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Teoria do Diodo
Leonardo B. Zoccal
(lbzoccal@unifei.edu.br)
ELT055 Eletrnica Analgica - dez-17
Diodo Semicondutor
Juno PN acrescida de duas regies (N+ e P+) para fazer
um contato hmico (segue a lei de Ohm: V = RI) com os
terminais; N+ e P+ so dopagens muito elevadas.
Contato hmico baixo valor de resistncia.
Terminal + +
Terminal
P Cristal P Cristal N N
(metal) (metal)
WO
contato contato
hmico hmico 2
Diodo Semicondutor
Polarizao Direta e Reversa
Simbologia (Invlucro)
VD
+ -
Anodo Catodo
ID
4
Diodo Semicondutor
Alguns Exemplos de Encapsulamentos
5
Diodo Semicondutor
Alguns Exemplos de Encapsulamentos
6
Diodo Semicondutor
Curva Caracterstica
ID
IDmax Polarizao Direta
Diodo "ON"
VD
+ -
IS ID
BV
VT VD
VR
- +
IS
Polarizao Reversa
Diodo "OFF" 7
Diodo Semicondutor
A equao de Shockley deduzida a partir de conceitos da
Fsica do Estado Slido. vlida para o diodo operando
fora da regio de ruptura e para nveis de corrente no to
elevados (fora da regio de alta injeo). Idealiza a relao
I x V.
VvD Ateno:
ID IS . e t 1
vt a tenso equivalente
de temperatura. No
K .T confundir com a tenso de
vt 25 [mV] @ 25 C joelho VT ( 0,7V p/ o diodo
q
de Si e 0,3V p/ o de Ge)
v t U T t
8
Diodo Semicondutor
tem um valor entre 1 e 2, dependendo do material
e da estrutura fsica do diodo. Em geral, ser
assumido = 1, a menos que o contrrio seja
especificado.
VvD
ID IS . e t 1
K .T
vt 25 [mV] @ 25 C
q
v t U T t
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Diodo Semicondutor
Nveis de Resistncia
Apesar de se tratar de um componente altamente no linear,
o diodo semicondutor pode ter partes de sua curva
caracterstica linearizadas. Em outras palavras significa
tornar uma poro desta curva expressa pela lei de Ohm.
Este procedimento acarreta na definio de alguns nveis de
resistncia (na polarizao direta), a saber:
Resistncia Esttica (Resistncia DC - RD);
Resistncia Dinmica Incremental (Resistncia AC
Incremental - rd);
Resistncia Dinmica Mdia (Resistncia AC Mdia - rAV).
10
Diodo Semicondutor
Nveis de Resistncia
VDQ
RD
I DQ
Q Ser maior para regies prximas ou
IDQ
Ponto de abaixo do joelho da curva e
Operao apresentar um elevado valor na
polarizao reversa (antes da
VD ruptura). A resistncia DC no
VDQ depende do formato da curva
caracterstica 12
Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental
A resistncia AC Incremental prev a
movimentao do ponto Q pela presena de um
sinal variante no tempo superposto aos nveis DC
DVD
rd
DI D
Considerando a expresso
em srie da funo ID com
essa regra, os termos
quadrticos podem ser
desprezados.
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Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental
A derivada de uma funo em um
ponto igual a inclinao da reta
tangente traada nesse ponto
VD DVD dVD
I D IS e vt 1 rd
DI D dI D
Q
25[mV]
rd
I D IS
dI D 1 1
ID I DQ
dVD vt vt
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Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental
25[mV]
rd
I DQ
=1
=2
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Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental - Observao
Esta resistncia foi deduzida a partir da equao de Shockley
que modela apenas o comportamento da juno PN. As
resistncias de corpo dos materiais semicondutores das
regies do Anodo e do Catodo e as resistncias dos
contatos hmicos (idealmente deveriam ser zero) no
fazem parte desta formulao. comum, ento,
encontrarmos:
r' d rd rB
DVD
VD rAV
DVD
DI D ponto a ponto
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Diodo Semicondutor
Circuitos Equivalentes (Modelos) do Diodo
Circuito equivalente uma combinao de elementos de
circuito (resistores, capacitores, fontes de tenso, etc)
propriamente escolhidos, para representar, com um certo
grau de preciso, as caractersticas globais ou em um
determinado ponto de operao, um dispositivo ou um
sistema
Um sinnimo para circuito equivalente Modelo e est se
tentando deixar o dispositivo (ou sistema) linear
ID
VD = 0 Idealmente, o diodo
+ -
modelado como uma
ID chave fechada
(polarizao direta) e
como uma chave
VD aberta (polarizao
VR reversa). Tambm
- + chamado de primeira
aproximao.
IR = 0
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Diodo Semicondutor
Modelo Simplificado
ID
VD = VT
O diodo se torna
+ -
uma chave fechada
+ -
VT depois de vencido
o joelho da curva
ID
(consegue manipular
VT VD valores expressivos
de corrente).
-
VR
+
Tambm chamado
de segunda
aproximao.
IR = 0
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Diodo Semicondutor
Modelo Linear por Partes
ID
VD = VT + ID.rAV
+ - Incorpora o valor
+ - rAV da resistncia
VT dinmica mdia.
ID Chamado de
terceira
VT VD aproximao.
VR
- +
IR = 0
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Diodo Semicondutor
1) Utilize as trs aproximaes apresentadas para calcular
a corrente na carga, a tenso na carga, a potncia na
carga, a potncia no diodo e a potncia total na figura
abaixo. Um 1N4001 tem uma resistncia de corpo de
0,23.
