Você está na página 1de 61

UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB

Teoria do Diodo

Leonardo B. Zoccal
(lbzoccal@unifei.edu.br)
ELT055 Eletrnica Analgica - dez-17
Diodo Semicondutor
Juno PN acrescida de duas regies (N+ e P+) para fazer
um contato hmico (segue a lei de Ohm: V = RI) com os
terminais; N+ e P+ so dopagens muito elevadas.
Contato hmico baixo valor de resistncia.

Juno PN Regio de Depleo

Terminal + +
Terminal
P Cristal P Cristal N N
(metal) (metal)

WO
contato contato
hmico hmico 2
Diodo Semicondutor
Polarizao Direta e Reversa

Levantamento de suas propriedades eltricas atravs das


curvas caractersticas;
Tirar o dispositivo da condio de equilbrio atravs da
polarizao;
Diodo polarizado diretamente apresenta uma baixa
resistncia (RCONTATOS + RCORPO);

Prever resistor limitador de corrente externo;

Diodos de Sinal (baixa potncia) e Retificadores (alta


potncia).
3
Diodo Semicondutor
Observao

No necessrio contabilizar os portadores


minoritrios na corrente direta;

Simbologia (Invlucro)
VD
+ -
Anodo Catodo

ID
4
Diodo Semicondutor
Alguns Exemplos de Encapsulamentos

5
Diodo Semicondutor
Alguns Exemplos de Encapsulamentos

6
Diodo Semicondutor
Curva Caracterstica
ID
IDmax Polarizao Direta
Diodo "ON"

VD
+ -

IS ID
BV

VT VD

VR
- +

IS
Polarizao Reversa
Diodo "OFF" 7
Diodo Semicondutor
A equao de Shockley deduzida a partir de conceitos da
Fsica do Estado Slido. vlida para o diodo operando
fora da regio de ruptura e para nveis de corrente no to
elevados (fora da regio de alta injeo). Idealiza a relao
I x V.

VvD Ateno:
ID IS . e t 1
vt a tenso equivalente
de temperatura. No
K .T confundir com a tenso de
vt 25 [mV] @ 25 C joelho VT ( 0,7V p/ o diodo
q
de Si e 0,3V p/ o de Ge)
v t U T t
8
Diodo Semicondutor
tem um valor entre 1 e 2, dependendo do material
e da estrutura fsica do diodo. Em geral, ser
assumido = 1, a menos que o contrrio seja
especificado.

VvD
ID IS . e t 1


K .T
vt 25 [mV] @ 25 C
q
v t U T t
9
Diodo Semicondutor
Nveis de Resistncia
Apesar de se tratar de um componente altamente no linear,
o diodo semicondutor pode ter partes de sua curva
caracterstica linearizadas. Em outras palavras significa
tornar uma poro desta curva expressa pela lei de Ohm.
Este procedimento acarreta na definio de alguns nveis de
resistncia (na polarizao direta), a saber:
Resistncia Esttica (Resistncia DC - RD);
Resistncia Dinmica Incremental (Resistncia AC
Incremental - rd);
Resistncia Dinmica Mdia (Resistncia AC Mdia - rAV).
10
Diodo Semicondutor
Nveis de Resistncia

Para efeito de modelamento (linearizao de partes


da curva caracterstica), ser considerado que o
diodo na condio de polarizao reversa (antes da
ruptura) uma resistncia de altssimo valor. Na
prtica isto significa que este valor muito maior
(pelo menos 10 vezes) que o maior resistor presente
no circuito.
Normalmente, esta condio simbolizada pelo seu
comportamento idealizado que uma chave aberta.
11
Diodo Semicondutor
Resistncia Esttica
ID A resistncia DC a relao
direta entre os valores DC de
tenso e corrente no diodo

VDQ
RD
I DQ
Q Ser maior para regies prximas ou
IDQ
Ponto de abaixo do joelho da curva e
Operao apresentar um elevado valor na
polarizao reversa (antes da
VD ruptura). A resistncia DC no
VDQ depende do formato da curva
caracterstica 12
Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental
A resistncia AC Incremental prev a
movimentao do ponto Q pela presena de um
sinal variante no tempo superposto aos nveis DC

DVD
rd
DI D

Desde que estas variaes sejam pequenas


(operao a pequeno sinal sinais incrementais),
a curva se confunde com a reta tangente no ponto
(derivada). Esta resistncia depende do formato da
curva.
13
Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental
Uma regra considerar
variaes mximas de
+/- 10% do valor
quiescente.

