Circuitos Eletrônicos I

DIODOS
Semicondutor
Semicondutor tipo n
 O cristal que foi dopado com impureza doadora é
chamado semicondutor tipo n, onde n está
relacionado com negativo.
 Como os elétrons livres excedem em número as
lacunas num semicondutor tipo n, os elétrons são
chamados portadores majoritários e as lacunas,
portadores minoritários.
Semicondutor
Semicondutor tipo p
 O cristal que foi dopado com impureza aceitadora
é chamado semicondutor tipo p, onde p está
relacionado com positivo.
 Como as lacunas excedem em número os elétrons
livres num semicondutor tipo p, as lacunas são
chamadas portadores majoritários e os elétrons
livres, portadores minoritários.
Diodo de junção PN
 A união de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtém-
se uma junção pn, que é um dispositivo de estado
sólido simples: o diodo semicondutor de junção.

Devido a repulsão mútua os elétrons livres do lado n

espalham-se em todas direções, alguns atravessam a
junção e se combinam com as lacunas. Quando isto
ocorre, a lacuna desaparece e o átomo associado torna-
se carregado negativamente.
Camada de Depleção
Cada vez que um elétron
atravessa a junção ele cria
um par de íons. À medida
que o número de ions
aumenta, a região próxima à
junção fica sem elétrons
livres e lacunas.

A camada de depleção age como uma barreira impedindo

a continuação da difusão dos elétrons livres. A intensidade
da camada de depleção aumenta com cada elétron que
atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio.
Diferença de Potencial
 A diferença de potencial através da camada de
depleção é chamada de barreira de potencial.

 A 25º, esta barreira é de 0,7V para o silício e 0,3V

para o germânio.

 A medida que a corrente aumenta esta tensão

também aumenta devido a resistência dinâmica do
diodo rT.
Símbolo
POLARIZAÇÃO DO DIODO

 Polarizar um diodo significa aplicar uma diferença de

potencial às suas extremidades.

 Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, há

uma polarização direta se o pólo positivo da bateria for
colocado em contato com o material tipo p e o pólo
negativo em contato com o material tipo n.
 Polarização Direta
 No material tipo n os elétrons são
repelidos pelo terminal da bateria
e empurrado para a junção. No
material tipo p as lacunas
também são repelidas pelo
terminal e tendem a penetrar na
junção, e isto diminui a camada
de depleção. Para haver fluxo
livre de elétrons a tensão da
bateria tem de sobrepujar o
efeito da camada de depleção.
 Polarização inversa
 Invertendo-se as conexões entre
a bateria e a junção pn, isto é,
ligando o pólo positivo no
material tipo n e o pólo negativo
no material tipo p, a junção fica
polarizada inversamente. No
material tipo n os elétrons são
atraídos para o terminal positivo,
afastando-se da junção. Fato
análogo ocorre com as lacunas do
material do tipo p. Podemos dizer
que a bateria aumenta a camada
de depleção, tornando
praticamente impossível o
deslocamento de elétrons de uma
camada para outra.
 CURVA CARACTERÍSTICA

 A curva característica de
um diodo é um gráfico
que relaciona cada valor
da tensão aplicada com a
respectiva corrente
elétrica que atravessa o
diodo.
POTÊNCIA DE UM DIODO
 Em qualquer componente, a potência dissipada é a tensão
aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale
para o diodo:
P =V*I

 Não se pode ultrapassar a potência máxima, especificada pelo

fabricante, pois haverá um aquecimento excessivo. Os
fabricantes em geral indicam a potência máxima ou corrente
máxima suportada por um diodo.

 Ex.: 1N914  PMAX = 250mW

1N4001  IMAX = 1A

 Usualmente os diodos são divididos em três categorias, os

diodos para pequenos sinais (potência especificada abaixo de
0,5W), os retificadores ( PMAX > 0,5W) e os retificadores de
potência.
RESISTOR LIMITADOR DE
CORRENTE
 Num diodo polarizado diretamen-
te, uma pequena tensão aplicada
pode gerar uma alta intensidade
de corrente. Em geral um resistor
é usado em série com o diodo
para limitar a corrente elétrica
que passa através deles.

 RS é chamado de Resistor
limitador de corrente.

