Aula 1 - Transistores de

Eletrônica Analógica efeito de campo de

junção

1
 Plano de ensino
1. Transistores de efeito de campo de junção (JFET), comparativo com (TBJ),
construção, características, folha de especificações, identificação, teste e
aplicações do JFET, MOSFET Tipo Depleção e MOSFET Tipo Intensificação.
2. Circuito de polarização fixa do transistor de efeito de campo de junção
(JFET), definição de polarização, cálculo da tensão VGS, da corrente de dreno
(ID), uso do gráfico da curva do JFET para a determinação de IDq e VGSq.
3. Circuito de autopolarização do transistor de efeito de campo de junção
(JFET), cálculo da tensão VGS, da corrente de dreno (ID), uso do gráfico da
curva do JFET para a determinação de IDq e VGSq, verificação de defeitos.
4. Circuito de polarizaão por divisor de tensão do transistor de efeito de
campod e junção (JFET), cálculo da tensão VGS, da corrente de dreno (ID),
uso do gráfico da curva do JFET para a determinação de IDq e VGSq,
verificação de defeitos.28 2
 Plano de ensino
5. Circuito amplificador de pequenos sinais com JFET, cálculo do ganho de
tensão, impedância de entrada e impedância de saída, análise DC e AC
aplicando o teorema da Superposição, análise de defeitos, simulação no
Proteus.
6. Amplificador Operacional, Estudo do par diferencial com TBJ e suas
características: Ganho de tensão diferencial
7. Amplificador Operacional, Amplificadores Inversor e não-inversor, circuito
diferenciador, integrador e buffer - seguidor de tensão, circuito somador e
subtrator
8. Amplificador Operacional, Aplicações Lineares e Não-lineares do AMPOP e
Noções de filtros ativos com AMPOP
9. Amplificadores Operacionais, resposta em frequência do Amp-Op, operação
do Amp-Op para grandes sinais 3
 Plano de ensino
10. Circuitos práticos, especificações, pinagem, tensão de alimentação,
fabricantes, análise computacional, simulação no Proteus, aplicações e análise
de defeitos do CI analógico amplificador operacional 741.
11. aplicações e análise de defeitos do CI analógico temporizador e oscilador
555.
12. aplicações e análise de defeitos do CI analógico regulador de tensão 78xx e
79xx.
13. aplicações e análise de defeitos do CI analógico ponte h com modulação por
largura de pulso (PWM) L298.
14. aplicações práticas e análise de defeitos do CI analógico acoplador óptico
4N25.

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Plano de ensino
Bibliografia Básica
SEDRA, A. S.; SMITH, K.C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books,
2000.
PERTENCE Jr., Antônio. Amplificadores Operacionais e Filtros Ativos. São
Paulo: Bookman, 2003.
BOYLESTAD, Robert. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São
Paulo: Saraiva, 2004.
SEDRA, A. S.; SMITH, K.C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books,
2000.
PERTENCE Jr., Antônio. Amplificadores Operacionais e Filtros Ativos. São
Paulo: Bookman, 2003.
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 Objetivo da Aula

Conhecer a estrutura e operação do

Transistor de efeito de campo de junção.

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 Conteúdo Programático

Estrutura do JFET;
Funcionamento;
Curva Característica de saída.

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 DEFINIÇÃO

FET é o acrônimo em inglês de Field Effect

Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o
próprio nome diz, funciona através do efeito de um
campo elétrico na junção.

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Divisão dos Transistores

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Principal Diferença entre Transistores

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Principal Diferença entre Transistores

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Principal Diferença entre Transistores

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Principal Diferença entre Transistores

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Sugestão de Aplicação

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Similaridades entre transistores

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Similaridades entre transistores

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Transistores FET em diferentes encapsulamentos

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Construção do JFET

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Efeito de Campo

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Construção do JFET

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Ex1: Existem três eletrodos em um transistor
FET, que são
a) emissor, base e coletor.
b) dreno, emissor e ânodo.
c) fonte, porta e dreno.
d) cátodo, ânodo e fonte.
e) coletor, dreno e eletrólito.

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O circuito da Figura abaixo representa um medidor de temperatura. Foram
selecionados 2 trechos desse circuito (1 e 2), sendo que o trecho 1 representa um
subcircuito completo, e o trecho 2, um dispositivo transdutor.

