INSTITUTO TECNOLÓGICO DE SAN ANDRES TUXTLA

CARRERA:ING MECATRONICA

MATERIA: ELECTRONICA ANALOGICA

TEMA:TRANSISTOR FET (Field Effect Transistor)

GRUPO: 511-A

DOCENTE: DOC.JOSE ANGEL NIEVES VASQUEZ

INTEGRANTES:
JULIO CESAR RODRIGUEZ REYES
RICARDO ISAI RENDON ARRES
SAMUEL CORTES ALVARADO
LEOBARDO ANTELE MÁLAGA
ISRAEL DE JESÚS ARRONIZ ROMERO
10-NOVIEMBRE-2015
 TRANSISTOR FET(Field Effect Transistor)
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita
de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por
un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una
conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.
Símbolos gráficos para un FET de canal N

D = Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los

portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los
huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los
portadores.
G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se
controla la corriente de portadores a través del canal.
Símbolos gráficos para un FET de canal P
 Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el
método de aislamiento entre el canal y la puerta:
 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
 El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con
una barrera Schottky.
 En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la
banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del
transistor.
 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
 Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun
así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-
fuente de 1 a 200V.
 Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del
transistor.
 Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta
fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales
TRANSISTORES DE UNIÓN DE EFECTO DE CAMPO.
(JFET)
 POLARIZACION TIPO N
 Para el funcionamiento más habitual, los transistores de canal n se polarizan
aplicando una tensión positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión
negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta forma, la corriente circulará en el
sentido de drenador a fuente.

SIMBOLO
 POLARIZACION TIPO P
 En el caso del JFET de canal p la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la
tensión VGS positiva, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente
hacia el drenador.

SIMBOLO
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL
ÓXIDO SEMICONDUCTOR. (MOSFET)
DEPLEXION ACUMLACION
MOSFET
 La zona roja representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso
óxido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una
zona metálica (correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y una zona de
semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de donde le viene el nombre al
dispositivo de Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este dispositivo tendría un
cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente éste se encuentra
conectado a la fuente. }
 Es preciso que notemos una característica fundamental de este dispositivo y es que la
puerta está aislada eléctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexión eléctrica
entre la puerta y el sustrato.
POLARIZACION DE TIPO N
POLARIZACION DE TIPO P
APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,

(buffer) alta y de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo para
Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV,equipos
Mezclador
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar Receptores, generadores de
CAG ganancia señales
Baja capacidad de Instrumentos de medición, equipos
Amplificador cascodo
entrada de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
voltaje
tono

Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,

frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,
Oscilador
frecuencia receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias
 REFERENCIAS

 http://delegacion.etsiae.upm.es/index.php/segundo/eau-electronica-y-automatica/152-eau-
apu-apuntes-transistores/file
 http://www.ifent.org/Lecciones/fet/default.htm
 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo