Transistor Bipolar de Puerta Aislada

Integrantes del grupo:

lvarez Cristian
Freire Darwin
Guajan Alex
Soliz Erick
Zhune Jos Luis
 El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los aos 80

Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por
corriente

MOSFET Bipolar
G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)

No tiene diodo parsito
 Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N

Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.
 El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz)
Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia
 Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor

El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo

A mayor temperatura, menor cada

de tensin

Conduce ms corriente

Se calienta ms

Esto es un problema para paralelizar IGBTs

 Encapsulados de IGBT

Mdulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
 Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin colector-emisor en
saturacin

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

Media tensin Alta tensin

250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
 Caractersticas bsicas

En ocasiones, el encapsulado incorpora

internamente un diodo
G
E
 Caractersticas elctricas

Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)

Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS)

Caractersticas trmicas
 Caractersticas dinmicas
Circuito equivalente del IGBT

La base del bipolar no del accesible

La circuitera exterior no puede solucionar el problema de la
eliminacin de los minoritarios de la base

Esto da lugar a la llamada cola de

corriente (current tail)

Problema: aumento de prdidas de

conmutacin

Cola de corriente
 Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT no dan informacin sobre las
prdidas de conmutacin

Causa:
No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente
Este efecto es muy significativo en el conjunto de prdidas
Adems, el tiempo de cada de la tensin VCE no queda definido
Este tiempo es muy importante para definir las prdidas

Se hace mediante grficos que proporciona el fabricante

 Aplicaciones

El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un

dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin.
Automvil
Tren
Metro
Autobs
Avin
Barco
Ascensor
Electrodomstico
elevisin
Domtica,
Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc