Universidad de Oviedo

Lección 5

EL MOSFET DE POTENCIA

Sistemas Electrónicos de Alimentación

5º Curso. Ingeniería de Telecomunicación
 Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de MetalÓxido
Semiconductor

• El nombre hace mención a la estructura interna: Metal Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

• Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo

de portador
• Los usados en Electrónica de potencia son de tipo “acumulación”

D D
EL MOSFET DE POTENCIA

G G
S S
Canal N Canal P
Conducción debida Conducción
a electrones debida a huecos

• Los más usados son los MOSFET de canal N

• La conducción es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad ⇒ menores resistencias de canal en conducción
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

• Curvas características del MOSFET

Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+
VGS = 4,5V
G VDS
+ S 4
EL MOSFET DE POTENCIA

V GS = 4V
VGS
VGS = 3,5V
Referencias normalizadas
2 V GS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
Curvas de entrada:
No tienen interés (puerta aislada del canal)
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

• Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
V GS = 4,5V
2,5KΩ
4 V GS = 4V
D
+
VGS = 3,5V
G VDS
S 10 2 VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA

V VGS = 2,5V
VGS
0 4 8 1 VDS [V]
2GS < VTH = 2V
V
VGS = 0V < < 3V < < <
2,5V 3,5V 4V 4,5V
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

(sin interés en electrónica de potencia)

Comportamiento como circuito abierto

 Ideas generales sobre los MOSFETs

• Precauciones en el uso de transistores MOSFET

-El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
-El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de
los dedos. A veces se integran diodos zener de protección
-Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA

S G D D

N+ N+
P G
S

Substrat
 Estructura de los MOSFETs de Potencia

• Están formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
• Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fácilmente
• Algunas celdas posibles

Fuent Fuent Puert

Puert
EL MOSFET DE POTENCIA

e e a
a
n+ n+ n+ p
p n
n
n+ S
n+ G
Drenado
Drenado Erstructura en
Erstructura trinchera D
planar (V MOS)
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

• En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

encapsulados axiales)

• Existe gran variedad

• Ejemplos: MOSFET de 60V
EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=9,4mΩ, ID=12A
RDS(on)=12mΩ, ID=57A

RDS(on)=5,5mΩ, ID=86A RDS(on)=9mΩ, ID=93A

RDS(on)=1.5mΩ, ID=240A
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

• Otros ejemplos de MOSFET de 60V

EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=3.4mΩ, ID=90A
 Características fundamentales de los MOSFETs de potencia
1ª Máxima tensión drenadorfuente
2ª Máxima corriente de drenador 3ª
Resistencia en conducción
4ª Tensiones umbral y máximas de puerta
5ª Velocidad de conmutación

1ª Máxima tensión drenadorfuente

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
EL MOSFET DE POTENCIA

la fuente) y el drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
 1ª Máxima tensión drenadorfuente

• La máxima tensión drenadorfuente de representa como VDSS o

como V(BR)DSS

• Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
EL MOSFET DE POTENCIA

30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000
60 V V
80 V
 2ª Máxima corriente de drenador
• El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua máxima ID
- Corriente máxima pulsada IDM
EL MOSFET DE POTENCIA

• La corriente continua máxima I D depende de

la temperatura de la cápsula (mounting base
aquí)

A 100ºC,
ID=23·0,7=16,1
A
 3ª Resistencia en conducción

• Es uno de los parámetro más importante en un

MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo

• Se representa por las letras RDS(on)

• Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
• Para un dispositivo particular, decrece con la tensión
de puerta. Este decrecimiento tiene un límite.
EL MOSFET DE POTENCIA

Drainsource On Resistance, RDS(on) (Ohms)

 3ª Resistencia en conducción

• Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,

RDS(on) crece con el valor de VDSS
EL MOSFET DE POTENCIA
 3ª Resistencia en conducción

• En los últimos tiempos se han mejorado sustancialmente los

valores de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (6001000
V)

MOSFET de ≈1984
EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de los años 2000