Considerando a expresso
em srie da funo ID com
essa regra, os termos
quadrticos podem ser
desprezados.
14
Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental
A derivada de uma funo em um
ponto igual a inclinao da reta
tangente traada nesse ponto

VD DVD dVD
I D IS e vt 1 rd
DI D dI D
Q

25[mV]
rd
I D IS
dI D 1 1
ID I DQ
dVD vt vt

15
Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental
25[mV]
rd
I DQ

=1

=2
16
Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Incremental - Observao
Esta resistncia foi deduzida a partir da equao de Shockley
que modela apenas o comportamento da juno PN. As
resistncias de corpo dos materiais semicondutores das
regies do Anodo e do Catodo e as resistncias dos
contatos hmicos (idealmente deveriam ser zero) no
fazem parte desta formulao. comum, ento,
encontrarmos:

r' d rd rB

rB representa as contribuies adicionais e pode variar de 0,1


a 2 ohms dependendo do tipo de dispositivo. Diodos de
sinal, maior rB e diodos de potncia, menor rB. 17
Diodo Semicondutor
Resistncia Dinmica Mdia
ID
Se o sinal variante no tempo provocar
deslocamentos muito grandes ao
redor do ponto de operao,
necessrio definir uma resistncia AC
mdia. Este valor de resistncia
calculado tomando-se uma linha reta
que une os dois pontos extremos das
DID
variaes do sinal e fazendo-se a
relao entre a tenso e a corrente.

DVD
VD rAV
DVD
DI D ponto a ponto
18
Diodo Semicondutor
Circuitos Equivalentes (Modelos) do Diodo
Circuito equivalente uma combinao de elementos de
circuito (resistores, capacitores, fontes de tenso, etc)
propriamente escolhidos, para representar, com um certo
grau de preciso, as caractersticas globais ou em um
determinado ponto de operao, um dispositivo ou um
sistema
Um sinnimo para circuito equivalente Modelo e est se
tentando deixar o dispositivo (ou sistema) linear

O uso de modelos simplifica a anlise de um circuito que


contenha componentes altamente no lineares
19
Diodo Semicondutor
Modelo Ideal

ID
VD = 0 Idealmente, o diodo
+ -
modelado como uma
ID chave fechada
(polarizao direta) e
como uma chave
VD aberta (polarizao
VR reversa). Tambm
- + chamado de primeira
aproximao.
IR = 0

20
Diodo Semicondutor
Modelo Simplificado

ID
VD = VT
O diodo se torna
+ -
uma chave fechada
+ -
VT depois de vencido
o joelho da curva
ID
(consegue manipular
VT VD valores expressivos
de corrente).
-
VR
+
Tambm chamado
de segunda
aproximao.
IR = 0
21
Diodo Semicondutor
Modelo Linear por Partes

ID
VD = VT + ID.rAV
+ - Incorpora o valor
+ - rAV da resistncia
VT dinmica mdia.
ID Chamado de
terceira
VT VD aproximao.
VR
- +

IR = 0
22
Diodo Semicondutor
1) Utilize as trs aproximaes apresentadas para calcular
a corrente na carga, a tenso na carga, a potncia na
carga, a potncia no diodo e a potncia total na figura
abaixo. Um 1N4001 tem uma resistncia de corpo de
0,23.

23
Diodo Semicondutor
Neste ponto, pode surgir a dvida sobre qual dos modelos
utilizar. Normalmente, o modelo simplificado atende a
maioria das anlises de circuitos com diodos
Contudo, sempre que possvel, deve-se avaliar os valores
das tenses aplicadas e de outras resistncias do
circuito. Se estas forem muito superiores aos valores de VT
e de rAV (pelo menos dez vezes maior) o modelo ideal
levar a resultados com um grau de impreciso de no
mximo 10%
Quando as tenses aplicadas e outras resistncias forem da
mesma ordem de grandeza de VT e rAV torna-se necessrio o
uso do modelo linear por partes
24
Diodo Semicondutor
2) Que valor deve ter R2 na figura abaixo para que a
corrente no diodo seja de 0,25 mA?

