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Eletrnica de Potncia

UNIDADE 2
Introduo Eletrnica de
Potncia
Unidade 2
Introduo Eletrnica de Potncia

2.1 Aplicaes

2.2 Evoluo e tendncia do desenvolvimento


dos componentes semicondutores de
potncia

2.3 Reviso - Valor mdio, eficaz e I2t

2.4 Reviso - Harmnicos


2.1 Aplicaes Gerais

Conversores de Potncia

CA/CA - Controladores CA, Cicloconversores e


conversores e conversores matriciais;
CA/CC - Retificadores passivos no controlados
e controlados;
CC/CA - Inversores;
CC/CC - Choppers
Aplicaes Prticas Leves

Fontes Chaveadas
Carregamento de Capacitores
Reatores Eletrnicos e lmpadas
compactas
No Break
Fontes de Alimentao Ajustveis em CC;
Conversores utilizados em Sistemas
Fotovoltaicos(pequeno e grande porte)
Outras
Aplicaes Prticas Industriais
Converso em Sistemas de Energia Elica
Acionamentos CA e CC de Mquinas Eltricas;
Conservao de Energia
Controladores Industriais;
Processos de Laminao, Aquecimento,
tratamento superficial, Iluminao etc
Processos Qumicos em geral
Sistemas de Trao de Veculos Trens
Metrs e Carros Industriais e Urbanos
Eltricos ou Hbridos
Outras
Aplicaes Prticas em Sistemas
Eltricos de Potncia

Sistemas de Transmisso em Corrente Contnua


em Alta Tenso - HVDC (Higth Voltage Direct-
Current) e HVDC light
Filtros Ativos de Potncia;
Qualidade de Energia
Controle do fluxo de Energia em Sistemas
Eltricos de Potncia (FACTs - Flexible AC
Transmission Systems )
Outras
Aplicaes (Potncia x frequncia)
2.2 Desenvolvimento dos Componentes

Cronologia

Introduo do retificador a arco de


mercrio, em 1900;
Retificador tanque metlico;

Retificador em tubo a vcuo de

grade controlada;
As vlvulas Ignitron e Tiratron;
Cronologia

A Primeira Revoluo 1948


Inveno do transistor de silcio
(BJT)

Em 1956
Inveno do tiristor disparvel
PNPN SCR ( Silicon Controled
Rectifier)
Cronologia

A Segunda Revoluo - 1958


Desenvolvimento comercial do
tiristor.
Seguiu-se o desenvolvimento de
tiristores para trabalhar em elevadas
potncias
Cronologia

Terceira Revoluo
- Final dos anos 80 grande evoluo dos
SCRs e GTOs
- Incio dos 90, grande desenvolvimento
dos transistores de potncia
Atualmente - Novos componentes e
Mdulos Inteligentes;
Componentes Semicondutores
de Potncia em uso Atualmente

Diodos de Potncia
Normais, Rpidos e Ultra-rpidos
Tiristores
SCR, TRIAC, GTO
Transistores de Potncia

BJT, MOSFET e IGBT


Caractersticas
Controle de Disparo

Disparo e desligamento no-controlado


diodos;
Disparo controlado e desligamento no-
controlado SCR;
Disparo e desligamento controlado BJT,
MOSFET, GTO, IGBT;
Necessidade de sinal contnuo de porta BJT,
MOSFET e IGBT;
Caractersticas
Sentido de Tenso e Corrente

Capacidade de suportar tenso bipolar


SCR, GTO;
Capacidade de suportar tenso unipolar
BJT, MOSFET, IGBT;
Capacidade de corrente bidirecional
TRIAC;
Capacidade de corrente unidirecional SCR,
GTO, BJT, MOSFET, IGBT, Diodo;
Diodos de Potncia
Diodos de Potncia
Caractersticas

Encapsulamento
Tipo ROSCA ou rosquevel
Tipo DISCO
Blocos (Pares e Pontes
monofsicas e trifsicas)
Diodos de Potncia
Caractersticas

Velocidade

Genricos - at 3000 V, 3500 A


e tempo de recuperao reversa
trr de 10 ms
Alta velocidade - at 3000 V, 1000 A e
trr de 0,1 e 5,0 ms
Tiristores
Tiristores
Caractersticas

Os SCRs de comutao pela rede


- Operam > 12.000 V e 6.500 A e
frequncias industriais (1 kHz)
Os TRIACs, utilizados para cargas CA de
baixa potncia
Tiristores
Caractersticas

Os LASCR, controlados por luz


Fornecidos em at 6000 V e 1500 A
Velocidade de chavea-mento de 200 a
400 ms, so apropriados para
sistemas de alta potncia HVDC
Tiristores
Caractersticas

Os GTOs e os SITHs (induo esttica)


ligados e desligados por pulso

- GTOs, at 4000V e 3000 A e frequncia


pouco acima de 1 kHz

- SITHs, at 1200V e1300 A e frequncia


de centenas de kHz
Tiristores
Caractersticas

Os MCTs ligados por um pequeno pulso


de tenso na porta MOS
- Fornecidos em at 1000 V e 100 A.
Os IGCT Componentes de ltima
gerao.
- Acionados por tenso.
- Superam os GTOs em limites de
frequncia
Transistores
Transistores
Caractersticas

Os BJTs, Operam como interruptores na


configurao emissor comum
- Utilizados at 1200 V, 400 A e 10 kHz
Os MOSFETs,
- Potncias relativamente baixas,
1000 V e 50 A e dezenas de kHz
Transistores
Caractersticas

Os IGBTs, controlados por tenso


- Mais rpidos que os BJTs mais
lentos que os MOSFETs.
- Fornecidos em at 1200 V e 400 A
- Podem operar em frequncias
de at 20 kHz;
Transistores
Caractersticas

O Transistor de induo esttica SITs

- So fornecidos em at 1200 V, 300 A

- Podem operar em at 100 kHz


Resumo das Principais Caractersticas
dos Semicondutores Atuais
Mdulos ou Encapsulamento de
Potncia

Oferecidos com 2, 4 ou mais dispositivos;


Os mdulos oferecem as vantagens de
Perdas mais baixas, chaveamento de
altas tenses e correntes, e velocidades
maiores
Alguns mdulos ainda incluem proteo
contra transientes e circuito de excitao
da porta ou gatilho;
Mdulos Inteligentes
Smart Power

So o estado da arte em eletrnica de


potncia, integrando o mdulo de
potncia, drivers, superviso e proteo;

Os usurios necessitam apenas conectar


as fontes de alimentao e os sinais de
controle;
Efeitos Colaterais da Utilizao
dos Conversores a Semicondutores

Produo de correntes e tenses harmnicas


no sistema de alimentao e carga.

Interferncias eletromagnticas em
sistemas de comunicao, instrumentao,
computao, sinalizao etc.
Fonte de Informaes
Peridicos

Existem vrios peridicos disponveis na


Biblioteca da UNIFEI e base de dados
CAPES;
IEEE Transactions on Industrial Electronics;
IEEE Transactions on Industry Applications;
IEEE Transactions on Power Electronics;
Manuais e data-sheets de fabricantes
Dezenas de Livros em lnguas estrangeiras
e alguns poucos em portugus