 4ª Tensiones umbral y máximas de puerta
• La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conducción entre drenador y fuente
• Los fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO) como la tensión
puertafuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
• Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 24 V
EL MOSFET DE POTENCIA
 4ª Tensiones umbral y máximas de puerta

• La tensión umbral cambia con la temperatura

EL MOSFET DE POTENCIA
 4ª Tensiones umbral y máximas de puerta
• La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es
típicamente de ± 20V
EL MOSFET DE POTENCIA
 5ª Velocidad de conmutación
• Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos
usados en electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
• Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción unipolar. En
ellos, los niveles de corriente conducida no están asociados al aumento
de la concentración de portadores minoritarios, que luego son difíciles
de eliminar para que el dispositivo deje de conducir
• La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las capacidades
EL MOSFET DE POTENCIA

parásitas del dispositivo

• Hay, esencialmente tres:
- Cgs, capacidad de lineal D
- Cds, capacidad de transición Cds ≈k/(VDS)1/2 Cdg
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante
G Cds
S
Cgs
 5ª Velocidad de conmutación
• Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran información de tres
capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 (≈ capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidadMiller)
- Coss = Cds + Cdg (≈ capacidad de salida)
EL MOSFET DE POTENCIA

Coss

Ciss
 5ª Velocidad de conmutación
• Ejemplo de información de los fabricantes
EL MOSFET DE POTENCIA

Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg
 5ª Velocidad de conmutación

• La carga y la descarga de estas capacidades parásitas generan

pérdidas que condicionan las máximas frecuencias de conmutación
de los MOSFET de potencia

Carga y descarga de un condensador desde una

resistencia
• En la carga de C:
Energía perdida en R = 0,5CV12
V1 R Energía almacenada en C = 0,5CV12
EL MOSFET DE POTENCIA

C
• En la descarga de C:
Energía perdida en R = 0,5CV12

• Energía total perdida: CV12 = V1QCV1

• Además, en general estas capacidades parásitas retrasan las

variaciones de tensión, ocasionando en muchos circuitos
convivencia entre tensión y corriente, lo que implica pérdidas en el
proceso de conmutación
 5ª Velocidad de conmutación

• Análisis de una conmutación típica en conversión de energía:

- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
- Suponiendo diodo ideal
EL MOSFET DE POTENCIA

IL

Cdg

Cds V2
V1 R
Cgs
 5ª Velocidad de conmutación

• Situación de partida:
Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conducción
Por tanto: ➢ vDG = V2, vDS = V 2 y vGS = 0
➢ iDT = 0 y i D = I L

En esa situación, el
interruptor pasa de “B” a
“A” IL
EL MOSFET DE POTENCIA

iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
+
A vDS V2
V1 R + Cds
B
vGS
Cgs
 5ª Velocidad de conmutación
• iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)

vGS • vDS = V 2 hasta que iDT = I L

B
→
A
V GS(TO)
Pendiente determinada
vDS por R, C gs y porCdg(≈V2)
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
+
A vDS V2
V1 R + + Cds
B
vGS
Cgs
 5ª Velocidad de conmutación
• La corriente que da V1 a través de R
se emplea fundamentalmente en
vGS descargar Cdg ⇒ prácticamente no
B
→
A circula corriente por Cgs ⇒ vGS = Cte
V GS(TO)

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg + +
+
A vDS V2
V1 R + + Cds
B
vGS
Cgs
 5ª Velocidad de conmutación
• Cgs y Cdg se continúan

vGS V1
B
→
A Constante de tiempo
V GS(TO) determinada por R, Cgs y por
Cdg(≈V1)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg +
+
A vDS V2
V1 R + + Cds
B
vGS
Cgs
 5ª Velocidad de conmutación

vGS V1
B
→
A VM • Valoración de pérdidas entre t0 y
V GS(TO)
t2:
vDS
Hay que cargar C gs (grande) y
descargar Cdg (pequeña) VM voltios
Hay convivencia tensión
EL MOSFET DE POTENCIA

corriente entre t1 y t2
iDT iDT
IL

≈iDT
Cdg + + +
t0 t1 t2 t3
PVI vDS V2
+ + Cgs Cds
vGS
 5ª Velocidad de conmutación
• Valoración de pérdidas entre t2 y t3:
vGS V1 - Hay que descargar Cds hasta 0 e
B invertir la carga de Cdg desde V2VM
→
A VM hasta VM
V GS(TO)
- Hay convivencia tensión corriente
vDS entre t2 y t3

iCdg+iCds+IL
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT iCdg iDT = IL