25
Diodo Semicondutor
Efeitos Capacitivos
Existem dois efeitos capacitivos a serem considerados. Ambos
esto presentes nas condies de polarizao direta e reversa,
entretanto, apenas um deles dominante, simplificando, assim, a
anlise.
Na polarizao reversa predomina a Capacitncia de Juno (CJ)

Na polarizao reversa tem-se um material isolante (regio de


depleo) entre duas regies com cargas acumuladas.
26
Diodo Semicondutor
Efeitos Capacitivos
Existem dois efeitos capacitivos a serem considerados. Ambos
esto presentes nas condies de polarizao direta e reversa,
entretanto, apenas um deles dominante, simplificando, assim, a
anlise.
Na polarizao reversa predomina a Capacitncia de Juno (CJ)

Um diodo especializado, chamado Varicap, muito utilizado


em circuitos de sintonia, est otimizado para atuar como um
27
capacitor varivel com base neste fenmeno.
Diodo Semicondutor
Capacitncia de Difuso
Na polarizao direta predomina a Capacitncia de Difuso (CD).
Quando os portadores se difundem atravs da juno, eles levam
um determinado tempo para se recombinarem.
At que a maioria dos portadores se recombine, eles ficam
armazenados o que equivale a modelar este comportamento
como um capacitor.
Quanto maior a corrente direta, maior o armazenamento de
cargas, maior efeito capacitivo.

Pelo fato de estar relacionada difuso de portadores, esta


capacitncia recebeu o nome de capacitncia de difuso.
28
Diodo Semicondutor
Capacitncia de Juno e Difuso versus
polarizao aplicado em um diodo de Si

29
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
Ao se aplicar um sinal de freqncia muito
elevada (uma onda quadrada por exemplo), os
efeitos capacitivos impediro que o dispositivo
responda instantaneamente. Existiro os
chamados tempos de recuperao direto (trd) e
reverso (trr)
O tempo de recuperao reverso (passar da
polarizao direta para a polarizao reversa) o
maior dos dois e representa o tempo de
recuperao dominante (devido a capacitncia
de difuso) 30
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
D1

D1N4148 Circuito Simples para a


Verificar o
Vin(t) RL Chaveamento de um
1[K ]
Diodo de Sinal

Vin(t) [V] Comando p/


10ns Desligar D1 30ns
10

Comando
t p/
0
20ns Ligar D1
-5

-10
31
Diodo Semicondutor
D1
Tempos de recuperao
D1N4148 ID [A]

Vin(t) RL 20m trr


1[K ]
15m

10m

5m
Vin(t) [V] 10ns 20ns t
10ns 30ns
10
30ns
5 -5m
t
0
20ns -10m
-5
-15m
-10

VD [V]
2 10ns 30ns
0
20ns t
-2
-4
-6
-8
32
-10
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
trr = ts + tt
trr: tempo de recuperao reversa
ts: tempo de armazenamento
tt: tempo de transio

Devido ao grande nmero de


portadores minoritrios em cada
material, a corrente no diodo ser
simplesmente invertida
permanecendo nesse nvel pelo
tempo ts, necessrio para os
portadores minoritrios voltarem ao
seu estado de portadores majoritrios
no material oposto.
33
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao
trr = ts + tt
trr: tempo de recuperao reversa
ts: tempo de armazenamento
tt: tempo de transio

Quando a fase de armazenamento


tiver passado, a corrente ser
reduzida ao nvel associado ao
estado de no-conduo. Esse
segundo perodo de tempo
denotado pelo intervalo de transio
(tt).

34
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperao

Para diodos de sinal o valor do tempo de recuperao


reversa est na casa de unidades a dezenas de [nS]

Diodos retificadores j apresentam um tempo de


recuperao reversa da ordem de unidades a dezenas de
[mS]

Existem diodos especializados, construdos com uma


juno metal-semicondutor (diodo Schottky), que
apresentam um tempo de recuperao reversa de
picosegundos. Estes diodos podem operar, ento, em
freqncias muitas elevadas (centenas de [MHz]).
35
Diodo Semicondutor
3) Esboce a forma de onda para a corrente i do circuito da
figura abaixo se tt=2ts, sendo o tempo de recuperao
reversa total de 9ns.

