Materiales semiconductores y

diodos
• Obtener una comprensión básica de algunas propiedades de los materiales
semiconductores, los tipos de portadores de carga y los mecanismos que
generan corriente en un semiconductor
• Determinar las propiedades de una unión PN incluyendo las características
corriente-voltaje de un diodo de unión
• Examinar las técnicas de análisis de circuitos con diodos
• Desarrollar un circuito equivalente para un diodo
Historia
• 1904 Fleming inventa el primer dispositivo amplificador: el triodo de
vacío
• 1906 Pickard desarrolla el diodo de estado sólido de punto de
contacto
• Entre 1907 y 1927 se desarrollan los primeros circuitos de radio con
diodos y triodos
• 1920 Amstrong inventa el receptor superheterodino
• 1925 demostración de la televisión
• 1925 Lilienfield el dispositivo de efecto de campo
• 1933 Modulación de frecuencia y el radar en 1940
Historia de la Electrónica
• 1947 Barden, Bratain y Shockley inventan el transistor de silicio y
comienza la primera revolución electrónica
• 1950 demostración de la televisión a color
• 1952 Shockley, invención del transistor de efecto de campo unipolar
• 1956 Bell laboratorios desarrolla el tiristor o SCR
• 1958 General Electric desarrolla el primer tiristor comercial
• 1958 Desarrollo del primer circuito integrado (CI), por kilby en Texas y
Noyce y Moore en Fairchild
• 1968 Fairchild desarrolla el primer circuito integrado comercial µA709
• 1971 Intel desarrolla el microprocesador 4004
• 1972 Intel desarrolla el primer microprocesador de 8 bits
Introducción
• Dispositivos pasivos y activos
• Circuitos electrónicos

• Circuitos discretos e integrados

Señales analógicas y digitales

• Notación
Materiales semiconductores y propiedades

Modelo atómico de Bohr

Tabla periódica de los elementos
Enlaces covalentes
Enlace covalente del GaAs
Niveles de energía
Corriente en los semiconductores
• Portadores intrínsecos ni
Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P
La relación fundamental entre las concentraciones de electrones y de
huecos en un semiconductor en equilibrio térmico está dado por:
• nopo = ni2
• Donde no es la concentración de electrones libres en equilibrio térmico, po es
la concentración de huecos en equilibrio térmico y ni es la concentración de
portadores intrínsecos
• Si la concentración de donadores Nd es mucho mayor que la concentración
intrínseca, se puede aproximar: no ≈ Nd
• Entonces la concentración de huecos será: po = ni2/Nd
• Si la concentración de receptores es Na es mucho mayor que la concentración
intrínseca, se puede aproximar: po ≈ Na
• Entonces la concentración de electrones será: no = ni2/Na
Corrientes de arrastre y difusión
• Los dos procesos básicos que ocasionan que los electrones y los
huecos se muevan en un semiconductor son:
a) Arrastre, el cual es el movimiento causado por campos eléctricos
b) Difusión, es el flujo ocasionado por las variaciones en la concentración

• La densidad dela corriente de arrastre está dado por

La unión PN
La unión PN en equilibrio
Sin polarización aplicada (V= 0 V)
Unión PN polarizada inversamente (VD < 0V)

La corriente en condiciones de polarización inversa se llama corriente de saturación inversa y está

representada por Is
Unión PN polarizada directamente (VD > 0V)
Características del diodo semiconductor de Silicio
Región Zener
Efectos de la temperatura
Circuitos equivalentes del diodo
• Diodo ideal
Técnicas de iteración y de análisis gráfico
Circuitos equivalentes del diodo
• Circuito lineal equivalente por segmentos
Circuito equivalente simplificado
Circuitos con diodo: análisis en CA y circuito equivalente
• Análisis senoidal
• Relaciones voltaje
corriente
Otros tipos de diodos
• Celdas solares

• Fotodiodos
• Light Emitting Diode (LED)
Diodo de barrera Schottky
Diodo Zener