A função do circuito do trecho 1 e o transdutor usado no trecho 2 são,

respectivamente:
a) amplificador operacional e strain gage
b) fonte regulada e termistor
c) fonte controlada e FET
d) LED e termistor
e) termistor e fonte controlada 30
Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET
Do mesmo modo que várias curvas
para IC versus VCE foram
estabelecidas para diferentes
valores de IB no transistor TBJ, as
curvas de ID versus VDS para vários
valores de VGS podem ser
desenvolvidas para o JFET.

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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 Exercício
Utilizando as curvas
características da Figura,
determine ID para os
seguintes valores de VGS
(com VDS > VP):
a) VGS = 0 V
b) VGS = –1 V
c) VGS = –2 V
d) VGS = –3 V
e) VGS = – 4 V
f) VGS = – 6 V

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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EXERCÍCIO:
Para um JFET de canal n, com ro igual a 10
kΩ,
VGS = -3 V e Vp = – 6 V, quanto é o rd

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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Análise do JFET

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EXERCÍCIO
Usando a equação de Shockley, se substituirmos VGS = –1 V, temos
quanto de corrente de dreno? Considere IDSS é constante e igual 8mA,
assim como VP = -4 V

Resp: 4,5 mA
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EXERCÍCIO
Esboce a curva de transferência definida por IDSS = 12 mA e VP = – 6 V.

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EXERCÍCIO – questão da Petrobrás
Normalmente o FET é polarizado para operar após o estrangulamento na região
de saturação da corrente, onde o dispositivo tem sua operação definida mais
facilmente pela equação de Schockley.

Considerando um FET canal n com tensão de estrangulamento = - 3 V, corrente

de saturação = 10 m A e tensão de polarização = 1,8 V, a corrente de dreno, em
m A, vale:
a) 0,8.
b) 0,9.
c) 1,0
d) 1,5.
e) 1,6.

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Folha de Dados para o JFET

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Folha de Dados para o JFET

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Folha de Dados para o JFET

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Região de Operação do JFET

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Relações importantes

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 MOSFET - transistor de efeito de campo
metal-óxido-semicondutor

• Elemento de memória em circuitos digitais.

• Chave de alta velocidade e alta potência.
• Amplificador de sinal de RF
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MOSFET - transistor de efeito de campo
metal-óxido-semicondutor
• Os MOSFETs subdividem-se em dois
tipos:
• de depleção e
• de intensificação.

Não há conexão elétrica direta

entre o terminal de porta e o
canal de um MOSFET.
A porta permanece isolada do canal n por
uma camada muito fina de dióxido de
silício (SiO2), um tipo particular de isolante,
63
denominado dielétrico
Operação básica e curvas características
MOSFET depleção
• MOSFET tipo depleção de
canal n com VGS = 0 V e uma
tensão VDD aplicada.

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Operação básica e curvas características
MOSFET depleção
• Curvas características de dreno e curva de transferência para um
MOSFET tipo depleção de canal n.

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 Operação básica e curvas características
MOSFET depleção
• O espaçamento vertical entre as curvas VGS = 0 V e VGS = + 1 V
• A aplicação de uma tensão VGS = +4 V resultaria em uma corrente de
dreno de 22,2 mA

a região de tensões
positivas de porta nas
curvas características de
dreno ou na curva de
transferência é chamada de
região de intensificação;

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Operação básica e curvas características
MOSFET depleção
• EXEMPLO: Esboce a curva de transferência para um MOSFET tipo
depleção de canal n com IDSS = 10 mA e VP = – 4 V.

É particularmente interessante e útil

saber que a equação de Shockley
pode ser aplicada às características
do MOSFET tipo depleção tanto nas
regiões de depleção quanto nas de
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intensificação
Operação básica e curvas características
MOSFET depleção
• EXEMPLO: Esboce a curva de
transferência para um MOSFET tipo
depleção de canal n com IDSS = 10
mA e VP = – 4 V.