36
Diodo Semicondutor

Parte 2

37
Diodo Semicondutor
Dissipao de Calor Hiprbole de Potncia
O diodo dissipa potncia na polarizao direta
proporcionalmente ao produto ID x VD. Este valor uma
constante e depende, basicamente, do volume de silcio
empregado e do encapsulamento. O produto define, no plano
ID = f(VD), o que se chama de Hiprbole de Potncia

A princpio, podemos classificar os diodos em dois grandes


grupos:
Diodos de Sinal Trabalham em baixa potncia
(tipicamente abaixo de 1[W]) e so mais rpidos;
Diodos Retificadores Maior potncia e mais lentos
(freqncia industrial 60 [Hz]). 38
Diodo Semicondutor
Dissipao de Calor Hiprbole de Potncia
O ponto quiescente
(Ponto Q) dever
ID
ficar abaixo da
IDmax hiprbole de potncia
para garantir uma
operao segura do
ID x VD = cte dispositivo (SOA
Esta constante PDMAX Safe Operating
Area).
Q

VT VD 39
Diodo Semicondutor
Folhas de Dados
Basicamente, dois tipos de informao
Absolute Maximum Ratings (Limiting Values) (Valores
Mximos Absolutos ou Valores Limites): Valores que, se
excedidos, provocam a destruio do dispositivo ou a
degenerao de seu comportamento eltrico, diminuindo,
assim, a confiabilidade e a vida til do dispositivo

Electrical Characteristics (Caractersticas Eltricas): Tabelas


com Valores Tpicos e suas disperses, Curvas, Circuitos
Tpicos, que auxiliam o desenvolvimento de um projeto

40
Diodo Semicondutor
Folhas de Dados
Alguns Dados Importantes para Diodos

Mxima Corrente Direta @ Temperatura Especfica


Mxima Tenso Direta @ Temperatura Especfica
Mxima Dissipao de Potncia @ Temperatura Especfica
Faixa de Temperatura de Operao
Nveis de Capacitncia
Tempo de recuperao Reverso
Tenso Direta Tpica @ Nvel de Corrente e Temperatura
Especficos 41
Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148

Informaes Gerais, Aplicaes, Descrio do Dispositivo, etc 42


Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148

Valores Mximos Absolutos (Valores Limites) 43


Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148

Caractersticas
Eltricas

44
Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148

Curvas
Caractersticas

45
Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148

Circuito
Teste

46
Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados Diodo 1N4148

Informaes
Mecnicas

47
Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multmetro Digital

Os multmetros digitais
apresentam, dentro de
sua seo ohmmetro,
uma funo especial
(normalmente identificada
pelo smbolo de um
diodo) que permite
avaliar a condio de
junes PN
48
Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multmetro Digital
Nesta funo, o multmetro injeta uma corrente constante
no diodo sob teste e processa o resultado de forma a dar o
valor da barreira de potencial equivalente quando
polarizado diretamente. Esta corrente situa-se, tipicamente,
na faixa de umas poucas unidades de [mA]
Quando polarizado reversamente, a indicao tal que
representa a impossibilidade de circular corrente pelo diodo
(lembrar que nesta situao ele , idealmente, uma chave
aberta)
Com base nestas indicaes possvel identificar
claramente as condies: diodo em bom estado, diodo em
curto e diodo aberto 49
Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multmetro Digital
Diodo sob Teste
1N4001 Retificador

Polarizado Diretamente
Indicao da Barreira:
556 [mV]

Polarizado Reversamente
Indicao de infinito
No foi possvel circular
corrente pelo diodo
50
Conceito da Linha
de Carga
(Reta de Carga)

51
Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
Para este tipo de anlise preciso ter em mos a curva
caracterstica do dispositivo
Isto pode ser uma desvantagem pois nem sempre
possvel
Contudo, importante conhecer esta anlise (seu
conceito) que extensivamente usada em circuitos com
transistores
possvel traar uma linha que representa o
comportamento para uma determinada carga sobre as
curvas caractersticas
Se a carga linear, esta linha se torna uma reta. Da o
nome Reta de Carga 52
Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
VD

