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Moléculas diatómicas polares

Molécula polar

Distribución
simétrica de los Momento dipolar (µ)
electrones
Mayor
electronegatividad
(µ) = q x e x d

- 0,41
e= 1,602 10-19 C µ (C.m)
debyes 1D= 3,336 10- 30 C.m
+0,41

d=92 pm, µ=1,83 D


q = µ / e.d q = (1,83 x 3,336 10- 30 ) C.m / 1,602 10-19 C. 92.10-12 m = 0,41
Momento dipolar molecular
La polaridad es una propiedad molecular

En moléculas poliatómicas, el momento dipolar resultante depende de la


magnitud y de la dirección relativa de todos los momentos dipolares de los
enlaces de la molécula los pares electrónicos sin compartir pueden con contribuir
al momento molecular

δ-

δ+

Los cuatro enlaces son polares, pero


por la simetría de la molécula se
cancelan igual que el efecto de los pares
libres . Molécula no polar
Momento dipolar molecular
Pares de electrones libres X= HoF

δ-

δ+ µ = 1,47 D
µ = 0,24 D
En el caso del NH3 N δ – y H δ+ En el caso del NF3 N δ + y F δ –
en este caso el momento dipolar
resultante se opone al efecto del
par electrónico
Fuerzas de dispersión (de London)

Cuando una molécula es no polar, no existe un dipolo, su nube electrónica es simétrica. Pero como los
electrones están en continuo movimiento, puede suceder que momentáneamente se deforme y se pro-
duzca un dipolo. Esto puede suceder por choques entre moléculas o con las paredes del recipiente. Se dice
que la molécula se polariza, y cuando esto sucede en una molécula, inmediatamente induce a la molécula
vecina a que también se polarice. Continuamente entonces se están formando y destruyendo estos dipolos
temporarios. Cuanto mayor es esa nube electrónica es más fácilmente polarizable y mayor es la fuerza de
London.

Las fuerzas de London existen en todas las moléculas, sean polares o no. En las
moléculas no polares son las únicas fuerzas intermoleculares que existen.
Puentes de hidrógeno

Para que exista unión puente hidrógeno la molécula debe cumplir una
condición: que exista un átomo de hidrógeno unido directamente a un átomo
muy electronegativo (F, O ó N).

Los enlaces de hidrógeno pueden variar en fuerza, desde muy débiles (1-2
kJ mol−1) a extremadamente fuertes (>155 kJ mol−1), como en el ion HF-2
Algunos valores típicos incluyen:
F—H...F (155 kJ/mol)
O—H...N (29 kJ/mol)
O—H...O (21 kJ/mol)
N—H...N (13 kJ/mol)
N—H...O (8 kJ/mol)
HO—H...:OH3+ (18 kJ/mol )
Enlace iónico

Las sustancias covalentes a temperatura ambiente pueden ser sólidas, líquidas o


gases, en cambio, todos los compuestos iónicos son sólidos y tienen las siguientes
propiedades:
•Los cristales de los compuestos iónicos son duros y frágiles
•Los compuestos iónicos tienen puntos de fusión altos
•Cuando se calientan al estado de fusión (si no se descomponen), conducen la
electricidad
•La mayoría de los compuestos iónicos se disuelven en disolventes muy polares
(como el agua) y, cuando lo hacen, la solución es eléctricamente conductora.
Enlace iónico

La formación de iones a partir de átomos metálicos normalmente implica la pérdida


de electrones externos, por lo que el catión es mucho más pequeño que el átomo
original debido al aumento de la carga nuclear efectiva.
El caso de los aniones es a la inversa, el ión negativo es más grande que el átomo
correspondiente

Átomo Radio metálico Ion Radio iónico Ion Radio (pm) Ion Radio
(pm) (pm) (pm)
Li 157 Li+ 59 N3- 132 F- 117
Na 191 Na+ 102 O2- 124 Cl- 167
K 235 K+ 138 F- 117 Br- 182
Rb 250 Rb+ 149 I- 206
Cs 272 Cs+ 170
Enlace iónico

Los radios iónicos del catión y del anión

Distancia internuclear entre un catión y el anión más próximo en


una red = r. catión + r.anión (1)
Esta ecuación supone un modelo de esferas rígidas para los iones,
con iones de carga opuesta en contacto entre sí en la red cristalina.
El uso de dicha aproximación significa que la asignación de radios
individuales es arbitraria . Los más sencillos son los de Landé y los
de Pauling.
Enlace iónico

Landé supuso que en las estructuras en estado sólido de los haluros de Li, los aniones
estaban en contacto entre sí y tomó la mitad de cada distancia anión-anión como radio de
ese anión y utilizando la relación (1) con los valores de rLi+ se calcula la distancia “d”
internuclear Li—X
Pauling consideró una serie de metales alcalinos cuyos miembros contienen
iones isoelectrónicos (NaF, KCl, RbBr, CsI). Para repartir los radios iónicos supuso
que el radio de cada ión era inversamente proporcional a su carga nuclear real,
menos una cantidad debida a los efectos de apantallamiento.
Enlace iónico

Reglas de relación de radios

Las estructuras de muchos cristales iónicos pueden deducirse considerando el


tamaño relativo y el número relativo de los iones presentes. Para iones
monoatómicos, los cationes son en general de menor tamaño que los aniones (KF y
CsF son excepciones). La relación de radios r+/r- puede utilizarse para hacer una
aproximación del número de coordinación y de la geometría alrededor del catión:

Valor r+/r- Número de coordinación Geometría de coordinación


del catión
≤ 0,15 2 Lineal
0,15-0,22 3 Trigonal plana
0,22-0,41 4 Tetraédrica
0,41-0,73 6 Octaédrica
> 0,73 8 Cúbica
Enlace metálico