 Quanto maior o RS, menor a

corrente que atravessa o diodo e
o RS .
RETA DE CARGA
 Sendo a curva característica do diodo não linear, torna-se
complexo determinar através de equações o valor da
corrente e tensão sobre o diodo e resistor. Um método
para determinar o valor aproximado da corrente e da
tensão sobre o diodo, é o uso da reta de carga.
 Baseia-se no uso gráfico das curvas do diodo e da curva
do resistor.
Método
 A corrente I através do circuito é a seguinte:

VRSVS  VD
I 
RS RS

 No circuito em série a corrente é a mesma no diodo e no

resistor. Se forem dados a tensão da fonte e a resistência
RS, então são desconhecidas a corrente e a tensão sob o
diodo.
Método
 Se, por exemplo, no circuito ao lado o VS =2V e RS =
100Ω, então:

2  VD
I  0, 01VD  20mA
100
 Devemos encontrar 2 pontos da reta de carga para
podermos determiná-la, utilizaremos :
 Ponto de Saturação
 Ponto de Corte
Pontos da Reta de Carga

Ponto de Saturação: esse ponto é chamado de ponto de

saturação, pois é o máximo valor que a corrente pode assumir.

VD=0V  I=20mA

Ponto de Corte: esse ponto é chamado corte, pois representa

a corrente mínima que atravessa o resistor e o diodo.

I=0A VD=2V.
Reta de Carga x Curva Diodo
 Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se:

(I=12mA,U=0,78V) -
Ponto de operação ou
ponto quies-cente.
APROXIMAÇÕES DO DIODO

 Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se

faz necessário conhecer a curva do diodo,mas
dependendo da aplicação pode-se fazer
aproximações para facilitar os cálculos.
APROXIMAÇÕES DO DIODO

 1ª APROXIMAÇÃO (DIODO IDEAL)

 Um diodo ideal se comporta como um
condutor ideal quando polarizado no
sentido direto e como um isolante
perfeito no sentido reverso, ou seja,
funciona como uma chave aberta.
APROXIMAÇÕES DO DIODO

 1ª APROXIMAÇÃO (DIODO IDEAL)

APROXIMAÇÕES DO DIODO
 2ª APROXIMAÇÃO
 Leva-se em conta o fato de o diodo
precisar de 0,7V para iniciar a conduzir.
APROXIMAÇÕES DO DIODO
 2ª APROXIMAÇÃO
APROXIMAÇÕES DO DIODO
 3ª APROXIMAÇÃO
 Na terceira aproximação considera a
resistência interna do diodo.
APROXIMAÇÕES DO DIODO
 3ª APROXIMAÇÃO
Exemplo
 Determinar a corrente do diodo no circuito da
Figura:

Solução: O diodo está polarizado diretamente, portanto

age como uma chave fechada em série com uma bateria.

VS  VD
I D  I RS 
RS
10  0, 7
ID   1,86mA
5k
APROXIMAÇÕES DO DIODO
 RESISTÊNCIA CC DE UM DIODO
 É a razão entre a tensão total do diodo e
a corrente total do diodo.
 Pode-se considerar dois casos:
 RD - Resistência cc no sentido direto
 RR - Resistência cc no sentido reverso
APROXIMAÇÕES DO DIODO
 RESISTÊNCIA DIRETA
 É a resistência quando é aplicada uma tensão no sentido
direto sobre o diodo. É variável, pelo fato do diodo ter uma
resistência não linear.
 Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tensão
de 0,65V entre seus terminais existirá uma corrente
I=10mA. Caso a tensão aplicada seja de 0,75V a corrente
correspondente será de 30mA. Por último se a tensão for
de 0,85V a corrente será de 50mA. Com isto pode-se
calcular a resistência direta para cada tensão aplicada:
 RD1 = 0,65/10mA = 65Ω
 RD2 = 0,75/30mA = 25Ω
 RD3 = 0,85/50mA = 17Ω

 Nota-se que a resistência cc diminuí com o aumento da

tensão
APROXIMAÇÕES DO DIODO
 RESISTÊNCIA REVERSA
 Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar
uma tensão de -20V a corrente será de 25nA,
enquanto uma tensão de -75V implica numa corrente
de 5μA. A resistência reversa será de:
 RS1 = 20/25nA = 800MΩ.
 RS2 = 75/5μA = 15MΩ.
 A resistência reversa diminui à medida que se
aproxima da tensão de ruptura.