+
V IL = ID
VL
- RL

V VD VL 0 ( KVL) Tem-se a equao de uma reta com


coeficiente angular de 1/RL e
V VD I D . R L 0 interseco com o eixo y em V/RL e em
VD V V com o eixo x. O plano ID x VD seria
ID apropriado para plot-la.
RL RL
53
y a.x b
Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
VD = 0
ID Os pontos de
+
interseco com os
V V/RL eixos correspondem
RL
- Linha de aos extremos de
carga operao do
IDQ Q
dispositivo
VD
Ao ser traar a linha de carga Para ID = 0 tem-se
existir um cruzamento com a curva V
VDQ a condio de um
caracterstica do diodo. Este
cruzamento define o chamado ponto circuito aberto e p/
de operao ou ponto quiescente VD = 0 tem-se a
(representado pela letra Q) e ser a condio de um
soluo para o circuito sob anlise. + ID = 0
Este ponto de operao tambm V curto-circuito
RL
poderia ser obtido usando-se a -
equao de Schockley e a equao 54
resultante da aplicao de KVL.
Anlise Atravs dos Modelos
Circuito Equivalente Ideal

ID
+ VD - ponto Q
VD = 0
ID = V/RL
+
V IL = ID
- RL VL

VD

Lembrando que neste modelo o diodo representado por


uma chave fechada (curto circuito).
55
Anlise Atravs dos Modelos
Circuito Equivalente Aproximado
ID
+ VD -
VT ponto Q
+ - VD = VT
+ ID = (V - VT)/RL
V
IL = ID RL VL
-

VD

VT

O modelo inclui, juntamente com a chave fechada, o valor de


barreira a ser vencido representado pela bateria VT.
56
Anlise Atravs dos Modelos
Circuito Equivalente Linear por Partes
+ VD - ID

VT rAV ponto Q
VD = VT + ID.rAV
+ + - ID = (V - VT)/(RL + rAV)
V
IL = ID RL VL
-

VD

VT

Acrescida a resistncia de corpo e resistncias dos contatos.


Representadas por rAV.
57
Anlise Atravs dos Modelos
Observaes
Utiliza-se a aproximao ideal quando o comportamento do
diodo (ou a sua funo) no circuito est sendo avaliado. So
irrelevantes os nveis de tenso e corrente
A aproximao simplificada a mais utilizada. Na maioria
dos casos, as tenses e resistncias envolvidas so maiores
que VT e muito maiores que rAV o que leva a resultados
bastante satisfatrios
A aproximao linear por partes dever ser usada,
obrigatoriamente, quando as resistncias do circuito forem
da mesma ordem de grandeza de rAV
58
Anlise Atravs dos Modelos
Observaes

A tenso VT que aparece nos circuitos equivalentes no


uma fonte de tenso independente. Ela modela um
efeito que significa o preo a ser pago para se ligar um
diodo. Um diodo isolado no laboratrio no indicar
nenhuma leitura se um voltmetro for conectado aos seus
terminais.

59
Anlise Atravs dos Modelos
Dicas de Anlise
Ao se analisar circuitos com diodos preciso saber em que
regio (direta ou reversa) ele est polarizado

Pode-se substituir o diodo por um resistor e verificar o


sentido da corrente convencional resultante. Se este sentido
coincide com a seta do smbolo do diodo, est polarizado
diretamente. Naturalmente, esta condio ser verdade se as
tenses aplicadas possurem valores superiores a VT

Estando o diodo polarizado diretamente substitua-o pelo


modelo mais adequado e calcule as tenses e correntes
necessrias 60
Anlise Atravs dos Modelos
Dicas de Anlise

Se o sentido de corrente estiver ao contrrio da seta do


diodo o dispositivo estar polarizado reversamente

Substitua o diodo por um circuito aberto e calcule as


tenses e correntes necessrias

Obs:
Sempre que possvel, ter em mos os valores limites
(tenso e corrente) do diodo para avaliar se o dispositivo
esta operando fora de seus limites seguros e garantidos
61