IL
iCds
Cdg + + +
t0 t1 t2 t3
IL
PVI vDS
+ + Cgs Cds
vGS
 5ª Velocidad de conmutación
• Valoración de pérdidas a partir de t3:
vGS V1 - Hay que acabar de cargar C y C dg
gs
B
VM hasta V1
→
A
V GS(TO)
-No hay convivencia tensión
vDS corriente salvo la propia de las
pérdidas de conducción
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT iCdg iDT = IL

IL

≈i
Cdg L +
t0 t1 t2 t3
+ IL
PVI vDS
+ + Cgs Cds
vGS
 5ª Velocidad de conmutación

• Valoración de la rapidez de un dispositivo por la

“carga de puerta”: vGS
- La corriente que da la fuente V 1 es aproximadamente
constante entre t 0 y t3 (comienzo de una exponencial,
con I V1 ≈V1/R)
- De t 0 a t2 , la corriente I V1 se ha encargado
esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una iV1 Qdg
carga eléctrica Qgs
Qgs
- De t 2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la
EL MOSFET DE POTENCIA

carga de Cdg. Se ha suministrado una carga eléctrica Qdg

- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Q g t0 t2 t3
es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg)
-Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R), Qg
cuanto menores sean Qgs , Qdg y Q g más rápido será el
transistor
iV1 R
- Obviamente t2t0 ≈QgsR/V1, t3t2 ≈QdgR/V1 y P V1 = V1QgfS,
siendo fS la frecuencia deconmutación
V1
 5ª Velocidad de conmutación
• Valoración de la rapidez de un dispositivo por la “carga de puerta”:
Información de los fabricantes

IRF
540

BUZ8 MOSFET de ≈1984

EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de los años 2000

 5ª Velocidad de conmutación

• Otro tipo de información suministrada por los

fabricantes: conmutación con carga resistiva

VDS VGS
90%

10%
EL MOSFET DE POTENCIA

td on tr td off tf iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
tr : tiempo de subida +
RG vDS
td off : retraso de apagado G
+ + S
tf : tiempo de bajada
vGS
 5ª Velocidad de conmutación

• Otro tipo de información suministrada por los

fabricantes: conmutación con carga resistiva

IRF
540
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
tr : tiempo de subida +
RG vDS
td off : retraso de apagado G
+ + S
tf : tiempo de bajada
vGS
 Pérdidas en un MOSFET de potencia
• Pérdidas por convivencia tensión corriente entre drenador y fuente

vGS

vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2

EL MOSFET DE POTENCIA

Pconm = fS(won + w off)

iDT

PVI Won Pérdidas en conmutación

Pérdidas en
conducción Woff
 Pérdidas en un MOSFET de potencia

• Pérdidas en la fuente de gobierno

iV1

vGS V1 R

Circuito
iV1 Qdg
EL MOSFET DE POTENCIA

teórico
Qgs
iV1

t0 t2 t3 V1
Qg
RB
PV1 = V1QgfS
Circuito
real
 El diodo parásito de los MOSFETs de potencia
El diodo parásito suele tener malas características, sobre
todo en MOSFETs de alta tensión

IRF
540
EL MOSFET DE POTENCIA

G
S
 El diodo parásito de los MOSFETs de potencia

El diodo parásito en un MOSFET de alta tensión

EL MOSFET DE POTENCIA
 Características térmicas de los MOSFETs de potencia

• Es válido todo lo comentado para los diodos de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

• Este fabricante denomina “mounting base” a la cápsula

y suministra información de la RTHja = RTHjc + RTHca