La característica esencial de los metales es su conductividad eléctrica


tridimensional. Los átomos de los metales casi siempre comparten
electrones externos con los átomos vecinos. El libre movimiento de los
electrones en toda la estructura metálica es lo que explica la alta
conductividad eléctrica y térmica de los metales, así como su gran
reflectividad. La gran maleabilidad y ductilidad de los metales se explica
por la ausencia de enlaces direccionales.
El punto de fusión de los metales varía desde –39º C en el caso del
mercurio hasta 3410 ºC para el tungsteno.
Los metales fundidos siguen conduciendo el calor y la electricidad,
esto muestra que siguen conservando en estado líquido los enlaces. No
así en estado gaseoso, donde pierden las propiedades metálicas.
Enlace metálico

El modelo más simple de enlace metálico es el mar de


electrones. En este modelo, los electrones de valencia
tienen libertad de movimiento por toda la estructura del
metal e incluso pueden salir de él con la consecuente
producción de iones positivos. Por lo tanto, los electrones de
valencia son los que conducen la corriente eléctrica y es el
movimiento de los mismos lo que transfiere el calor. Es un
modelo muy simple que no permite hacer predicciones.
Enlace metálico

La teoría del orbital molecular nos da una herramienta para formular un modelo más
completo. La extensión del CLOA a la explicación del enlace metálico se la conoce como
teoría de bandas.
Supongamos que se forma la molécula de Li2. El diagrama de orbitales moleculares
que muestra la combinación de dos orbitales atómicos 2s
Enlace metálico

Si ahora se combinan cuatro átomos de litio se formarán dos orbitales adicionales,


uno enlazante y otro antienlazante. Los nuevos orbitales moleculares no pueden
tener la misma energía que los anteriores, ya que los orbitales sigmas no pueden
ser degenerados.
Enlace metálico

En un cristal metálico grande están mezclados los orbitales de n átomos, donde n es


un número enorme. Estos orbitales interactúan en las tres dimensiones del cristal
metálico, son aplicables los mismos principios de formación de enlaces. Habrá la n/2
orbitales moleculares 2s (enlazantes) y n/2 orbitales moleculares *2s
(antienlazantes). Con un número tan grande de niveles de energía la separación
entre los mismos se reduce tanto que prácticamente constituyen un continuo que se
conoce como banda. En el caso del Li, la banda derivada de los orbitales atómicos 2s
está llena a la mitad, es decir la parte 2s está ocupada y la parte *2s está vacía.
Enlace metálico

Se puede explicar la conductividad eléctrica y calórica con la posibilidad


de que un electrón con una cantidad infinitamente pequeña de energía
pueda alcanzar la banda vacía, en estas condiciones el electrón puede
moverse libremente por toda la estructura metálica. En realidad el
fenómeno es más complejo y requiere otro tipo de conocimientos.
Como la diferencia entre los distintos niveles es muy pequeña los
electrones pueden absorber energía en un amplio espectro y al volver al
estado basal emitir luz, este es el principio que permite explicar el
fenómeno de reflectividad o brillo de los metales, fenómeno que la teoría
del mar de electrones no puede explicar.
Semiconductores

Si y Ge son incapaces de formar enlaces p π por lo que sólo presentan


estructura diamante y no estructura tipo grafito
En la estructura diamante todos los electrones se encuentran en enlaces
covalentes localizados y por lo tanto no pueden conducir la corriente
eléctrica
En el Ge y Si, sin embargo los electrones enlazantes son atraídos con
menor fuerza debido al apantallamiento de los electrones internos
Si estos elementos se calienta o se exponen a la luz, o se adicionan
ciertas impurezas se liberan más electrones la conductividad aumenta
Estas sustancias se denominan semiconductores
El Ge y el Si puros tiene una capacidad natural o inducida de ser
semiconductores y se denominan semiconductores intrínsecos
Semiconductores

Para explicar estas propiedades recurrimos a la teoría de bandas

Todos los electrones


de valencia están en
enlaces covalentes

Estos electrones ocupan una banda de valencia llena. En esta


configuración el material no puede conducir electricidad
Semiconductores

Cuando los electrones se liberan de los enlaces covalentes, ocupan la banda de conducción
porque son móviles y libres para moverse de un lugar a otro en la red

La banda de valencia
está ocupada por menos
electrones

Cuando los electrones se mueven a la banda de conducción, dejan


algunos “huecos” en los enlaces covalentes y , por tanto, en la
banda de valencia
Semiconductores

Cuando se aplica una diferencia de potencial al cristal, los electrones pueden saltar de hueco
a hueco y en ese sentido transportar la corriente

Cuando un electrón de valencia se mueve para llenar un hueco, aparece otro hueco de
donde sale, mientras los electrones se mueven en una dirección, los huecos parecen
moverse en la dirección contraria
Semiconductores

A un semiconductor intrínseco se puede añadir “dopar” con impurezas para


aumentar se conductividad. Si se agrega un elemento del grupo 15 (generalmente
P o As) sustituyendo un Si o Ge en la red, aporta un electrón extra a la banda de
conducción, generando un
“ semiconductor tipo n”
Semiconductores

A un semiconductor intrínseco se puede añadir “dopar” con impurezas para


aumentar se conductividad. Si se agrega un elemento del grupo 13 (generalmente
B o Ga) sustituye un Si o Ge, este tipo de impureza genera un déficit de un
electrón y por lo tanto genera un hueco extra en la banda de valencia. Los
electrones y los huecos pueden moverse bajo la influencia de un campo eléctrico
aplicado y el material es un “ semiconductor tipo p”

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