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Operação básica e curvas características
MOSFET depleção
• Os símbolos gráficos de um MOSFET dos tipos depleção de canal n e p
são mostrados na Figura

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Folha de dados para um MOSFET tipo depleção

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MOSFET tipo intensificação
• A curva de transferência não é definida pela equação de Shockley,
• A corrente de dreno para esse dispositivo é nula até a tensão porta-
fonte atingir determinado valor.
• O controle da corrente nesse dispositivo de
canal n é realizado por uma tensão positiva
porta-fonte, o que não ocorre com o JFET
de canal n e com o MOSFET tipo depleção
de canal n, onde esse controle é feito por
tensões negativas.
• Não existe um canal entre as duas regiões
dopadas do tipo n.

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MOSFET tipo intensificação
Operação básica - Saturação
• Se VGS é igual a 0 V e uma tensão é
aplicada entre o dreno e a fonte do
dispositivo da Figura, a ausência de um
canal n (com uma quantidade generosa de
portadores livres) resultará em uma
corrente efetiva de 0 A

Depleção dos portadores majoritários (lacunas)

e aproximação dos portadores minoritários
(elétrons).

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 MOSFET tipo intensificação
Operação básica - Saturação
• Conforme VGS aumenta de valor, a concentração
de elétrons próximo da superfície de SiO2 se
intensifica até um nível em que a região induzida
tipo n possa suportar um fluxo mensurável entre
o dreno e a fonte.
• O nível de VGS que produz um aumento
significativo da corrente de dreno é chamado de
tensão de limiar, representado pelo símbolo VT.
• Visto que o canal não existe com VGS = 0 V e é
“intensificado” pela aplicação de uma tensão
porta-fonte positiva, esse tipo de MOSFET é
chamado de MOSFET tipo intensificação.
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MOSFET tipo intensificação
Operação básica - Saturação
• VDS alto e VGS constante, inicia-se o processo de saturação. A partir
deste ponto, IDS = cte..
Para VGS fixo, à medida que
aumenta VDS, diminui VDG, o
que reduz a quantidade de
portadores livres (elétrons)
nesta região.

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MOSFET tipo intensificação
Operação básica - Saturação

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MOSFET tipo intensificação
Operação básica – Saturação

Para VGS > VT e VDS > VDSsat, tem-se:

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MOSFET tipo intensificação
Operação básica – Saturação

Esboço da curva
característica de
transferência de um
MOSFET tipo
intensificação de canal
n a partir das curvas
características do
dreno.

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MOSFET tipo intensificação de canal p

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MOSFET tipo intensificação
• EXEMPLO: Utilizando os dados fornecidos na folha de dados e uma
tensão média de limiar de VGS(Th) = 3 V, determine:
a) O valor resultante de k para o MOSFET.
b) A curva característica de transferência.

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MOSFET tipo intensificação
• EXEMPLO: Utilizando os dados fornecidos na folha de dados e uma
tensão média de limiar de VGS(Th) = 3 V, determine:
a) O valor resultante de k para o MOSFET.
b) A curva característica de transferência.

VGS = 8 V 1,525 mA, VGS = 12 V  4,94mA

VGS = 10 V  3mA VGS = 14 V  7,38 mA, 80
MOSFET tipo intensificação – Questão de concurso

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82
 MOSFET tipo intensificação – Questão de Concursp
• Atualmente, o circuito integrado mais empregado em eletrônica analógica é o
amplificador operacional. Normalmente, esses amplificadores são compostos de
vários estágios, usando-se basicamente transistores bipolares BJT (bipolar junction
transistor), FET (field-effect transistor) e MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-
effect transistor), configurados adequadamente em um mesmo circuito integrado
(chip).

As principais características dos amplificadores operacionais são

a) alto ganho de tensão, baixa resistência de entrada e alta resistência de saída
b) alto ganho de tensão, baixa resistência de entrada e baixa resistência de saída
c) alto ganho de tensão, alta resistência de entrada e baixa resistência de saída
d) baixo ganho de tensão, baixa resistência de entrada e alta resistência de saída
e) baixo ganho de tensão, baixa resistência de entrada e baixa resistência de saída
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 MOSFET tipo intensificação – Questão de Concurso
• O circuito mostrado abaixo representa um circuito lógico usando CMOS. Nele,
Q1 é um MOSFET Enhancement canal N, e Q2 é um
MOSFET Enhancement canal P, também conhecido como par complementar
de transistores MOSFET.

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