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Diodo Semicondutor
Neste ponto, pode surgir a dvida sobre qual dos modelos
utilizar. Normalmente, o modelo simplificado atende a
maioria das anlises de circuitos com diodos
Contudo, sempre que possvel, deve-se avaliar os valores
das tenses aplicadas e de outras resistncias do
circuito. Se estas forem muito superiores aos valores de VT
e de rAV (pelo menos dez vezes maior) o modelo ideal
levar a resultados com um grau de impreciso de no
mximo 10%
Quando as tenses aplicadas e outras resistncias forem da
mesma ordem de grandeza de VT e rAV torna-se necessrio o
uso do modelo linear por partes
24
Diodo Semicondutor
2) Que valor deve ter R2 na figura abaixo para que a
corrente no diodo seja de 0,25 mA?
25
Diodo Semicondutor
Efeitos Capacitivos
Existem dois efeitos capacitivos a serem considerados. Ambos
esto presentes nas condies de polarizao direta e reversa,
entretanto, apenas um deles dominante, simplificando, assim, a
anlise.
Na polarizao reversa predomina a Capacitncia de Juno (CJ)
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Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
Ao se aplicar um sinal de freqncia muito
elevada (uma onda quadrada por exemplo), os
efeitos capacitivos impediro que o dispositivo
responda instantaneamente. Existiro os
chamados tempos de recuperao direto (trd) e
reverso (trr)
O tempo de recuperao reverso (passar da
polarizao direta para a polarizao reversa) o
maior dos dois e representa o tempo de
recuperao dominante (devido a capacitncia
de difuso) 30
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
D1
Comando
t p/
0
20ns Ligar D1
-5
-10
31
Diodo Semicondutor
D1
Tempos de recuperao
D1N4148 ID [A]
10m
5m
Vin(t) [V] 10ns 20ns t
10ns 30ns
10
30ns
5 -5m
t
0
20ns -10m
-5
-15m
-10
VD [V]
2 10ns 30ns
0
20ns t
-2
-4
-6
-8
32
-10
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
trr = ts + tt
trr: tempo de recuperao reversa
ts: tempo de armazenamento
tt: tempo de transio
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Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
36
Diodo Semicondutor
Parte 2
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Diodo Semicondutor
Dissipao de Calor Hiprbole de Potncia
O diodo dissipa potncia na polarizao direta
proporcionalmente ao produto ID x VD. Este valor uma
constante e depende, basicamente, do volume de silcio
empregado e do encapsulamento. O produto define, no plano
ID = f(VD), o que se chama de Hiprbole de Potncia
VT VD 39
Diodo Semicondutor
Folhas de Dados
Basicamente, dois tipos de informao
Absolute Maximum Ratings (Limiting Values) (Valores
Mximos Absolutos ou Valores Limites): Valores que, se
excedidos, provocam a destruio do dispositivo ou a
degenerao de seu comportamento eltrico, diminuindo,
assim, a confiabilidade e a vida til do dispositivo
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Diodo Semicondutor
Folhas de Dados
Alguns Dados Importantes para Diodos
Caractersticas
Eltricas
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Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148
Curvas
Caractersticas
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Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148
Circuito
Teste
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Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148
Informaes
Mecnicas
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Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multmetro Digital
Os multmetros digitais
apresentam, dentro de
sua seo ohmmetro,
uma funo especial
(normalmente identificada
pelo smbolo de um
diodo) que permite
avaliar a condio de
junes PN
48
Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multmetro Digital
Nesta funo, o multmetro injeta uma corrente constante
no diodo sob teste e processa o resultado de forma a dar o
valor da barreira de potencial equivalente quando
polarizado diretamente. Esta corrente situa-se, tipicamente,
na faixa de umas poucas unidades de [mA]
Quando polarizado reversamente, a indicao tal que
representa a impossibilidade de circular corrente pelo diodo
(lembrar que nesta situao ele , idealmente, uma chave
aberta)
Com base nestas indicaes possvel identificar
claramente as condies: diodo em bom estado, diodo em
curto e diodo aberto 49
Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multmetro Digital
Diodo sob Teste
1N4001 Retificador
Polarizado Diretamente
Indicao da Barreira:
556 [mV]
Polarizado Reversamente
Indicao de infinito
No foi possvel circular
corrente pelo diodo
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Conceito da Linha
de Carga
(Reta de Carga)
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Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
Para este tipo de anlise preciso ter em mos a curva
caracterstica do dispositivo
Isto pode ser uma desvantagem pois nem sempre
possvel
Contudo, importante conhecer esta anlise (seu
conceito) que extensivamente usada em circuitos com
transistores
possvel traar uma linha que representa o
comportamento para uma determinada carga sobre as
curvas caractersticas
Se a carga linear, esta linha se torna uma reta. Da o
nome Reta de Carga 52
Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
VD
+
V IL = ID
VL
- RL
ID
+ VD - ponto Q
VD = 0
ID = V/RL
+
V IL = ID
- RL VL
VD
VD
VT
VT rAV ponto Q
VD = VT + ID.rAV
+ + - ID = (V - VT)/(RL + rAV)
V
IL = ID RL VL
-
VD
VT
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Anlise Atravs dos Modelos
Dicas de Anlise
Ao se analisar circuitos com diodos preciso saber em que
regio (direta ou reversa) ele est polarizado
Obs:
Sempre que possvel, ter em mos os valores limites
(tenso e corrente) do diodo para avaliar se o dispositivo
esta operando fora de seus limites seguros e garantidos
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