conduciendo
(polarizacin directa). Para diodos de potencia, sta tensin de cada
en conduccin directa oscila aproximadamente entre 1 y 2 Volts.
Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se
efecta instantneamente. Cuando el diodo conduce una
corriente I en polarizacin directa, la zona central de la unin
est saturada de portadores mayoritarios, y aunque un
circuitoexterno fuerce la anulacin de la corriente aplicndole
una tensin inversa, cuando la corriente pasa por cero an existe
una cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten la conduccin de una corriente inversa
durante un tiempo, denominado tiempo de recuperacin inverso
(trr)
Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor
importancia que el anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a
conduccin,
Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita
una cada de tensin directa muy pequea (0,3 V
tpicos) para circuitos con tensiones reducidas de
salida
Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados
en circuitos de frecuencia elevada en
combinacin con interruptores controlables,
donde se necesitan tiempos de recuperacin
pequeos.
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea:
La tensin en el estado de conduccin (ON) de
estos diodos es la ms pequea posible, y como
consecuencia tienen un trr grande, el cual es
nicamente aceptable en aplicaciones de la
frecuencia de lnea.
ElSCR est formado por cuatro capas
semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,
teniendo 3 terminales: nodo (A) y ctodo
(K), por los cuales circula la corriente
principal, y la puerta (G) que, cuando se le
inyecta una corriente,
hace que se establezca
una corriente en sentido
nodo-ctodo.
Un SCR posee tres
conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La
puerta es la encargada de controlar el paso de
corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
bsicamente como
un diodorectificador controlado, permitiendo
circular la corriente en un solo sentido. Mientras
no se aplique ninguna tensin en la puerta del
SCR no se inicia la conduccin y en el instante en
que se aplique dicha tensin, el tiristor
comienza a conducir. Trabajando en corriente
alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o
semiciclo. Trabajando en corriente continua, se
necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito.
El pulso de conmutacin ha de ser de una
duracin considerable, o bien, repetitivo si se
est trabajando en corriente alterna.
ElTRIAC (Triode of Alternating Current) es
un tiristor bidireccional de tres terminales.
Permite el paso de corriente del terminal A1
al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con
tensiones de puerta de ambos signos
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es
un dispositivo semiconductor, de la familia
de los tiristores. La diferencia con
un tiristor convencional es que ste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De
forma coloquial podra decirse que el TRIAC
es un interruptor capaz de conmutar
la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto
modo a la disposicin que formaran
dos SCR en direcciones opuestas.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso
pierden la denominacin de nodo y ctodo)
y puerta. El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo puerta.
En Electrnica de Potencia, los transistores
generalmente son utilizados como interruptores.<
Los transistores tienen la ventaja de que son
totalmente controlados.
El transistor es un dispositivo
electrnico semiconductor utilizado para entregar
una seal de salida en respuesta a una seal de
entrada.1 Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Los tipos de transistores utilizados en los circuitos
electrnicos de potencia incluyen los transistores
BJT, los MOSFET y dispositivos hbridos, como por
ejemplo, los transistores de unin bipolar de puerta
aislada (IGBT).
esun componente electrnico constituido
por elementos semiconductores que
utiliza realimentacin interna para producir
una conmutacin. Los materiales de los que
se compone son de tipo semiconductor, es
decir, dependiendo de la temperatura a la
que se encuentren pueden funcionar como
aislantes o como conductores. Son
dispositivos unidireccionales porque
solamente transmiten la corriente en un
nico sentido. Se emplea generalmente para
el control de potencia elctrica
El tiristor engloba una familia de dispositivos
semiconductores que trabajan en
conmutacin, teniendo en comn una
estructura de cuatro capas semiconductoras
en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta
un funcionamiento biestable (dos estados
estables).
La conmutacin desde el estado de bloqueo
(OFF) al estado de conduccin (ON) se
realiza normalmente por una seal de
control externa.
Dentro de la familia de los tiristores podemos
destacar los SCRs (tiristores unidireccionales)
y TRIACs (tiristores bidireccionales).
es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser
encendido por un solo pulso de corriente positiva en la
terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal;
pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de
corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados,
tanto el estado de encendido como el estado de apagado,
son controlados por la corriente en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las
caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando
un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales
puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig),
crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su
mximo valor, IGR, la corriente de nodo comienza a caer
y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a
crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es
abrupta, tpicamente menor a 1 us. Despus de esto, la
corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la
corriente de nodo es conocido como corriente de cola.
Conversin de potencia es el proceso de convertir una forma de energa
en otra, esto puede incluir procesos electromecnicos o electroqumicos.